隔离结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种隔离结构及其制造方法，该隔离结构设置在磁性随机存取存储器元件的鳍形晶体管之间，其中包括鳍形线基板，有沟槽横跨所述鳍形线基板。氧化层设置在所述沟槽以外的所述鳍形线基板上。衬垫层设置在所述沟槽的凹陷表面。氮化层设置在所述衬垫层上，部分填入所述沟槽。氧化物残留位于在所述沟槽内的底部的所述氮化层上。栅极状结构，设置在所述氧化层上，且全部填满所述沟槽。

Isolation Structure and Its Manufacturing Method

【技术实现步骤摘要】
隔离结构及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体元件技术，且特别是涉及半导体元件的隔离结构及其制造技术。
技术介绍
基于缩小半导体元件的尺寸的需求，晶体管的设计有很大的研发。例如磁性随机存取存储器(magneticrandomaccessmemory，MRAM)装置，其需要大量的控制晶体管。晶体管的尺寸会影响存储器装置的存储容量。关于晶体管的设计研发，例如有鳍形场效晶体管(finfieldeffecttransistor,FinFET)已被提出，其可以有效减少晶体管的尺寸，有利于用来构成随机存取存储器的存储胞的一部分。大量的存储胞，通常会以单个或是多个规划成一个存储胞单元，其之间需要隔离。对于采用鳍形场效晶体管的磁性随机存取存储器，传统上，在横跨鳍形结构的方向会有浅沟槽隔离(STI)结构来隔离存储胞单元。然而浅沟槽隔离(STI)结构的尺寸仍是偏大。在大数量浅沟槽隔离结构的尺寸的累积后，整个存储器装置也对应地大。如何缩小存储胞单元之间的隔离结构的间隔尺寸，而同时也可以维持良好的隔离效果，是缩小整体装置尺寸所需要考虑的议题。
技术实现思路
依据一实施例，本专利技术提供半导体元件的隔离结构及其制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种隔离结构，设置在磁性随机存取存储器元件的鳍形晶体管之间，其特征在于包括:鳍形线基板，有沟槽横跨所述鳍形线基板；氧化层，在所述沟槽以外的所述鳍形线基板上；衬垫层，设置在所述沟槽的凹陷表面；氮化层，设置在所述衬垫层上，部分填入所述沟槽；氧化物残留，位于在所述沟槽内的底部的所述氮化层上；以及栅极状结构，设置在所述氧化层上，且全部填满所述沟槽。

【技术特征摘要】
1.一种隔离结构，设置在磁性随机存取存储器元件的鳍形晶体管之间，其特征在于包括:鳍形线基板，有沟槽横跨所述鳍形线基板；氧化层，在所述沟槽以外的所述鳍形线基板上；衬垫层，设置在所述沟槽的凹陷表面；氮化层，设置在所述衬垫层上，部分填入所述沟槽；氧化物残留，位于在所述沟槽内的底部的所述氮化层上；以及栅极状结构，设置在所述氧化层上，且全部填满所述沟槽。2.根据权利要求1所述的隔离结构，其特征在于，还包括间隙壁在所述栅极状结构的侧壁。3.根据权利要求1所述的隔离结构，其特征在于，所述栅极状结构包含多晶硅。4.根据权利要求1所述的隔离结构，其特征在于，所述栅极状结构包含高介电值的介电层与金属层的堆叠。5.根据权利要求1所述的隔离结构，其特征在于，所述栅极状结构是条形线，跨过所述鳍形线基板。6.根据权利要求1所述的隔离结构，其特征在于，所述栅极状结构的宽度等于所述鳍形晶体管的栅极线的宽度。7.根据权利要求1所述的隔离结构，其特征在于，所述沟槽是设置在相邻两个寄存储胞单元之间，且每一个存储胞单元包含单个存储胞或是两个存储胞或是更多。8.一种隔离结构，设置在磁性随机存取存储器元件的鳍形晶体管之间，其特征在于包括:鳍形线基板，有沟槽横跨所述鳍形线基板；氧化层，在所述沟槽以外的所述鳍形线基板上；衬垫层，设置在所述沟槽的凹陷表面；氮化层，设置在所述衬垫层上，部分填入所述沟槽；以及栅极状结构，设置在所述氧化层上，其中所述栅极状结构的一部分是在所述氮化层上，且全部填满所述沟槽。9.根据权利要求8所述的隔离结构，其特征在于，还包括间隙壁在所述栅极状结构的侧壁。10.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱中良，陈昱瑞，陈宏岳，王裕平，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71