同轴耦合器制造技术

技术编号:21841707 阅读:34 留言:0更新日期:2019-08-10 21:50
本实用新型专利技术公开了一种同轴耦合器,包括主传输线壳体及其内部同轴设置的内导体一、与主传输线壳体的外周垂直连通的耦合输出壳体及其内部同轴设置的内导体二,所述的主传输线壳体的两端设置有连接器一,所述的耦合输出壳体的端部设置有连接器二,还包括内导体三,所述的主传输线壳体的内腔配合安装至少有两个绝缘子,所述的绝缘子的中心开设有与导体一配合的通孔一,所述的绝缘子在通孔的旁侧还开设有通孔二,所述的内导体三与通孔二连接,所述的内导体二与内导体二垂直连接,增加内导体三与内导体一不接触,通过耦合进行能量传输,使同轴耦合器耦合度起伏相比更低,可实现更高的频程,在驻波比和三阶互调等关键指标上也更加优异。

Coaxial coupler

【技术实现步骤摘要】
同轴耦合器
本技术属于微波通信领域,特别涉及一种同轴耦合器。
技术介绍
带状线定向耦合器用于微波信号按特定比例分配或合成功率,是微波
中最常用的元件之一,一般以介质填充带状线耦合器与空气腔带状线耦合器为主。现有技术中的同轴耦合器,一般为在主传输线上增加一用于耦合输出的部件,从而实现从主传输线中分配出特定的功率从另一端口输出,输入功率与耦合输出功率之间的关系为耦合度。同轴功率耦合器的特点是结构简单、承载功率大、互调低。但是现有市场的耦合器大多为方腔,在结构上耦合处一般较为复杂,连接器接口处处理上易对互调、驻波比造成较大影响。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种同轴耦合器,确保结构装配方便,同时能有效地提高耦合器互调、驻波比指标。为了实现上述目的,本技术采取以下技术方案:一种同轴耦合器,包括主传输线壳体及其内部同轴设置的内导体一、与主传输线壳体的外周垂直连通的耦合输出壳体及其内部同轴设置的内导体二,所述的主传输线壳体的两端设置有连接器一,所述的耦合输出壳体的端部设置有连接器二,还包括内导体三,所述的主传输线壳体的内腔配合安装至少有两个绝缘子,所述的绝缘子的中心开设有与导体一配合的通孔一,所述的绝缘子在通孔一的旁侧还开设有通孔二,所述的内导体三与通孔二连接,所述的内导体二与内导体三垂直连接。所述的主传输线壳体的外周开设有螺纹孔一,所述的耦合输出壳体的端部与螺纹孔一构成螺纹连接,所述的螺纹孔一的空间位置处于相邻的两绝缘子之间。所述的内导体三的轴心线与内导体一的轴心线平行,所述的内导体二的轴心线与内导体三的轴心线垂直,所述的内导体三上开设有螺纹孔二,所述的内导体二的端部与螺纹孔二构成螺纹连接。所述的绝缘子采用四氟材料。上述技术方案中,耦合输出壳体与主传输线壳体垂直连通,将圆柱状的绝缘子与主传输线壳体的内腔配合固定,内导体一、内导体三分别通过通孔一、通孔二与绝缘子配合固定,连接器一的插针与内导体一的两端进行连接,连接器一与主传输线壳体的两端进行连接,内导体二与内导体三进行垂直连接,连接器二的插针与内导体二进行连接,连接器二与耦合输出壳体的端部进行连接,装配完成,通过增加绝缘子实现内导体一与内导体三的固定,增加内导体三与内导体一不接触,通过耦合进行能量传输,使同轴耦合器耦合度起伏相比更低,可实现更高的频程,在驻波比和三阶互调等关键指标上也更加优异。附图说明图1为本技术剖视图;图2为本技术未安装内导体剖视图;图3为本技术俯视图。具体实施方式结合附图1~3对本技术做出进一步的说明:一种同轴耦合器,包括主传输线壳体1及其内部同轴设置的内导体一3、与主传输线壳体1的外周垂直连通的耦合输出壳体2及其内部同轴设置的内导体二4,所述的主传输线壳体1的两端设置有连接器一11,所述的耦合输出壳体2的端部设置有连接器二21,还包括内导体三6,所述的主传输线壳体1的内腔配合安装至少有两个绝缘子5,所述的绝缘子5的中心开设有与导体一3配合的通孔一51,所述的绝缘子5在通孔一51的旁侧还开设有通孔二52,所述的内导体三6与通孔二52连接,所述的内导体二4与内导体三6垂直连接。