一种声控延时开关电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种声控延时开关电路，包括电源电路模块、声音检测模块、延时电路模块、控制电压模块和执行电路模块；其中，驻极体话筒BM的一端分别与电阻R10的一端、三极管Q5的栅极连接，可以根据外界的声音信号决定电路是否接通；集成芯片U1的第五引脚分别与电阻R12的一端、二极管D4的负极和电容C7的一端连接，组成一个延时电路，可以保护电路；触发器U3：A的第六引脚与电位器RV1的一端连接，电位器RV1的另一端分别与电阻R15、电位器RV2的一端连接，电位器RV1设定驻极体话筒的电压，电位器RV2设定电位器RV1的电压。本实用新型专利技术可在一定音量范围内连接电路，当电压发生异常变化时可以及时断开电路，安全度高，使用范围很广。

A Sound Controlled Delay Switching Circuit

【技术实现步骤摘要】
一种声控延时开关电路
本技术涉及电子开关领域，具体来说，涉及一种声控延时开关电路，可以在家用电器和家用电路中使用，将根据外界声音信号来控制电路的开关，在得到声音信号后会延时接通电路，当工作环境中出现电压不稳或突然断电时，电路将及时断开。
技术介绍
在日常生活当中，我们无时无刻不在与各种电路电器发生联系，比如日常使用的家电，楼道、走廊和房间里的电灯，而这些电路都需要少不了控制它们的开关，因此，设计一种安全实用的电路开关意义重大。随着现代社会的发展，传统开关已经满足不了现代生活。开关的方便和安全已经成为了设计的重要一部分，于是市面上出现了许多不用直接接触也可以控制的开关，声控开关就是其中一种。大多数声控开关在外界音量的影响下直接接通电路，在电压不稳定，或者瞬间断电又恢复时不能保护电路，导致电路的使用寿命受到影响。
技术实现思路
针对相关技术中的问题，本技术提出一种声控延时开关电路，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。本技术的技术方案是这样实现的：一种声控延时开关电路，包括电源电路模块、声音检测模块、延时电路模块、控制电压模块和执行电路模块；电源电路模块，包括整流桥堆BR1、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、稳压二极管D1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电容C1、电容C2和电容C3，所述整流桥堆BR1的一个交流引入端子与所述整流桥堆BR1的另一个交流引入端子、电压信号连接，所述整流桥堆BR1的输出正极端子分别与所述电阻R1的一端、所述电容C1的一端、所述MOS管Q4的漏极、所述MOS管Q1的漏极连接，所述整流桥堆BR1的输出负极端子分别与所述电容C1的另一端、所述电容C2的一端、所述电阻R2的一端、所述电阻R4的一端、所述电阻R5的一端连接，所述电容C1的另一端接地，所述电阻R1的另一端分别与所述MOS管Q2的漏极、所述MOS管Q3的漏极连接，所述MOS管Q4的栅极与所述电容C2的另一端连接，所述MOS管Q4的集电极分别与所述MOS管Q1的栅极、所述电阻R2的另一端连接，所述MOS管Q1的集电极分别与所述电阻R3的一端、所述电阻R6的一端、所述电阻R7的一端、所述电容C3的一端和所述电阻R9的一端连接，所述电阻R3的另一端分别与所述电阻R4的另一端、所述MOS管Q2的集电极连接，所述电阻R6的另一端分别与所述MOS管Q3的集电极、所述二极管D1的负极连接，所述电阻R7的另一端与所述MOS管Q3的栅极、所述电阻R8的一端连接，所述电容C3的另一端分别与所述电阻R9的另一端、所述电阻R8的另一端、所述稳压二极管D1的正极、所述MOS管Q2的栅极和所述电阻R5的另一端连接；声音检测模块，包括驻极体话筒BM、电阻R10、电容C4、三极管Q5和二极管D2，所述驻极体话筒BM的一端分别与所述电阻R10的一端、三极管Q5的B极连接，所述驻极体话筒BM的另一端与所述三极管Q5的E极、所述二极管D2的正极均接地，所述电阻R10的另一端分别与所述电容C4的一端、所述二极管D2的负极、所述MOS管Q1的集电极、所