【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光二极管结构体、转印组件及使用转印组件的转印方法
本专利技术涉及一种发光二极管(LED)结构、转印组件及使用其的转印方法，更具体地，涉及一种可以容易地转印到另一基底上的LED结构体、即使重复转印工艺仍可以保持其与LED结构体的结合强度的转印组件、能够选择性地执行LED结构体的转印的LED结构体、转印组件及使用其的转印方法。
技术介绍
近来，由发光二极管(LED)组成的照明器材等的需求由于其优点(诸如比传统的白炽灯或荧光灯长的寿命、相对低的功耗以及在其制造工艺期间不释放污染物等)而急剧增加，并且LED不仅用于涉及发光的显示装置，而且也用作照明器材或液晶显示(LCD)装置的背光装置，即，其应用领域正在多样化。尤其，因为LED不仅在相对低的电压下驱动，还具有高的能量效率，所以具有发射的热量少且寿命长的优点。此外，由于开发了现有技术中难以实现的白色光也能够按高亮度提供的技术，因此期望LED取代大多数目前使用的光源。一般的氮化物半导体发光器件具有包括顺序地形成在基底上的缓冲层、n型氮化物半导体层、具有多量子阱结构的活性层和p型氮化物半导体层的结构，p型氮化物半导体层和活性...
【技术保护点】
1.一种转印LED结构体的方法，所述方法包括：在生长基底上形成外延结构体；在外延结构体上形成金属结合层；将金属结合层结合到具有紫外线吸收层的临时基底，使得外延结构体结合到临时基底；将生长基底从结合到临时基底的外延结构体分离；通过个别处理与生长基底分离的外延结构体来形成LED结构体；通过向临时基底的紫外线吸收层照射紫外线来将LED结构体转印到转印组件上；以及将转印到转印组件上的LED结构体移动到目标基底，其中，向临时基底的紫外线吸收层照射紫外线使紫外线吸收层的结合力降低以将紫外线吸收层和金属结合层分离，使得LED结构体从临时基底分离并且结合到具有结合力的转印组件。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.23 KR 10-2016-00344451.一种转印LED结构体的方法，所述方法包括：在生长基底上形成外延结构体；在外延结构体上形成金属结合层；将金属结合层结合到具有紫外线吸收层的临时基底，使得外延结构体结合到临时基底；将生长基底从结合到临时基底的外延结构体分离；通过个别处理与生长基底分离的外延结构体来形成LED结构体；通过向临时基底的紫外线吸收层照射紫外线来将LED结构体转印到转印组件上；以及将转印到转印组件上的LED结构体移动到目标基底，其中，向临时基底的紫外线吸收层照射紫外线使紫外线吸收层的结合力降低以将紫外线吸收层和金属结合层分离，使得LED结构体从临时基底分离并且结合到具有结合力的转印组件。2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括，在形成外延结构体之后：在外延结构体上形成扩散阻挡层。3.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括，在形成金属结合层之后：形成紫外线吸收层，其中，紫外线吸收层通过结合力响应于紫外线波长范围的紫外线而减弱的材料制成。4.根据权利要求1所述的方法，其中，临时基底包括：临时基底主体；以及所述紫外线吸收层，形成在临时基底主体上。5.根据权利要求4所述的方法，其中，临时基底主体通过用于使紫外线通过的玻璃、蓝宝石、塑料或聚合物材料制成。6.根据权利要求4所述的方法，其中，紫外线吸收层包括包含光反应剂的Si、丙烯酸粘合材料、氧化铟锡(ITO)、InO2、SnO2、SiO2、SiNx、Al2O3、TiO2或Ti2O5。7.根据权利要求4所述的方法，临时基底还包括：金属氧化层，位于临时基底主体与紫外线吸收层之间，其中，金属氧化层与紫外线吸收层具有不同的材料和不同的热膨胀系数。8.根据权利要求4所述的方法，其中，在紫外线吸收层与金属结合层之间形成附加金属结合层。9.根据权利要求1所述的方法，其中，转印组件包括：主体单元，被构造为具有聚合物树脂；以及毛细单元，被构造为形成在主体单元上并且从主体单元的上表面延伸，以选择性地结合到LED结构体。10.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括，在形成LED结构体之后：确定LED结构体是否正常工作。11.一种转印LED结构体的方法，所述方法包括：将临时基底的紫外线吸收层结合到位于形成在生长基底上的外延结构体上的金属结合层；将生长基底从外延结构体分离；通过蚀刻外延结构体形成个别处理的LED结构体；以及将个别处理的LED结构体从临时基底分离，通过使用范德瓦尔斯力或毛细引力的结合强度将分离的LED结构体移动到转印组件，其中，将个别处理的LED结构体从临时基底分离的步骤是通过向临时基底的紫外线吸收层照射紫外线来执行的，使得紫外线吸收层的结合...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁铎，崔源植，朴埈汎，白宗协，
申请(专利权)人：韩国光技术院，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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