一种容性耦合结构及其制备方法技术

本申请公开了一种容性耦合结构及其制备方法，其中，所述容性耦合结构在两个所述谐振腔的耦合连接位置背离盲孔结构一侧设置了至少贯穿所述金属层的耦合调节区域，使得具有所述容性耦合结构的介质波导滤波器在进行容性耦合调节时，可以通过调试耦合调节区域的面积大小和/或伸入介质外壳的深度的方式实现。避免了调节盲孔深度受到的盲孔孔径很小且深度较深的限制，使得介质波导滤波器的容性耦合调试过程的难度降低，且增加了对容介质波导滤波器的容性耦合的调节精度。

A Capacitive Coupled Structure and Its Preparation Method

【技术实现步骤摘要】
一种容性耦合结构及其制备方法
本申请涉及滤波器
，更具体地说，涉及一种容性耦合结构及其制备方法。
技术介绍
介质波导滤波器是指利用高介电常数的陶瓷材料制备而成的滤波器，具有体积较小、损耗较低、频率温度系数和热膨胀系数小以及较高的Q值等诸多优点。在实际应用过程汇总，介质波导滤波器需要形成容性耦合结构以实现传输零点。现有技术中通常使用在介质波导滤波器的两个耦合连接的谐振腔的连接位置处形成深盲孔的方式实现这两个谐振腔的容性耦合，并通过控制盲孔底部与谐振腔底面之间的距离的方式来控制容性耦合。参考图1和图2，图1为现有技术中介质波导滤波器中两个谐振腔形成容性耦合的俯视结构示意图，图1中标号11和12分别表示两个谐振腔，标号13表示两个谐振腔的连接区域，两个谐振腔的腔体由介质外壳形成，介质外壳上通常包覆有金属层，标号14表示位于两个谐振腔的耦合连接区域上的盲孔；图2为图1中沿AA线的剖面结构示意图，标号15表示构成所述谐振腔的介质外壳。从图2中可以看出，盲孔的孔径通常很小，并且盲孔的深度需要设置的很深，而受限于盲孔孔径很小且深度较深的限制，在对盲孔深度进行调试以调节容性耦合的过程中，很难精确控制盲孔深度的调试量，导致对介质波导滤波器的容性耦合的调节精度较差，难以满足实际使用需求。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本申请提供了一种容性耦合结构及其制备方法，以实现简化介质波导滤波器的容性耦合的调试过程，提高容性耦合的调节精度的目的。为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：一种容性耦合结构，应用于介质波导滤波器，所述介质波导滤波器包括至少两个谐振腔，每个所述谐振腔由介质外壳和包覆所述介质外壳的金属层构成，且至少两个谐振腔彼此耦合连接，所述容性耦合结构包括：位于两个所述谐振腔的耦合连接位置一侧表面的盲孔结构，所述盲孔结构的外侧表面覆盖有所述金属层；位于两个所述谐振腔的耦合连接位置背离所述盲孔结构一侧，且至少贯穿所述金属层的耦合调节区域；所述耦合调节区域与所述盲孔结构相对设置。可选的，位于两个所述谐振腔的耦合连接位置一侧表面的盲孔结构，所述盲孔结构的外侧表面覆盖有所述金属层；位于两个所述谐振腔的耦合连接位置背离所述盲孔结构一侧，且至少贯穿所述金属层的耦合调节区域；所述耦合调节区域与所述盲孔结构相对设置。可选的，所述耦合调节区域贯穿所述金属层，且部分深入所述介质外壳，所述耦合调节区域深入所述介质外壳的高度与所述盲孔结构的高度的和小于所述介质外壳的厚度。可选的，所述盲孔结构的横截面的形状为圆形或矩形。可选的，所述盲孔结构的高度大于所述介质外壳的厚度的二分之一。可选的，所述金属层为银金属层或铜金属层或其他金属层。一种容性耦合结构的制备方法，包括：提供至少两个谐振腔，每个所述谐振腔由介质外壳构成；将至少两个谐振腔耦合连接，并形成包覆所述介质外壳的金属层、位于两个所述谐振腔的耦合连接位置一侧表面的盲孔结构以及位于两个所述谐振腔的耦合连接位置背离所述盲孔结构一侧，且至少贯穿所述金属层的耦合调节区域；所述耦合调节区域与所述盲孔结构相对设置。可选的，所述将至少两个谐振腔耦合连接，并形成包覆所述介质外壳的金属层、位于两个所述谐振腔的耦合连接位置一侧表面的盲孔结构以及位于两个所述谐振腔的耦合连接位置背离所述盲孔结构一侧，且至少贯穿所述金属层的耦合调节区域包括：将至少两个谐振腔耦合连接，形成待处理介质波导滤波器，并利用冲压工艺或数控工艺在两个所述谐振腔的耦合连接位置一侧表面形成所述盲孔；在所述待处理介质波导滤波器表面形成保护所述介质外壳的金属层；利用刻蚀工艺或雕刻工艺或打磨工艺，在两个所述谐振腔的耦合连接位置背离所述盲孔结构一侧，形成仅贯穿所述金属层的耦合调节区域，所述耦合调节区域暴露出所述介质外壳，且所述耦合调节区域在所述介质外壳表面的正投影的面积大小小于或等于或大于所述盲孔结构在所述介质外壳表面的正投影的面积大小。可选的，所述将至少两个谐振腔耦合连接，并形成包覆所述介质外壳的金属层、位于两个所述谐振腔的耦合连接位置一侧表面的盲孔结构以及位于两个所述谐振腔的耦合连接位置背离所述盲孔结构一侧，且至少贯穿所述金属层的耦合调节区域包括：将至少两个谐振腔耦合连接，形成待处理介质波导滤波器，并利用冲压工艺或数控工艺在两个所述谐振腔的耦合连接位置一侧表面形成所述盲孔；在所述待处理介质波导滤波器表面设置掩膜层，并在所述待处理介质波导滤波器表面形成保护所述介质外壳的金属层；去除所述掩膜层，所述掩膜层所在区域即为所述耦合调节区域。可选的，所述将至少两个谐振腔耦合连接，并形成包覆所述介质外壳的金属层、位于两个所述谐振腔的耦合连接位置一侧表面的盲孔结构以及位于两个所述谐振腔的耦合连接位置背离所述盲孔结构一侧，且至少贯穿所述金属层的耦合调节区域包括：将至少两个谐振腔耦合连接，形成待处理介质波导滤波器，并利用冲压工艺或数控工艺在两个所述谐振腔的耦合连接位置一侧表面形成所述盲孔；在所述待处理介质波导滤波器表面形成金属层；在所述待处理介质波导滤波器背离所述盲孔结构的一侧表面，形成贯穿所述金属层，且部分深入所述介质外壳的耦合调节区域。从上述技术方案可以看出，本申请实施例提供了一种容性耦合结构及其制备方法，其中，所述容性耦合结构在两个所述谐振腔的耦合连接位置背离盲孔结构一侧设置了至少贯穿所述金属层的耦合调节区域，使得具有所述容性耦合结构的介质波导滤波器在进行容性耦合调节时，可以通过调试耦合调节区域的面积大小和/或伸入介质外壳的深度的方式实现。避免了调节盲孔深度受到的盲孔孔径很小且深度较深的限制，使得介质波导滤波器的容性耦合调试过程的难度降低，且增加了对容介质波导滤波器的容性耦合的调节精度。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为现有技术中介质波导滤波器中两个谐振腔形成容性耦合的俯视结构示意图；图2为图1沿AA线的剖面结构示意图；图3为本申请的一个实施例提供的一种容性耦合结构的俯视结构示意图；图4为图3沿BB线的剖面结构示意图；图5为本申请的另一个实施例提供的一种容性耦合结构的剖面结构示意图；图6为本申请的一个实施例提供的一种介质波导滤波器的正视图；图7为本申请的一个实施例提供的一种介质波导滤波器的背视图；图8为图6沿CC线的剖面结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。本申请实施例提供了一种容性耦合结构，如图3和图4所示，应用于介质波导滤波器，所述介质波导滤波器包括至少两个谐振腔，每个所述谐振腔由介质外壳和包覆所述介质外壳的金属层500构成，且至少两个谐振腔彼此耦合连接，所述容性耦合结构包括：位于两个所述谐振腔的耦合连接位置300一侧表面的盲孔结构400，所述盲孔结构400的外侧表面覆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种容性耦合结构，其特征在于，应用于介质波导滤波器，所述介质波导滤波器包括至少两个谐振腔，每个所述谐振腔由介质外壳和包覆所述介质外壳的金属层构成，且至少两个谐振腔彼此耦合连接，所述容性耦合结构包括：位于两个所述谐振腔的耦合连接位置一侧表面的盲孔结构，所述盲孔结构的外侧表面覆盖有所述金属层；位于两个所述谐振腔的耦合连接位置背离所述盲孔结构一侧，且至少贯穿所述金属层的耦合调节区域；所述耦合调节区域与所述盲孔结构相对设置。

