一种CVD金刚石膜片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种CVD金刚石膜片，其由上而下依次包括第一硬质合金层、第一散热层、第一泡沫铝层、CVD金刚石层、第二散热层、第二泡沫铝层和第二硬质合金层，所述第一硬质合金层的中间部位上设有第一连接槽，所述第一散热层和第一泡沫铝层的中间部位分别设有相互连通的第一通孔和第二通孔，所述所述多晶金刚石层一侧的中间部位焊接有第一连接柱，另一侧的中间部位焊接有第二连接柱，所述第二散热层和第二泡沫铝层的中间部位分别设有相互连通的第三通孔和第四通孔，所述第二硬质合金层中间部位上设有第二连接槽。本实用新型专利技术大大提高了CVD金刚石膜片的强度，并且散热效率非常好。

A CVD Diamond Diaphragm

【技术实现步骤摘要】
一种CVD金刚石膜片
本技术涉及一种金刚石膜片，具体涉及一种CVD金刚石膜片。
技术介绍
人造钻石是一种由直径10到30纳米的钻石结晶聚合而成的多结晶钻石，早期的人造钻石由于空气中的氮原子进入钻石晶体而呈淡淡的糖稀颜色，经过科学家的改良制作方法，现在生产的人造钻石在外观上和天然钻石没有任何差异，由于生成环境的不同，人造钻石的的分子结构并不是天然钻石的完全八面体结构而是一种复杂结构，从而会产生磷光现象。随着人造钻石生产技术的成熟，其造价低廉，且可以制作出各种颜色的钻石而在珠宝市场上崭露头角。CVD(ChemicalVaporDeposition化学气相沉积)金刚石。含碳气体和氧气的混合物在高温和低于标准大气压的压力下被激发分解，形成活性金刚石碳原子，并在基体上沉积交互生长成聚晶金刚石(或控制沉积生长条件沉积生长金刚石单晶或者准单晶)。CVD金刚石是一种性能优异的高温、宽带隙半导体材料。其电子和空穴载流子迁移速率极高。CVD金刚石半导体其工作最高温度达到600℃以上，这是金刚石材料被定格的终极应用。CVD金刚石代替目前最广泛应用的锗、硅和砷化镓半导体材料，将成为半导体材料和技术发展的里程碑。目前CVD金刚石二极管、场效应三极管以及在恶劣环境下使用的多种光敏-压敏-热敏半导体器件已研制成功，并开始应用和进入市场。由于CVD金刚石中不含任何金属催化剂，因此它的热稳定性接近天然金刚石。同高温高压人工合成聚晶金刚石一样，CVD金刚石晶粒也呈无序排列，无脆性解理面，因此呈现各向同性。CVD金刚石现在被用为刀具材料的一种。目前，采用CVD金刚石膜片来对有色金属与非金属刀具在加工过程中，省时省力，工作效率高，质量好，但由于采用单一材质的CVD金刚石膜片进行切削，其硬度不高，导致CVD金刚石膜片受损。
技术实现思路
本技术为了解决上述问题，从而提供一种CVD金刚石膜片。为达到上述目的，本技术的技术方案如下：一种CVD金刚石膜片，所述CVD金刚石膜片由上而下依次包括第一硬质合金层、第一散热层、第一泡沫铝层、CVD金刚石层、第二散热层、第二泡沫铝层和第二硬质合金层，所述第一硬质合金层与第一散热层的接触面的中间部位上设有第一连接槽，所述第一散热层和第一泡沫铝层的中间部位分别设有相互连通的第一通孔和第二通孔，所述所述多晶金刚石层一侧的中间部位焊接有第一连接柱，所述多晶金刚石层另一侧的中间部位焊接有第二连接柱，所述第一连接柱可依次穿过第二通孔和第一通孔与第一连接槽配合连接，所述第二散热层和第二泡沫铝层的中间部位分别设有相互连通的第三通孔和第四通孔，所述第二硬质合金层与第二散热层的接触面的中间部位上设有第二连接槽，所述第二连接柱可依次穿过第四通孔和第三通孔与第二连接槽配合连接。在本技术的一个优选实施例中所述第一连接柱与第一连接槽之间通过螺纹方式连接。在本技术的一个优选实施例中所述第二连接柱与第二连接槽之间通过螺纹方式连接。在本技术的一个优选实施例中所述第一散热层由铝合金或铜制成。在本技术的一个优选实施例中所述第二散热层层由铝合金或铜制成。在本技术的一个优选实施例中所述CVD金刚石层的厚度为0.1mm～2mm。在本技术的一个优选实施例中所述第一硬质合金层和第二硬质合金层的厚度都为0.8mm～2mm。在本技术的一个优选实施例中所述第一散热层和第二散热层的厚度都为0.05mm～0.1mm。在本技术的一个优选实施例中所述第一泡沫铝层和第二泡沫铝层的厚度都为0.05mm～0.1mm。本技术的有益效果是：本技术大大提高了CVD金刚石膜片的强度，并且散热效率非常好。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术的结构示意图；图2为第一硬质合金层或第二硬质合金层的结构示意图。具体实施方式为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本技术。参见图1和图2，本技术提供的VD金刚石膜片，其由上而下依次包括第一硬质合金层100、第一散热层200、第一泡沫铝层300、CVD金刚石层400、第二散热层500、第二泡沫铝层600和第二硬质合金层700。