述电阻R3的一端、所述电阻R6的一端、所述电阻R7的一端、所述电容C3的一端和所述电阻R9的一端连接，所述电容C4的另一端接地；延时电路模块，包括集成芯片U1、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电容C5、电容C6、电容C7和二极管D4，所述集成芯片U1的第一引脚与所述集成芯片U1的第二引脚、所述电容C5的一端和所述电容C6的一端均接地，所述集成芯片U1的第五引脚分别与所述电阻R12的一端、所述二极管D4的负极、所述电容C7的一端连接，所述电阻R12的另一端分别与所述电阻R11的一端、所述二极管D4的正极、所述三极管Q5的C极连接，所述集成芯片U1的第四引脚分别与所述集成芯片U1的第八引脚、所述电阻R10、所述电容C4的一端、所述电阻R11的另一端、所述二极管D2的负极、所述MOS管Q1的集电极、所述电阻R3的一端、所述电阻R6的一端、所述电阻R7的一端、所述电容C3的一端和所述电阻R9的一端连接，所述集成芯片U1的第三引脚与所述电阻R13的一端连接，所述集成芯片U1的第七引脚分别与所述电阻R13的另一端、所述电容C6的另一端连接，所述集成芯片U1的第六引脚分别与所述电容C5的另一端连接；控制电压模块，包括触发器U3：A、电阻R14、电阻R15、电位器RV1和电位器RV2，所述触发器U3：A的第一引脚与所述电位器RV2的一端均接地，所述触发器U3：A的第三引脚分别与所述集成芯片U1的第三引脚、所述电阻R13的一端连接，所述触发器U3：A的第二引脚与所述触发器U3：A的第四引脚连接，所述触发器U3：A的第五引脚分别与所述电阻R14的一端、所述电阻R15的一端连接，所述触发器U3：A的第六引脚与所述电位器RV1的一端连接，所述电位器RV1的另一端分别与所述电阻R15的另一端、所述电位器RV2的另一端连接；执行电路模块，包括电阻R16、二极管D3、双向晶闸管U2，所述电阻R16的一端与所述电阻R14的另一端连接，所述电阻R16的另一端与所述二极管D3的正极连接，所述二极管D3的负极与所述双向晶闸管U2的控制极连接，所述双向晶闸管U2的第一阳极与所述电阻R10、所述电容C4的一端、所述电阻R11的一端、所述二极管D2的负极、所述集成芯片U1的第四引脚、所述集成芯片U1的第八引脚、所述MOS管Q1的集电极、所述电阻R3的一端、所述电阻R6的一端、所述电阻R7的一端、所述电容C3的一端和所述电阻R9的一端连接，所述双向晶闸管U2的第二阳极接地。进一步，所述集成芯片U1是一种时基集成电路NE555。进一步，所述电容C1的电容值大小为1000uF；所述电容C2与所述电容C3的电容值、所述电容C5的电容值、所述电容C6的电容值、所述电容C7的电容值大小均为10uF；所述电容C4的电容值大小为0.1uF。进一步，所述二极管D1与所述二极管D2均为硅稳压二极管。进一步，所述电位器RV1、所述电位器RV2均为线性电位器。进一步，所述MOS管Q1、所述MOS管Q2、所述MOS管Q3和所述MOS管Q4均为NMOS管。本技术的有益效果为：本设计在刚接收外界信号后会延时接通电路；当电压出现异常时会自动断开，延长了电路使用寿命，安全度高，使用范围很广。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是根据本技术实施例的一种声控延时开关电路。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。根据本技术的实施例，提供了一种声控延时开关电路。如图1所示，根据本技术实施例的声控延时开关电路，包括电源电路模块、声音检本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种声控延时开关电路，其特征在于，包括电源电路模块、声音检测模块、延时电路模块、控制电压模块和执行电路模块；电源电路模块，包括整流桥堆BR1、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、稳压二极管D1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电容C1、电