耦合输出壳体2与主传输线壳体1垂直连通,将圆柱状的绝缘子5与主传输线壳体1的内腔配合固定,内导体一3、内导体三6分别通过通孔一51、通孔二52与绝缘子5配合固定,连接器一11的插针与内导体一3的两端进行连接,连接器一11与主传输线壳体1的两端进行连接,内导体二4与内导体三6进行垂直连接,连接器二21的插针与内导体二4进行连接,连接器二21与耦合输出壳体2的端部进行连接,装配完成,通过增加绝缘子5实现内导体一3与内导体三6的固定,增加内导体三6与内导体一3不接触,通过耦合进行能量传输,使同轴耦合器耦合度起伏相比更低,可实现更高的频程,在驻波比和三阶互调等关键指标上也更加优异;插针、内导体一3、内导体二4、内导体三6构成信号通路,完成信号传输,主传输线壳体1、耦合输出壳体2、连接器一11、连接器二21构成射频信号屏蔽层,防止信号泄露和串扰。所述的主传输线壳体1的外周开设有螺纹孔一12,所述的耦合输出壳体2的端部与螺纹孔一12构成螺纹连接,所述的螺纹孔一12的空间位置处于相邻的两绝缘子5之间。如图1、2所示,实施例中,在主传输线壳体1的内腔两端对称布置两个绝缘子5,在主传输线壳体1的中段位置外周开设有螺纹孔12,这样使得耦合输出壳体2与螺纹孔一12构成快速连接。所述的内导体三6的轴心线与内导体一3的轴心线平行,所述的内导体三6的轴心线与内导体一3的轴心线垂直,所述的内导体三6上开设有螺纹孔二61,所述的内导体二4的端部与螺纹孔二61构成螺纹连接。为了更好提高同轴耦合器的驻波比和三阶互调等关键指标,所以将内导体三6与内导体一3平行布置,内导体二4直接与内导体三6垂直螺纹连接,且安装快捷方便。所述的绝缘子5采用四氟材料。采用四氟绝缘性能良好,且耐腐蚀、耐候。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种同轴耦合器,包括主传输线壳体(1)及其内部同轴设置的内导体一(3)、与主传输线壳体(1)的外周垂直连通的耦合输出壳体(2)及其内部同轴设置的内导体二(4),所述的主传输线壳体(1)的两端设置有连接器一(11),所述的耦合输出壳体(2)的端部设置有连接器二(21),其特征在于:还包括内导体三(6),所述的主传输线壳体(1)的内腔配合安装至少有两个绝缘子(5),所述的绝缘子(5)的中心开设有与导体一(3)配合的通孔一(51),所述的绝缘子(5)在通孔一(51)的旁侧还开设有通孔二(52),所述的内导体三(6)与通孔二(52)连接,所述的内导体二(4)与内导体三(6)垂直连接。

【技术特征摘要】
1.一种同轴耦合器,包括主传输线壳体(1)及其内部同轴设置的内导体一(3)、与主传输线壳体(1)的外周垂直连通的耦合输出壳体(2)及其内部同轴设置的内导体二(4),所述的主传输线壳体(1)的两端设置有连接器一(11),所述的耦合输出壳体(2)的端部设置有连接器二(21),其特征在于:还包括内导体三(6),所述的主传输线壳体(1)的内腔配合安装至少有两个绝缘子(5),所述的绝缘子(5)的中心开设有与导体一(3)配合的通孔一(51),所述的绝缘子(5)在通孔一(51)的旁侧还开设有通孔二(52),所述的内导体三(6)与通孔二(52)连接,所述的内导体二(4)与内导体三(6)垂直...

【专利技术属性】
技术研发人员:唐伟李嘉国
申请(专利权)人:合肥威科电子技术有限公司
类型:新型
国别省市:安徽,34

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