一种快速低功耗单端接口制造技术

本实用新型专利技术公开了一种快速低功耗单端接口，包括推挽结构和冲突检测模块，推挽结构包括PMOS管和NMOS管，冲突检测电路模块包括两个比较器，也可以是不同阈值的反相器或者斯密特触发器。本实用新型专利技术使用推挽结构输出端，在逻辑高电平和低电平都没有直流通路功耗，功耗低；工作频率高，信号频率至少高一个数量级。同时增设有冲突检测模块，避免多主机争夺总线，无法确定总线状态问题，总线状态检测电路结构更简单。

A Fast and Low Power Single-ended Interface

【技术实现步骤摘要】
一种快速低功耗单端接口
本技术涉及一种单端接口，尤其涉及一种快速低功耗单端接口。
技术介绍
传统的单端接口(I2C)，包含两条信号线，一条时钟信号线，一条数据信号线。如图1所示，数据信号的内部电路采用opendrain结构，信号线外挂上拉电阻。之所以采用opendrain结构外加上拉电阻是为了实现多主机共用总线，以及便于检查总线状态。数据通路的高电平是靠上拉电阻实现的，导致上升沿不会很快，接口频率就会受限制，无法太快。低电平靠内部的下拉电路(opendrain)实现，但下拉时，上拉电阻在漏电，消耗电流，还拖慢下降沿时间。这里有三个问题需要解决，一个是缩短上升沿时间；另一个是避免下降沿时，上拉通路导通；最后还有个问题是总线状态检测。
技术实现思路
专利技术目的：针对以上问题，本技术提出一种快速低功耗单端接口，增加了冲突检测模块和推挽结构。技术方案：为实现上述设计目的，本技术所采用的技术方案是：一种快速低功耗单端接口，包括推挽结构和冲突检测模块，数据信号经推挽结构输出，同时使用冲突检测模块检查总线状态。进一步地，所述推挽结构包括PMOS管和NMOS管，PMOS管的源极连接输入电压VDD，PMOS管的漏极连接NMOS管的漏极，其连接点为输出信号VOUT，NMOS管的源极接地电压GND；冲突检测模块输出使能信号OE，输出使能信号OE与推挽结构的输入信号VIN经与非门后连接到PMOS管的控制极；输出使能信号OE经非门，后与推挽结构的输入信号VIN经或非门后连接到NMOS管的控制极。进一步地，所述冲突检测模块包括两个电压比较器，第一电压比较器的负极输入端连接阈值Vt1，正极输入端连接主机的输出信号VOUT，输出端连接第一异或门的一个输入端；第二电压比较器的负极输入端连接阈值Vt2，正极输入端连接主机的输出信号VOUT，输出端连接第二异或门的一个输入端；第一异或门的另一个输入端和第二异或门的另一个输入端共同连接输入信号VIN，两个异或门的输出通过一个或逻辑门后输出使能信号OE。进一步地，第一电压比较器的阈值是Vt1，第二电压比较器的阈值是Vt2，Vt1<Vt2。进一步地，所述冲突检测模块的电压比较器也可以使用阈值不同的反相器或斯密特触发器替代。有益效果：与现有技术相比具有的优点：使用推挽结构输出端，在逻辑高电平和低电平都没有直流通路功耗，功耗低；工作频率高，信号频率至少高一个数量级。有冲突检测模块，避免多主机争夺总线，无法确定总线状态问题，总线状态检测电路结构更简单。附图说明图1是现有技术中单端接口的示意图；图2是本技术所述快速低功耗单端接口的示意图；图3是冲突检测模块的示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术的技术方案作进一步的说明。如图2所示，本技术所述的快速低功耗单端接口，在原有电路基础上增加MP1，形成推挽结构，同时增加一个冲突检测模块。用推挽结构，在逻辑高电平和低电平都没有直流通路功耗，功耗低且工作频率高。有冲突检测模块，避免多主机争夺总线，无法确定总线状态问题，总线状态检测电路结构更简单。本专利技术所述的快速低功耗单端接口包括推挽结构、冲突检测模块及一些基本逻辑门，推挽结构包括PMOS管MP1和NMOS管MN1。PMOS管的源极连接输入电压VDD，PMOS管的漏极连接NMOS管的漏极，其连接点为输出信号VOUT，NMOS管的源极接地电压GND。如图3所示，冲突检测电路模块包括两个比较器和一些逻辑门，也可以是不同阈值的反相器或者斯密特触发器。