容C2和电容C3，所述整流桥堆BR1的一个交流引入端子与所述整流桥堆BR1的另一个交流引入端子、电压信号连接，所述整流桥堆BR1的输出正极端子分别与所述电阻R1的一端、所述电容C1的一端、所述MOS管Q4的漏极、所述MOS管Q1的漏极连接，所述整流桥堆BR1的输出负极端子分别与所述电容C1的另一端、所述电容C2的一端、所述电阻R2的一端、所述电阻R4的一端、所述电阻R5的一端连接，所述电容C1的另一端接地，所述电阻R1的另一端分别与所述MOS管Q2的漏极、所述MOS管Q3的漏极连接，所述MOS管Q4的栅极与所述电容C2的另一端连接，所述MOS管Q4的集电极分别与所述MOS管Q1的栅极、所述电阻R2的另一端连接，所述MOS管Q1的集电极分别与所述电阻R3的一端、所述电阻R6的一端、所述电阻R7的一端、所述电容C3的一端和所述电阻R9的一端连接，所述电阻R3的另一端分别与所述电阻R4的另一端、所述MOS管Q2的集电极连接，所述电阻R6的另一端分别与所述MOS管Q3的集电极、所述二极管D1的负极连接，所述电阻R7的另一端与所述MOS管Q3的栅极、所述电阻R8的一端连接，所述电容C3的另一端分别与所述电阻R9的另一端、所述电阻R8的另一端、所述稳压二极管D1的正极、所述MOS管Q2的栅极和所述电阻R5的另一端连接；声音检测模块，包括驻极体话筒BM、电阻R10、电容C4、三极管Q5和二极管D2，所述驻极体话筒BM的一端分别与所述电阻R10的一端、三极管Q5的B极连接，所述驻极体话筒BM的另一端与所述三极管Q5的E极、所述二极管D2的正极均接地，所述电阻R10的另一端分别与所述电容C4的一端、所述二极管D2的负极、所述MOS管Q1的集电极、所述电阻R3的一端、所述电阻R6的一端、所述电阻R7的一端、所述电容C3的一端和所述电阻R9的一端连接，所述电容C4的另一端接地；延时电路模块，包括集成芯片U1、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电容C5、电容C6、电容C7和二极管D4，所述集成芯片U1的第一引脚与所述集成芯片U1的第二引脚、所述电容C5的一端和所述电容C6的一端均接地，所述集成芯片U1的第五引脚分别与所述电阻R12的一端、所述二极管D4的负极、所述电容C7的一端连接，所述电阻R12的另一端分别与所述电阻R11的一端、所述二极管D4的正极、所述三极管Q5的C极连接，所述集成芯片U1的第四引脚分别与所述集成芯片U1的第八引脚、所述电阻R10、所述电容C4的一端、所述电阻R11的另一端、所述二极管D2的负极、所述MOS管Q1的集电极、所述电阻R3的一端、所述电阻R6的一端、所述电阻R7的一端、所述电容C3的一端和所述电阻R9的一端连接，所述集成芯片U1的第三引脚与所述电阻R13的一端连接，所述集成芯片U1的第七引脚分别与所述电阻R13的另一端、所述电容C6的另一端连接，所述集成芯片U1的第六引脚分别与所述电容C5的另一端连接；控制电压模块，包括触发器U3：A、电阻R14、电阻R15、电位器RV1和电位器RV2，所述触发器U3：A的第一引脚与所述电位器RV2的一端均接地，所述触发器U3：A的第三引脚分别与所述集成芯片U1的第三引脚、所述电阻R13的一端连接，所述触发器U3：A的第二引脚与所述触发器U3：A的第四引脚连接，所述触发器U3：A的第五引脚分别与所述电阻R14的一端、所述电阻R15的一端连接，所述触发器U3：A的第六引脚与所述电位器RV1的一端连接，所述电位器RV1的另一端分别与所述电阻R15的另一端、所述电位器RV2的另一端连接；执行电路模块，包括电阻R16、二极管D3、双向晶闸管U2，所述电阻R16的一端与所述电阻R14的另一端连接，所述电阻R16的另一端与所述二极管D3的正极连接，所述二极管D3的负极与所述双向晶闸管U2的控制极连接，所述双向晶闸管U2的第一阳极与所述电阻R10、所述电容C4的一端、所述电阻R11的一端、所述二极管D2的负极、所述集成芯片U1的第四引脚、所述集成芯片U1的第八引脚、所述MOS管Q1的集电极、所述电阻R3的一端、所述电阻R6的一端、所述电阻R7的一端、所述电容C3的一端和所述电阻R9的一端连接，所述双向晶闸管U2的第二阳极接地。...

