一种太阳能电池及一种太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池，包括硅基太阳能电池基板；位于硅基太阳能电池基板背光侧表面的氧化硅膜层；位于氧化硅膜层背向硅基太阳能电池基板一侧表面的氧化铝膜层；位于氧化铝膜层背向硅基太阳能电池基板一侧表面的氮化硅膜层；位于硅基太阳能电池基板背光侧表面的背面电极，以及位于硅基太阳能电池基板受光侧表面的正面电极。上述硅基太阳能电池基板的背光侧表面设置有“氧化硅‑氧化铝‑氮化硅”三层钝化结构，可以进一步减少硅基太阳能电池基板背面表面复合电流密度，通过减少太阳能电池内部电流消耗可以有效提高太阳能电池的转换效率。本发明专利技术还提供了一种太阳能电池的制备方法，所制备而成的太阳能电池同样具有上述有益效果。

A solar cell and a preparation method of solar cell

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及一种太阳能电池的制备方法
本专利技术涉及光伏
，特别是涉及一种太阳能电池及一种太阳能电池的制备方法。
技术介绍
随着光伏产业的发展与进步，太阳能电池的转换效率以及可靠性得到了极大的提高。对于晶硅太阳能电池来说，晶硅太阳能电池的表面复合对其转换效率的影响很大。在现阶段，为了减少晶硅太阳能电池背光侧表面，即太阳能电池背面表面复合电流密度，通常是先在晶硅太阳能电池背光侧表面设置氧化铝膜层，再在氧化铝膜层表面设置氮化硅膜层。此时在晶硅太阳能电池背光侧表面设置有“氧化铝-氮化硅”双层钝化结构以减少太阳能电池背面表面复合电流密度。但是在现有技术中，太阳能电池背面表面复合电流密度通常较大，通过“氧化铝-氮化硅”双层钝化结构通常无法将太阳能电池背面表面复合电流密度降低至30fA/cm2，使得太阳能电池的转换效率较低。所以如何提供一种具有较高转换效率的太阳能电池是本领域技术人员急需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种太阳能电池，具有较高的转换效率；本专利技术还提供了一种太阳能电池的制备方法，所制备而成的太阳能电池具有较高的转换效率。为解决上述技术问题，本专利技术提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：硅基太阳能电池基板；位于所述硅基太阳能电池基板背光侧表面的氧化硅膜层；位于所述氧化硅膜层背向所述硅基太阳能电池基板一侧表面的氧化铝膜层；位于所述氧化铝膜层背向所述硅基太阳能电池基板一侧表面的氮化硅膜层；位于所述硅基太阳能电池基板背光侧表面的背面电极，以及位于所述硅基太阳能电池基板受光侧表面的正面电极。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：硅基太阳能电池基板；位于所述硅基太阳能电池基板背光侧表面的氧化硅膜层；位于所述氧化硅膜层背向所述硅基太阳能电池基板一侧表面的氧化铝膜层；位于所述氧化铝膜层背向所述硅基太阳能电池基板一侧表面的氮化硅膜层；位于所述硅基太阳能电池基板背光侧表面的背面电极，以及位于所述硅基太阳能电池基板受光侧表面的正面电极。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述氧化硅膜层厚度的取值范围为2nm至3nm，包括端点值。3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述氧化铝膜层厚度的取值范围为2nm至4nm，包括端点值。4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述氮化硅膜层厚度的取值范围为70nm至120nm，包括端点值。5.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：在硅基太阳能电池基板背光侧表面沉积氧化硅膜层；在所述氧化硅膜层表面沉积氧化铝膜层；在所述氧化铝膜层表面沉积氮化硅膜层；在所述硅基太阳能电池基板背光侧表面设置背面电极，并在所述硅基太阳能电池基板受光侧表面设置正面电极，以制成所述太阳能电池。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在硅基太阳能电池基板背光侧表面沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏青竹，姚悦，赵保星，苗凤秀，胡党平，连维飞，倪志春，
申请(专利权)人：苏州腾晖光伏技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32