第一硬质合金层100和第二硬质合金层700分别设置在CVD金刚石层400两侧，用于保护CVD金刚石层400，并提高膜片的整体强度。第一硬质合金层100和第二硬质合金层700的厚度具体可为0.8mm～2mm，CVD金刚石层400的厚度具体可为0.1mm～2mm。本申请采用的第一硬质合金层100和第二硬质合金层700与CVD金刚石层400之间的固定方式为可拆卸式结构，这样便于拆卸更换。在CVD金刚石层400一侧的中间部位焊接有第一连接柱410另一侧的中间部位焊接有第二连接柱420，第一连接柱410和第二连接柱420可采用硬质合金材料或多晶金刚石制成，在第一连接柱410和第二连接柱420的外表面分别设有螺纹。在第一硬质合金层100的中间部位开设有第一连接槽，在第二硬质合金层700的中间部位开设有有第二连接槽，第一连接槽和第二连接槽具体为与第一连接柱410和第二连接柱420对应配合的螺纹槽，这样CVD金刚石层400可通过螺纹连接地方式分别与第一硬质合金层100和第二硬质合金层700可拆卸地固定连接。由于在CVD金刚石层400两侧分别设有第一硬质合金层100和第二硬质合金层700，这样本申请在长时间工作时，温度会很高，并且热量很难散去，从而容易损坏。本申请通过在CVD金刚石层400与第一硬质合金层100之间设置第一散热层200，在CVD金刚石层400与第二硬质合金层700之间设置第二散热层500可散热效率，从而使得膜片的温度不会过高。另外，在第一硬质合金层100和第二硬质合金层700的外表面上可匀距设有若干个呈波浪状的散热加强筋，这样可进一步提高本申请的强度，并且也可进一步提高散热效率。再者，在第一硬质合金层100与第一散热层200的接触面和第二硬质合金层700与第二散热层500的接触面上分别设有若干个安置槽，在每个安置槽内内嵌一个硬质橡胶块800，并且硬质橡胶块800与第一硬质合金层100或第二硬质合金层700的表面位于同一水平面，第一散热层200和第二散热层500可分别与各个硬质橡胶块800接触，硬质橡胶块800可用于提高CVD金刚石层400与第一硬质合金层100和第二硬质合金层700之间的缓冲力，从而使得膜片不易损坏。第一散热层200和第二散热层500具体由铝合金或铜制成，具体厚度可为0.05mm～0.1mm。虽然，第一硬质合金层100和第二硬质合金层700上的大部分热量可通过第一散热层200和第二散热层500散去，但是剩余的热量通过第一散热层200和第二散热层500传递给CVD金刚石层400，本申请在CVD金刚石层400与第一散热层200之间设有第一泡沫铝层300，在第二散热层500与第二硬质合金层700之间设有第二泡沫铝层600。第一泡沫铝层300和第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CVD金刚石膜片，其特征在于，所述CVD金刚石膜片由上而下依次包括第一硬质合金层、第一散热层、第一泡沫铝层、CVD金刚石层、第二散热层、第二泡沫铝层和第二硬质合金层，所述第一硬质合金层与第一散热层的接触面的中间部位上设有第一连接槽，所述第一散热层和第一泡沫铝层的中间部位分别设有相互连通的第一通孔和第二通孔，所述CVD金刚石层一侧的中间部位焊接有第一连接柱，所述CVD金刚石层另一侧的中间部位焊接有第二连接柱，所述第一连接柱可依次穿过第二通孔和第一通孔与第一连接槽配合连接，所述第二散热层和第二泡沫铝层的中间部位分别设有相互连通的第三通孔和第四通孔，所述第二硬质合金层与第二散热层的接触面的中间部位上设有第二连接槽，所述第二连接柱可依次穿过第四通孔和第三通孔与第二连接槽配合连接。

【技术特征摘要】
1.一种CVD金刚石膜片，其特征在于，所述CVD金刚石膜片由上而下依次包括第一硬质合金层、第一散热层、第一泡沫铝层、CVD金刚石层、第二散热层、第二泡沫铝层和第二硬质合金层，所述第一硬质合金层与第一散热层的接触面的中间部位上设有第一连接槽，所述第一散热层和第一泡沫铝层的中间部位分别设有相互连通的第一通孔和第二通孔，所述CVD金刚石层一侧的中间部位焊接有第一连接柱，所述CVD金刚石层另一侧的中间部位焊接有第二连接柱，所述第一连接柱可依次穿过第二通孔和第一通孔与第一连接槽配合连接，所述第二散热层和第二泡沫铝层的中间部位分别设有相互连通的第三通孔和第四通孔，所述第二硬质合金层与第二散热层的接触面的中间部位上设有第二连接槽，所述第二连接柱可依次穿过第四通孔和第三通孔与第二连接槽配合连接。2.根据权利要求1所述的一种CVD金刚石膜片，其特征在于，所述第一连接柱与第一连接槽之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚闯，吴剑波，朱长征，余斌，
申请(专利权)人：上海征世科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31