一种单馈双圆极化微带天线制造技术

本发明专利技术公开了一种单馈双圆极化微带天线，可以通过在天线层上设置切去处于一对角线上的两个直角的矩形形状的辐射贴片，然后在馈电介质层的两个相对表面上分别设置包括至少两个H形馈电缝隙的导体材料层，以及设置包括由导体材料构成的至少两个T形馈电结构，所述至少两个T形馈电结构在所述第一馈电层上的投影与所述至少两个H形馈电缝隙分别一一对应垂直相交。通过上述结构在信号收发过程中可以激励出2个正交的幅度相等、且相位差为90度的信号模式，从而实现天线的圆极化功能。可见，本申请实施例中的微带天线无需增设馈电网络即可实现微带天线的圆极化功能。具有降低天线损耗和减小微带天线馈电网络的空间占比的技术效果。

A Single-Feed Doubly Circularly Polarized Microstrip Antenna

【技术实现步骤摘要】
一种单馈双圆极化微带天线
本专利技术涉及微波毫米波天线领域，特别是涉及一种单馈双圆极化微带天线。
技术介绍
目前，随着通信技术的不断发展，微带贴片天线因其具有体积小、重量轻、剖面低、易于加工等优点，其适用范围正不断扩大，其应用需求也正日益增长。然而，传统的微带天线其带宽窄，为了实现双圆极化，传统的微带天线还会加设馈电网络，由此造成天线损耗的增加。同时，由于在毫米波频段的天线对应收发的信号频率非常高且波长很小，因此要求对应工作的微带天线单元的尺寸也很小，由此再进行馈电网络的布局就显得尤其困难。可见，现有技术中存在着微带天线在实现双圆极化功能时需要增设馈电网络，由此造成天线损耗增加，以及工作在毫米波频段时微带天线布局困难的技术问题。
技术实现思路
本申请提供一种单馈双圆极化微带天线，用以解决现有技术中存在着的微带天线在实现双圆极化功能时需要增设馈电网络，由此造成天线损耗增加，以及工作在毫米波频段时微带天线布局困难的技术问题。本申请提供了一种单馈双圆极化微带天线，包括：天线层，包括天线介质基片与设置在所述天线介质基片一侧表面上的辐射贴片，所述辐射贴片为切去处于一对角线上的两个直角的矩形形状；馈电层，贴附设置在所述天线介质基片的另一侧表面上，包括馈电介质层、以及分别贴附设置在所述馈电介质层两侧表面上的第一馈电层和第二馈电层，所述第一馈电层为包括至少两个H形馈电缝隙的导体材料层，所述第二馈电层包括由导体材料构成的至少两个T形馈电结构，所述至少两个T形馈电结构在所述第一馈电层上的投影与所述至少两个H形馈电缝隙分别一一对应相交，且所述T形馈电结构的横臂与对应相交的H形馈电缝隙的横臂平行且不重叠，所述第一馈电层处于所述天线介质基片和所述馈电介质层之间；其中，所述至少两个H形馈电缝隙中的每相邻两个H形馈电缝隙之间的横臂互相垂直，和/或所述至少两个T形馈电结构中的每相邻两个T形馈电结构之间的横臂互相垂直。可选地，所述馈电层还包括：至少四个第一金属通孔，设置在所述馈电介质层与所述第二馈电层的边缘位置，以将所述至少两个T形馈电结构包围在内。可选地，所述馈电层还包括：至少一个第二金属通孔，设置在所述馈电介质层与所述第二馈电层的内部，且位于每相邻两个T形馈电结构之间。可选地，所述馈电介质层为微波介质基片或陶瓷片。可选地，所述天线层包括：第一辐射层，包括第一介质基片和设置在所述第一介质基片表面上的第一辐射贴片；第二辐射层，贴附设置在所述第一介质基片另一侧表面上，包括第二介质基片和设置在所述第二介质基片表面上的第二辐射贴片；其中，所述第二辐射贴片处于所述第一介质基片与所述第二介质基片之间，所述第一辐射贴片的面积大于所述第二辐射贴片的面积，所述第二辐射贴片投影在所述第一辐射贴片中的面积大于等于第二面积，所述第二面积为所述第二辐射贴片面积的一半。可选地，所述第一辐射贴片为切去处于第一对角线上的两个直角的矩形形状，所述第二辐射贴片为切去处于第二对角线上的两个直角的矩形形状，所述第一对角线与所述第二对角线平行；其中，所述第一辐射贴片与所述第二辐射贴片的边长比例一致，且布置方向一致。可选地，所述第一辐射贴片的两条切边与所述第二辐射贴片的两条切边平行。可选地，所述导体材料为铜材料，和/或镀银材料。本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：本申请实施例中的技术方案可以通过在天线层上设置切去处于一对角线上的两个直角的矩形形状的辐射贴片，然后在馈电介质层的两个相对表面上分别设置包括至少两个H形馈电缝隙的导体材料层，以及设置包括由导体材料构成的至少两个T形馈电结构，所述至少两个T形馈电结构在所述第一馈电层上的投影与所述至少两个H形馈电缝隙分别一一对应垂直相交。通过上述结构在信号收发过程中可以激励出2个正交的幅度相等、且相位差为90度的信号模式，从而实现天线的圆极化功能。可见，本申请实施例中的微带天线无需增设馈电网络即可实现微带天线的圆极化功能。具有降低天线损耗和减小微带天线馈电网络的空间占比的技术效果。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种单馈双圆极化微带天线的每层立体结构图；图2为本专利技术实施例提供的一种单馈双圆极化微带天线的天线层结构图；图3为本专利技术实施例提供的T形馈电结构投影到第一馈电层上的投影结构图。具体实施方式本申请提供一种单馈双圆极化微带天线，用以解决现有技术中存在着的微带天线在实现双圆极化功能时需要增设馈电网络，由此造成天线损耗增加，以及工作在毫米波频段时微带天线布局困难的技术问题。本申请实施例中的技术方案为解决上述技术问题，总体思路如下：本申请实施例中的技术方案可以通过在天线层上设置切去处于一对角线上的两个直角的矩形形状的辐射贴片，然后在馈电介质层的两个相对表面上分别设置包括至少两个H形馈电缝隙的导体材料层，以及设置包括由导体材料构成的至少两个T形馈电结构，所述至少两个T形馈电结构在所述第一馈电层上的投影与所述至少两个H形馈电缝隙分别一一对应垂直相交。通过上述结构在信号收发过程中可以激励出2个正交的幅度相等、且相位差为90度的信号模式，从而实现天线的圆极化功能。可见，本申请实施例中的微带天线无需增设馈电网络即可实现微带天线的圆极化功能。具有降低天线损耗和减小微带天线的空间占比的技术效果。下面通过附图以及具体实施例对本申请技术方案做详细的说明，应当理解本申请实施例以及实施例中的具体特征是对本申请技术方案的详细的说明，而不是对本申请技术方案的限定，在不冲突的情况下，本申请实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。实施例一请参考图1、图2、和图3，本申请实施例一提供一种单馈双圆极化微带天线，包括：天线层，包括天线介质基片与设置在所述天线介质基片一侧表面上的辐射贴片，所述辐射贴片为切去处于一对角线上的两个直角的矩形形状；馈电层，贴附设置在所述天线介质基片的另一侧表面上，包括馈电介质层120、以及分别贴附设置在所述馈电介质层120两侧表面上的第一馈电层121和第二馈电层122，所述第一馈电层121为包括至少两个H形馈电缝隙1210的导体材料层，所述第二馈电层122包括由导体材料构成的至少两个T形馈电结构1220，所述至少两个T形馈电结构1220在所述第一馈电层121上的投影与所述至少两个H形馈电缝隙1210分别一一对应相交，且所述T形馈电结构1220的横臂与对应相交的H形馈电缝隙1210的横臂平行且不重叠，所述第一馈电层121处于所述天线介质基片和所述馈电介质层120之间；其中，所述至少两个H形馈电缝隙1210中的每相邻两个H形馈电缝隙1210之间的横臂互相垂直，和/或所述至少两个T形馈电结构1220中的每相邻两个T形馈电结构1220之间的横臂互相垂直；所述至少两个H形馈电缝隙1210与所述至少两个T形馈电结构1220投影在所述辐射贴片内的面积大于等于第一面积，所述第一面积为所述至少两个H形馈电缝隙1210与所述至少两个T形馈电结构1220的总面积的一半。需要指出的是，本申请实施例中的H形馈电缝隙121本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单馈双圆极化微带天线，其特征在于，包括：天线层，包括天线介质基片与设置在所述天线介质基片一侧表面上的辐射贴片，所述辐射贴片为切去处于一对角线上的两个直角的矩形形状；馈电层，贴附设置在所述天线介质基片的另一侧表面上，包括馈电介质层、以及分别贴附设置在所述馈电介质层两侧表面上的第一馈电层和第二馈电层，所述第一馈电层为包括至少两个H形馈电缝隙的导体材料层，所述第二馈电层包括由导体材料构成的至少两个T形馈电结构，所述至少两个T形馈电结构在所述第一馈电层上的投影与所述至少两个H形馈电缝隙分别一一对应相交，且所述T形馈电结构的横臂与对应相交的H形馈电缝隙的横臂平行且不重叠，所述第一馈电层处于所述天线介质基片和所述馈电介质层之间；其中，所述至少两个H形馈电缝隙中的每相邻两个H形馈电缝隙之间的横臂互相垂直，和/或所述至少两个T形馈电结构中的每相邻两个T形馈电结构之间的横臂互相垂直。

