【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、显示面板和显示装置
本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
技术介绍
平面显示器(FlatPanelDisplay,FPD)己成为市场上的主流产品,平面显示器的种类也越来越多,如液晶显示器(LiquidCrystalDisplay,LCD)、有机发光二极管(OrganicLightEmittedDiode,OLED)显示器、等离子体显示面板(PlasmaDisplayPanel,PDP)及场发射显示器(FieldEmissionDisplay,FED)等。低温多晶硅技术(LowTemperaturePoly-silicon,LTPS)TFT-LCD具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率等优点,加上由于LTPS-TFTLCD的硅结晶排列较a-Si有次序,使得电子移动率相对高100倍以上,可以将外围驱动电路同时制作在玻璃基板上,达到系统整合的目标、节省空间及驱动IC的成本。同时由LTPS衍生的AMOLED凭据高画质、移动图像响应时间短、低功耗、宽视角及超轻薄等优点,也成为了未来显示技术的最好选择。随着智能手机、可穿戴 ...
【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括依次位于衬底基板一面的栅极、层间介质结构和源漏极层,其中,所述层间介质结构为包括有机层间介质层和无机层间介质层的叠层结构,所述有机层间介质层位于所述无机层间介质层的面向所述衬底基板的一面。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括依次位于衬底基板一面的栅极、层间介质结构和源漏极层,其中,所述层间介质结构为包括有机层间介质层和无机层间介质层的叠层结构,所述有机层间介质层位于所述无机层间介质层的面向所述衬底基板的一面。2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述有机层间介质层的厚度大于所述无机层间介质层的厚度。3.如权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,还包括位于所述衬底基板与所述栅极之间的栅极绝缘层,以及位于所述衬底基板与所述栅极绝缘层之间的有源层;所述栅极绝缘层具有开口朝向所述层间介质结构的第一凹槽结构,所述有机层间介质层填充所述第一凹槽结构,所述第一凹槽结构在所述衬底基板的正投影与所述有源层和所述栅极在所述衬底基板的正投影互不交叠。4.如权利要求3所述的阵列基板,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:田雪雁,李小龙,李良坚,屈财玉,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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