半导体真空设备用逆止阀及半导体真空设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体真空设备用逆止阀及半导体真空设备。半导体真空设备用逆止阀包括：阀体，其配置有进气口和出气口；阀芯，其配置有贯通孔，所述阀芯位于所述阀体内部，所述贯通孔的一端口与所述进气口相对布置，所述贯通孔的另一端口与所述出气口相对布置，所述阀芯的外壁与所述阀体的内壁之间形成连通所述进气口和所述出气口的通风间隔；阀片，所述阀片设置在所述阀体的内部，并用于在所述进气口处压力小于所述出气口处压力时遮挡住所述进气口。半导体真空设备用逆止阀在真空泵发生故障能够及时截断真空管路，以提高半导体真空设备使用可靠性。

Check Valves and Semiconductor Vacuum Equipment for Semiconductor Vacuum Equipment

【技术实现步骤摘要】
半导体真空设备用逆止阀及半导体真空设备
本技术涉及半导体加工设备，尤其涉及一种半导体真空设备用逆止阀及半导体真空设备。
技术介绍
在半导体制造行业，半导体在很多加工环节中需要在真空设备中完成，例如：在半导体刻蚀和镀膜等工序中，半导体加工用的反应室通常设置在真空箱体中，而真空箱体则通过外部的真空泵来维持其内部的真空度，以满足半导体在反应室中对真空度的加工要求。而在实际使用过程中，通常在真空泵和真空箱体之间的真空管路上设置电控阀，以在真空泵出现故障时，通过电控阀来控制真空管路及时截断。但是，由于电控阀需要通过电信号来触发动作，存在电控阀未能收到触发信号而不能及时截断真空管路的情况，从而导致真空设备的使用可靠性较低。如何设计一种提高半导体真空设备使用可靠性的技术是本技术所要解决的技术问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是：提供一种半导体真空设备用逆止阀及半导体真空设备，半导体真空设备用逆止阀在真空泵发生故障能够及时截断真空管路，以提高半导体真空设备使用可靠性。本技术提供的技术方案是，一种半导体真空设备用逆止阀，包括：阀体，其配置有进气口和出气口；阀芯，其配置有贯通孔，所述阀芯位于所述阀体内部，所述贯通孔的一端口与所述进气口相对布置，所述贯通孔的另一端口与所述出气口相对布置，所述阀芯的外壁与所述阀体的内壁之间形成连通所述进气口和所述出气口的通风间隔；阀片，所述阀片设置在所述阀体的内部，并用于在所述进气口处压力小于所述出气口处压力时遮挡住所述进气口。进一步的，所述阀体内部还设置有密封圈，所述密封圈围绕在所述进气口的外围，所述密封圈用于与所述阀片接触配合以密封住所述进气口。进一步的，所述阀体包括：第一法兰盘，其配置有所述进气口；第二法兰盘，其配置有所述出气口；套筒，所述套筒的一端部与所述第一法兰盘连接，所述套筒的另一端部与所述第二法兰盘连接；其中，所述阀芯位于所述套筒中并夹在所述第一法兰盘和所述第二法兰盘之间，所述阀片可在所述阀芯和所述第一法兰盘之间移动。进一步的，所述阀芯上设置有用于导向所述阀片移动的导向部件，所述导向部件位于所述阀芯和所述第一法兰盘之间。进一步的，所述导向部件为多个导向立柱，多个所述导向立柱分布在所述贯通孔的外围，所述阀片位于多个所述导向立柱之间。进一步的，所述导向部件为多个导向立柱，多个所述导向立柱分布在所述贯通孔的外围，所述阀片的边缘设置有导向孔，所述导向立柱插在对应的所述导向孔中。进一步的，所述第一法兰盘的内表面设置有环形凹槽，所述导向立柱的自由端部位于所述环形凹槽中。进一步的，所述阀芯上设置有多个支撑立柱，多个所述支撑立柱分布在所述贯通孔的外围并位于所述阀芯和所述第二法兰盘之间。进一步的，所述第二法兰盘的内表面设置有连通所述出气口的出气管，所述出气管延伸至所述贯通孔中。本技术还提供一种半导体真空设备，包括真空箱体和真空泵，所述真空箱体中设置有反应室，所述真空泵通过真空管路与所述真空箱体连接，其特征在于，所述真空管路上设置有上述半导体真空设备用逆止阀。与现有技术相比，本技术的优点和积极效果是：本技术提供的半导体真空设备用逆止阀，通过在阀体内部配置阀片，阀片能够根据进气口和出气口处的压力大小来开关进气口。在正常使用过程中，由于出气口连接真空泵，出气口处的压力将低于进气口处的压力，此时，阀片远离所述进气口并遮挡在贯通孔上，空气从进气口进入到阀体中并经过通风间隔从出气口输出；而当真空泵发生故障时，由于真空泵无法在出气口处抽真空处理，此时，连接真空箱体的进气口处的压力将小于出气口处的压力，外部气体将反向从出气口进入到阀体中，由于贯通孔位于出气口和进气口之间，进入的气体经过贯通孔对阀片作用，使得阀片贴靠在进气口以实现自动关闭进气口，从而实现利用压力变化来自动控制逆止阀的开关，在真空泵发生故障能够及时截断真空管路，以提高半导体真空设备使用可靠性。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术半导体真空设备用逆止阀实施例的结构示意图；图2为本技术半导体真空设备用逆止阀实施例处于打开状态的剖视图；图3为本技术半导体真空设备用逆止阀实施例处于关闭状态的的剖视图；图4为本技术半导体真空设备用逆止阀实施例中阀芯的结构示意图；图5为本技术半导体真空设备实施例的结构原理图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1-图5所示，半导体真空设备通常包括真空箱体100、真空泵200和逆止阀300，其中，真空箱体100与真空泵200之间通过真空管路400连接在一起，而逆止阀300则连接在真空管路400中。其中，逆止阀300采用纯机械结构利用气压来实现控制真空管路400的通断，具体结合附图进行说明。逆止阀300包括：阀体1、阀芯2和阀片3。其中，阀体1其配置有进气口101和出气口102；阀芯2配置有贯通孔21，阀芯2位于阀体1内部，贯通孔21的一端口与进气口101相对布置，贯通孔21的另一端口与出气口102相对布置，阀芯2的外壁与阀体1的内壁之间形成连通进气口101和出气口102的通风间隔301；阀片3设置在阀体1的内部，并用于在进气口101处压力小于出气口102处压力时遮挡住进气口101。具体而言，逆止阀300在实际使用过程中，当真空泵200正常工作时，真空泵200持续抽真空，真空箱体100中的气体将从进气口101进入到阀体1并沿着通风间隔301流向出气口102并最终被真空泵200排出，这样，便可以保持真空箱体100内的真空度。而当真空泵200发生故障时，真空泵200将无法继续抽真空处理，在外部大气压作用下，外界空气将反向从出气口102进入到阀体1中，并直接经由贯通孔21朝向进气口101方向流动。由于进气口101连通真空箱体100，此时，出气口102处的压力将大于进气口101处的压力，在气压作用下，阀片3将被吸到进气口101处，将进气口101遮挡住，从而实现自动切断真空管路400。逆止阀300依靠气压来驱动阀片3动作，而不需要电触发信号，使用可靠性更高。优选地，为了确保阀片3能够严密的封堵住进气口101，阀体1内部还设置有密封圈10，密封圈10围绕在进气口101的外围，密封圈10用于与阀片3接触配合以密封住进气口101。具体的，当阀片3被吸到进气口101处时，阀片3将接触并贴靠在密封圈10上，并在真空箱体100的负压作用下，使得密封圈10挤压在阀片3和阀体11的内壁之间，从而可以利用阀片3和密封圈10配合将进气口101密封住。其中，为了方便组装，阀体1采用分体式结构，具体的，阀体1包括：第一法兰盘11、第二法兰盘12和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体真空设备用逆止阀，其特征在于，包括：阀体，其配置有进气口和出气口；阀芯，其配置有贯通孔，所述阀芯位于所述阀体内部，所述贯通孔的一端口与所述进气口相对布置，所述贯通孔的另一端口与所述出气口相对布置，所述阀芯的外壁与所述阀体的内壁之间形成连通所述进气口和所述出气口的通风间隔；阀片，所述阀片设置在所述阀体的内部，并用于在所述进气口处压力小于所述出气口处压力时遮挡住所述进气口。

