一种高速宽频带建模方法、系统、装置及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术属于集成电路技术领域，具体涉及一种高速宽频带建模方法、系统、装置及存储介质。获取TSV的参数信息；根据参数信息对TSV进行第一仿真，得到TSV三维结构模型；根据三维结构模型得到等效电路模型。本发明专利技术通过对TSV进行仿真建立三维结构模型，再对三维结构模型进行分析建立等效模型的方式，通过计算对TSV与氧化层、硅衬底形成的MOS寄生电容以及多层互连结构的键合凸点自然形成的电容、电阻、电感以及电导构建等效电路模型，降低了涡流损耗、寄生效应和邻近效应对TSV在高频传输的影响。

A High Speed Broadband Modeling Method, System, Device and Storage Media

【技术实现步骤摘要】
一种高速宽频带建模方法、系统、装置及存储介质
本专利技术属于集成电路
，具体涉及一种高速宽频带建模方法、系统、装置及存储介质。
技术介绍
在三维集成电路(Three-DimensionalIntegratedCircuit,3D-IC)中，硅通孔(ThroughSilicon-Via,TSV)是实现多个芯片之间垂直互连的关键部分。三维集成电路(3-DIC)可将不同工艺的模块互连在一起，提高了集成度，缩短互连线，减小了互连延时，降低电路的功耗，使得集成电路成本降低。虽然三维集成电路已经取得长足的发展，但是依然需要全面分析信号的传输特性。采用全波数值模拟的方法准确但是速度慢，而且需要消耗极大的内存资源，大规模集成电路分析中不适合采用该方法去分析优化设计。目前，已经提出许多种实用性结构和方法的电路模型，然而在上千兆赫兹高频传输中涡流损耗、临近效应以及TSV和硅衬底形成的金属-氧化物-半导体(MOS)寄生电容、垂直互连中键合凸点的寄生效应对高频传输有极大的影响。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种用于三维集成互连的高速宽屏带建模方法。本专利技术要解决的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高速宽频带建模方法，其特征在于：包括步骤如下：获取TSV的参数信息；根据参数信息对TSV进行第一仿真，得到TSV三维结构模型；根据三维结构模型得到得到等效电路模型。

【技术特征摘要】
1.一种高速宽频带建模方法，其特征在于：包括步骤如下：获取TSV的参数信息；根据参数信息对TSV进行第一仿真，得到TSV三维结构模型；根据三维结构模型得到得到等效电路模型。2.根据权利要求1所述的一种用于三维集成互连的高速宽屏带建模方法，其特征在于：根据三维结构模型得到得到等效电路模型，包括，根据三维结构模型得到阻抗和导纳；根据阻抗和导纳建立电路模型。3.根据权利要求1所述的一种用于三维集成互连的高速宽屏带建模方法，其特征在于：所述阻抗Z为Z＝Zbump+ZTSV，Zbump为键合凸点阻抗，ZTSV为TSV的串联阻抗。4.根据权利要求1所述的一种用于三维集成互连的高速宽屏带建模方法，其特征在于：所述参数信息包括TSV的半径、TSV间距、TSV高度、氧化层厚度、键合凸点的高度和键合凸点的半径中的一种或多种。5.根据权利要求2所述的一种用于三维集成互连的高速宽屏带建模方法，其特征在于：TSV的外部电感Louter，Wdep为...

【专利技术属性】
技术研发人员：李跃进，高成楠，王松松，史阳楠，卢启军，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61