【技术特征摘要】
1.一种容性耦合结构，其特征在于，应用于介质波导滤波器，所述介质波导滤波器包括至少两个谐振腔，每个所述谐振腔由介质外壳和包覆所述介质外壳的金属层构成，且至少两个谐振腔彼此耦合连接，所述容性耦合结构包括：位于两个所述谐振腔的耦合连接位置一侧表面的盲孔结构，所述盲孔结构的外侧表面覆盖有所述金属层；位于两个所述谐振腔的耦合连接位置背离所述盲孔结构一侧，且至少贯穿所述金属层的耦合调节区域；所述耦合调节区域与所述盲孔结构相对设置。2.根据权利要求1所述的容性耦合结构，其特征在于，所述耦合调节区域仅贯穿所述金属层，以暴露出所述介质外壳，且所述耦合调节区域在所述介质外壳表面的正投影的面积大小小于或等于或大于所述盲孔结构在所述介质外壳表面的正投影的面积大小。3.根据权利要求1所述的容性耦合结构，其特征在于，所述耦合调节区域贯穿所述金属层，且部分深入所述介质外壳，所述耦合调节区域深入所述介质外壳的高度与所述盲孔结构的高度的和小于所述介质外壳的厚度。4.根据权利要求1所述的容性耦合结构，其特征在于，所述盲孔结构的横截面的形状为圆形或矩形。5.根据权利要求1所述的容性耦合结构，其特征在于，所述盲孔结构的高度大于所述介质外壳的厚度的二分之一。6.根据权利要求1所述的容性耦合结构，其特征在于，所述金属层为银金属层或铜金属层或其他金属层。7.一种容性耦合结构的制备方法，其特征在于，包括：提供至少两个谐振腔，每个所述谐振腔由介质外壳构成；将至少两个谐振腔耦合连接，并形成包覆所述介质外壳的金属层、位于两个所述谐振腔的耦合连接位置一侧表面的盲孔结构以及位于两个所述谐振腔的耦合连接位置背离所述盲孔结构一侧，且至少贯穿所述金属层的耦合调节区域；所述耦合调节区域与所述盲孔结构相对设置。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述将至少两个谐振腔耦合连接，并形成包覆所述介质外壳的金属层、位于两个所述谐振腔的耦合连接位置一侧表面的盲孔结构以及位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：何钟鑫，肖利蒙，黄伟杰，龙志勇，杨继聪，黄万强，
申请(专利权)人：广东国华新材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44