介质集成波导槽耦合腔体天线制造技术

本实用新型专利技术公开了一种介质集成波导槽耦合腔体天线，其上、下介质集成波导构成了整个辐射天线。在上介质集成波导上分割有两个封闭腔体，同时在每个腔体所属的上金属层上，微波印制板沿波导宽边方向蚀刻有两个一致的矩形槽；单个腔体天线单元在上金属层上所蚀刻的两个矩形槽，沿宽度方向排列，并以长度中心线为轴镜像对称。下介质集成波导则完成对上介质集成波导上构建的双腔体天线单元的馈电；针对每个腔体天线单元，在上、下介质集成波导共用的中间金属层上，蚀刻有矩形耦合槽；在耦合槽的一侧设计有穿过下微波基板的场调谐金属化过孔Ⅱ，连接了中间金属层与接地金属层，用于扰动耦合槽上的电磁场分布。

Dielectric integrated waveguide slot coupled cavity antenna

【技术实现步骤摘要】
介质集成波导槽耦合腔体天线
本技术涉及一种介质集成波导槽耦合腔体天线，属于天线微波技术。
技术介绍
毫米波电子设备对天线的小型化、易集成有较高要求。传统上满足要求的天线单元形式包括Vivali天线、微带天线、波导天线等。Vivaldi天线可获得较大带宽，但其端射特点导致剖面较高，通常超过1/2波长；而微带天线剖面低但带宽较小；波导天线使用金属结构，损耗小效率高，但在毫米波波段存在金属结构制造成本高、且不利于阵列应用环境下的组阵集成的缺点。近年来，为满足毫米波天线应用要求，在微波印制板或在硅片上构建介质集成波导(SIW)来设计天线，成为兼顾性能和成本的合适方案，其一方面结构简单，同时在性能上也接近传统金属波导，这使得其在简化天线馈电结构、提高馈电效率和降低馈电结构寄生辐射方面有优势。在此基础上使用SIW馈电构建的天线单元也适合于低成本毫米波天线阵列的应用场合。将SIW开槽并将能量耦合至基于多层介质开孔构造的类开口波导结构，可设计实现宽带腔体天线，这类天线具有剖面相对较低、带宽大的特点，但通过多层介质开孔来构造开口波导结构，其制造仍相对复杂(如Y.Cai，etal.″A16-elemen本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种介质集成波导槽耦合腔体天线，其特征在于，包括上金属层(1)、上微波介质板(2)、中间金属层(3)、下微波介质基板(4)、接地金属层(5)、金属化过孔I(6)和同轴端口(7)；金属化过孔I(6)设置在上微波介质板(2)和下微波介质基板(4)的周边和沿宽度方向中间一排，即为三列两行；所述上金属层(1)、上微波介质板(2)、中间金属层(3)与金属化过孔I(6)，共同构成上介质集成波导(8)；所述中间金属层(3)、下微波介质基板(4)、接地金属层(5)与金属化过孔I(6)，共同构成下介质集成波导(9)；上介质集成波导(8)和下介质集成波导(9)共同构成了整个辐射天线；上介质集成波导(8)上构建...

【技术特征摘要】
1.一种介质集成波导槽耦合腔体天线，其特征在于，包括上金属层(1)、上微波介质板(2)、中间金属层(3)、下微波介质基板(4)、接地金属层(5)、金属化过孔I(6)和同轴端口(7)；金属化过孔I(6)设置在上微波介质板(2)和下微波介质基板(4)的周边和沿宽度方向中间一排，即为三列两行；所述上金属层(1)、上微波介质板(2)、中间金属层(3)与金属化过孔I(6)，共同构成上介质集成波导(8)；所述中间金属层(3)、下微波介质基板(4)、接地金属层(5)与金属化过孔I(6)，共同构成下介质集成波导(9)；上介质集成波导(8)和下介质集成波导(9)共同构成了整个辐射天线；上介质集成波导(8)上构建了腔体天线辐射单元以完成性能的辐射，在上介质集成波导(8)上，整列金属化过孔I(6)将波导沿长度方向分割成两个封闭腔体，同时在每个腔体所属的上金属层(1)上，通过微波印制板蚀刻工艺沿波导宽边方向蚀刻出两个一致的矩形槽(10)，从而使得上介质集成波导(8)沿长度方向形成两个一致的开放腔体天线单元(11)；单个腔体天线单元(11)在上金属层上所蚀刻的两个矩形槽(10)，沿宽度方向排列，并以长度中心线为轴镜像对称；下介质集成波导(9)长度和宽度尺寸与上介质集成波导(8)均一致；针对每个腔体天线单元，在下介质集成波导(9)和上介质集成波导(8)共用的中间金属层(3)上，蚀刻有矩形耦合槽(12)；耦合槽(12)的中心与腔体天线单元的中心重叠，在耦合槽(12)的一侧设计有穿过下微波介质基板(4)的场调谐金属化过孔II(13)，其直径...

【专利技术属性】
技术研发人员：张金平，李斌，周志鹏，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十四研究所，
类型：新型
国别省市：江苏,32