【技术特征摘要】
1.一种半导体真空设备用逆止阀，其特征在于，包括：阀体，其配置有进气口和出气口；阀芯，其配置有贯通孔，所述阀芯位于所述阀体内部，所述贯通孔的一端口与所述进气口相对布置，所述贯通孔的另一端口与所述出气口相对布置，所述阀芯的外壁与所述阀体的内壁之间形成连通所述进气口和所述出气口的通风间隔；阀片，所述阀片设置在所述阀体的内部，并用于在所述进气口处压力小于所述出气口处压力时遮挡住所述进气口。2.根据权利要求1所述的半导体真空设备用逆止阀，其特征在于，所述阀体内部还设置有密封圈，所述密封圈围绕在所述进气口的外围，所述密封圈用于与所述阀片接触配合以密封住所述进气口。3.根据权利要求1所述的半导体真空设备用逆止阀，其特征在于，所述阀体包括：第一法兰盘，其配置有所述进气口；第二法兰盘，其配置有所述出气口；套筒，所述套筒的一端部与所述第一法兰盘连接，所述套筒的另一端部与所述第二法兰盘连接；其中，所述阀芯位于所述套筒中并夹在所述第一法兰盘和所述第二法兰盘之间，所述阀片可在所述阀芯和所述第一法兰盘之间移动。4.根据权利要求3所述的半导体真空设备用逆止阀，其特征在于，所述阀芯上设置有用于导向所述阀片移动的导向部件，所述导向部件位于所述阀...

【专利技术属性】
技术研发人员：张耿，
申请(专利权)人：张耿，
类型：新型
国别省市：北京,11