第一电压比较器的阈值是Vt1，第二电压比较器的阈值是Vt2，使Vt1<Vt2。第一电压比较器的负极输入端输入连接阈值Vt1，正极输入端输入连接主机的VOUT，输出端连接第一异或门的一个输入端。第二电压比较器的负极输入端输入连接阈值Vt2，正极输入端输入连接主机的VOUT，输出端连接第二异或门的一个输入端。第一异或门的另一个输入端和第二异或门的另一个输入端共同连接输入信号VIN，两个异或门的输出通过一个或逻辑门后成为输出使能信号OE。如图2所示，输出使能信号OE与推挽结构的输入信号VIN经与非门后连接到PMOS管的控制极。输出使能信号OE经非门与推挽结构的输入信号VIN经或非门后连接到NMOS管MN1的控制极。VIN是推挽结构的输入，逻辑上等于VOUT，也就是VIN＝1，MP1导通，MN1关断，VOUT＝1。同理VIN＝0，MP1关断，MN1导通，VOUT＝0。输出VOUT高阻态时，MP1，MN1都关断。冲突检测电路模块正常工作时，VOL<Vt1，VOH>Vt2。当总线发生冲突时，两个主机都是输出状态，一个主机的上拉MP1打开，另一个主机的下拉MN1打开，此时VOUT为VCD，VCD＝VDD*RMN1/(RMP1+RMN1)，调整电路使Vt1<VCD<Vt2。当进入冲突状态，VOUT保持为：Vt1<VCD<Vt2，从机输出高阻态，放弃对总线的控制，主机重新获得总线。本技术所述的快速低功耗单端接口，在正常状态，总线没有上下拉电路同时导通，输出低电平时，冲突检测模块检测到VOUT同时低于Vt1和Vt2。两个Schmitttrigger输出都是低电平。输出高电平时，冲突检测模块检测到VOUT同时高于Vt1和Vt2。两个Schmitttrigger输出都是高电平。异常状态下，总线有上下拉电路同时导通，总线电压Vt1<VCD<Vt2。两个检测电路一个输出高电平，一个输出低电平，冲突状态成立。本技术使用推挽结构输出端，在逻辑高电平和低电平都没有直流通路功耗，功耗低；工作频率高，信号频率至少高一个数量级。同时增设有冲突检测模块，避免多主机争夺总线，无法确定总线状态问题，总线状态检测电路结构更简单。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种快速低功耗单端接口，其特征在于，包括推挽结构和冲突检测模块，数据信号经推挽结构输出，同时使用冲突检测模块检查总线状态；所述推挽结构包括PMOS管和NMOS管，PMOS管的源极连接输入电压VDD，PMOS管的漏极连接NMOS管的漏极，其连接点为输出信号VOUT，NMOS管的源极接地电压GND；冲突检测模块输出使能信号OE，输出使能信号OE与推挽结构的输入信号VIN经与非门后连接到PMOS管的控制极；输出使能信号OE经非门，后与推挽结构的输入信号VIN经或非门后连接到NMOS管的控制极；所述冲突检测模块包括两个电压比较器，第一电压比较器的负极输入端连接阈值Vt1，正极输入端连接主机的输出信号VOUT，输出端连接第一异或门的一个输入端；第二电压比较器的负极输入端连接阈值Vt2，正极输入端连接主机的输出信号VOUT，输出端连接第二异或门的一个输入端；第一异或门的另一个输入端和第二异或门的另一个输入端共同连接输入信号VIN，两个异或门的输出通过一个或逻辑门后输出使能信号OE。

【技术特征摘要】
1.一种快速低功耗单端接口，其特征在于，包括推挽结构和冲突检测模块，数据信号经推挽结构输出，同时使用冲突检测模块检查总线状态；所述推挽结构包括PMOS管和NMOS管，PMOS管的源极连接输入电压VDD，PMOS管的漏极连接NMOS管的漏极，其连接点为输出信号VOUT，NMOS管的源极接地电压GND；冲突检测模块输出使能信号OE，输出使能信号OE与推挽结构的输入信号VIN经与非门后连接到PMOS管的控制极；输出使能信号OE经非门，后与推挽结构的输入信号VIN经或非门后连接到NMOS管的控制极；所述冲突检测模块包括两个电压比较器，第一电压比较器的负极输入端连接阈值Vt1...

【专利技术属性】
技术研发人员：王磊，
申请(专利权)人：南京观海微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32