【技术实现步骤摘要】
一种基于玻纤板的单级和多级脉冲形成线及其感应叠加器
本专利技术涉及脉冲功率
，具体地，涉及一种基于玻纤板的单级和多级脉冲形成线及其感应叠加器。
技术介绍
脉冲功率技术的发展趋势是高峰值功率、高重复频率、固态模块化、紧凑小型化等方向。高峰值功率装置的特点是单次运行、高电压和大电流，它可为负载提供极高的峰值功率和极高的能量密度。主要应用在高能量密度物理、高强度辐射源、电磁发射和强脉冲激光等领域。目前，制约高峰值功率技术发展的瓶颈是高峰值功率开关技术和材料绝缘性等方面。高重复频率脉冲功率装置的特点是高占空比、高平均功率以及高能量利用效率，主要用于高新技术武器、高能加速器和工业环保等领域。高重复频率脉冲功率装置对高平均功率的开关提出了较高的技术要求，面临的技术障碍包括冷却、效率、可靠性等方面。固态模块化、紧凑小型化的脉冲功率装置通常容易维护、稳定可靠性较高、机动性强、重量轻便、具有可扩展性，且容易实现商品化和批量生产，因此在高新技术武器、工业化应用和高梯度加速器等领域具有巨大的应用前景。通常而言，利用脉冲功率技术单独产生高梯度电场、或者MHz重复频率电压、或者ns级...
【技术保护点】
1.一种基于玻纤板的单级脉冲形成线，其特征在于，所述单级脉冲形成线包括：MOSFET驱动电路、MOSFET开关、玻纤板基材、若干层覆铜电极；MOSFET驱动电路和MOSFET开关均焊接在玻纤板基材上表面；MOSFET驱动电路与MOSFET开关连接，用于驱动MOSFET开关；MOSFET开关的地电极与Blumlein脉冲形成线的第1层覆铜电极连接；MOSFET开关的输出高压电极与Blumlein脉冲形成线的第2层覆铜电极连接；若干层覆铜电极中的一部分覆铜电极被压制在玻纤板基材的内部，若干层覆铜电极中的另一部分覆铜电极被印制在玻纤板基材的表面。
【技术特征摘要】
1.一种基于玻纤板的单级脉冲形成线，其特征在于，所述单级脉冲形成线包括：MOSFET驱动电路、MOSFET开关、玻纤板基材、若干层覆铜电极；MOSFET驱动电路和MOSFET开关均焊接在玻纤板基材上表面；MOSFET驱动电路与MOSFET开关连接，用于驱动MOSFET开关；MOSFET开关的地电极与Blumlein脉冲形成线的第1层覆铜电极连接；MOSFET开关的输出高压电极与Blumlein脉冲形成线的第2层覆铜电极连接；若干层覆铜电极中的一部分覆铜电极被压制在玻纤板基材的内部，若干层覆铜电极中的另一部分覆铜电极被印制在玻纤板基材的表面。2.根据权利要求1所述的基于玻纤板的单级脉冲形成线，其特征在于，覆铜电极的层数为3层。3.根据权利要求1所述的基于玻纤板的单级脉冲形成线，其特征在于，MOSFET开关的输出地电极与Blumlein脉冲形成线的第1层覆铜电极在Blumlein脉冲形成线的输入端处连接；MOSFET开关的输出高压电极与Blumlein脉冲形成线的第2层覆铜电极在在Blumlein脉冲形成线的输入端处连接。4.根据权利要求1所述的基于玻纤板的单级脉冲形成线，其特征在于，玻纤板基材为电极之间的储能介质。5.根据权利要求1所述的基于玻纤板的单级脉冲形成线，其特征在于，3层覆铜电极中的中间覆铜电极被压制在玻纤板基材的内部，3层覆铜电极中的另外两层覆铜电极被印制在玻纤板基材的表面。6.一种基于玻纤板的多级脉冲形成线，其特征在于，所述多级脉冲形成线由N个权利要求1-5中任意一个所述的单级脉冲形成线层叠而成，N为大于或等于2的整数；第一级Blumlein脉冲形成线的MOSFET开关M1的输出地电极与多级层叠Blumlein脉冲形成线的第1层电极在第一级Blumlein脉冲形成线的输入端连接，M1的输出高压电极与多级层叠Blumlein脉冲形成线的第2层电极在第一级Blum...
【专利技术属性】
技术研发人员：谌怡，王卫，刘毅，叶茂，张篁，夏连胜，黄子平，龙继东，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院流体物理研究所，
类型：发明
国别省市：四川,51
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