【技术特征摘要】
1.一种单馈双圆极化微带天线，其特征在于，包括：天线层，包括天线介质基片与设置在所述天线介质基片一侧表面上的辐射贴片，所述辐射贴片为切去处于一对角线上的两个直角的矩形形状；馈电层，贴附设置在所述天线介质基片的另一侧表面上，包括馈电介质层、以及分别贴附设置在所述馈电介质层两侧表面上的第一馈电层和第二馈电层，所述第一馈电层为包括至少两个H形馈电缝隙的导体材料层，所述第二馈电层包括由导体材料构成的至少两个T形馈电结构，所述至少两个T形馈电结构在所述第一馈电层上的投影与所述至少两个H形馈电缝隙分别一一对应相交，且所述T形馈电结构的横臂与对应相交的H形馈电缝隙的横臂平行且不重叠，所述第一馈电层处于所述天线介质基片和所述馈电介质层之间；其中，所述至少两个H形馈电缝隙中的每相邻两个H形馈电缝隙之间的横臂互相垂直，和/或所述至少两个T形馈电结构中的每相邻两个T形馈电结构之间的横臂互相垂直。2.如权利要求1所述的微带天线，其特征在于，所述馈电层还包括：至少四个第一金属通孔，设置在所述馈电介质层与所述第二馈电层的边缘位置，以将所述至少两个T形馈电结构包围在内。3.如权利要求1所述的微带天线，其特征在于，所述馈电层还包括：至少一个第二金属通孔，设置在所述馈电介质层与所述第二馈...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴祖兵，郭凡玉，颜微，张琳，王建伟，王新辉，
申请(专利权)人：成都天锐星通科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51