【技术特征摘要】
1.一种声控延时开关电路，其特征在于，包括电源电路模块、声音检测模块、延时电路模块、控制电压模块和执行电路模块；电源电路模块，包括整流桥堆BR1、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、稳压二极管D1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电容C1、电容C2和电容C3，所述整流桥堆BR1的一个交流引入端子与所述整流桥堆BR1的另一个交流引入端子、电压信号连接，所述整流桥堆BR1的输出正极端子分别与所述电阻R1的一端、所述电容C1的一端、所述MOS管Q4的漏极、所述MOS管Q1的漏极连接，所述整流桥堆BR1的输出负极端子分别与所述电容C1的另一端、所述电容C2的一端、所述电阻R2的一端、所述电阻R4的一端、所述电阻R5的一端连接，所述电容C1的另一端接地，所述电阻R1的另一端分别与所述MOS管Q2的漏极、所述MOS管Q3的漏极连接，所述MOS管Q4的栅极与所述电容C2的另一端连接，所述MOS管Q4的集电极分别与所述MOS管Q1的栅极、所述电阻R2的另一端连接，所述MOS管Q1的集电极分别与所述电阻R3的一端、所述电阻R6的一端、所述电阻R7的一端、所述电容C3的一端和所述电阻R9的一端连接，所述电阻R3的另一端分别与所述电阻R4的另一端、所述MOS管Q2的集电极连接，所述电阻R6的另一端分别与所述MOS管Q3的集电极、所述二极管D1的负极连接，所述电阻R7的另一端与所述MOS管Q3的栅极、所述电阻R8的一端连接，所述电容C3的另一端分别与所述电阻R9的另一端、所述电阻R8的另一端、所述稳压二极管D1的正极、所述MOS管Q2的栅极和所述电阻R5的另一端连接；声音检测模块，包括驻极体话筒BM、电阻R10、电容C4、三极管Q5和二极管D2，所述驻极体话筒BM的一端分别与所述电阻R10的一端、三极管Q5的B极连接，所述驻极体话筒BM的另一端与所述三极管Q5的E极、所述二极管D2的正极均接地，所述电阻R10的另一端分别与所述电容C4的一端、所述二极管D2的负极、所述MOS管Q1的集电极、所述电阻R3的一端、所述电阻R6的一端、所述电阻R7的一端、所述电容C3的一端和所述电阻R9的一端连接，所述电容C4的另一端接地；延时电路模块，包括集成芯片U1、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电容C5、电容C6、电容C7和二极管D4，所述集成芯片U1的第一引脚与所述集成芯片U1的第二引脚、所述电容C5的一端和所述电容C6的一端均接地，所述集成芯片U1的第五引脚分别与所述电阻R12的一端、所述二极管D4的负极、所述电容C7的一端连接，所述电阻R12的另一端分别与所述电阻R11的一端、所述二极管D4...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆一兵，
申请(专利权)人：南京大陆豪智能电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32