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一种石墨烯导电材料制造技术

技术编号:21836139 阅读:80 留言:0更新日期:2019-08-10 19:19
本发明专利技术提供了一种石墨烯导电材料,其包括有基材里层,以及多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜,所述多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜以单重石墨烯膜和单重隔离绝缘膜依次相互错落重叠/包覆排列的结构设置;在所述单重隔离绝缘膜上的任意部位设有至少一个导电桩位,所述导电桩位贯穿单重隔离绝缘膜,可供其上/外层的单重石墨烯膜灌注其内后连接其下/内层单重石墨烯膜。本发明专利技术构建的石墨烯导电材料,较之单层石墨烯膜结构的导电材料,具有更强的导电性,导电性能得到大大提高,同时,在单重隔离绝缘膜上设置的导电桩位结构,保障了单重石墨烯膜的导电性能。

A Graphene Conductive Material

【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯导电材料
本专利技术属于碳材料导电
,具体是涉及一种石墨烯导电材料。
技术介绍
石墨烯,属于纳米材料,目前被称为材料界的“黑金”,它集导电/导热性最好、最强韧、最薄等许多优异性能于一体,是目前材料界的研究热点。石墨烯的比表面积非常大,为2630m2/g,石墨烯的每个碳原子均为sp2杂化,并贡献剩余一个p轨道电子形成π键,π电子可以自由移动,赋予石墨烯优异的导电性。由于原子间作用力非常强,在常温下,即使周围碳原子发生碰撞,石墨烯中的电子受到的干扰也很小,电子在石墨烯中传输时不易发生散射,约为硅中电子迁移率的140倍,电子迁移在室温下可以达到15000cm2/(V·S),其电导率可达106s/m,而电阻率只约10-6Ω·cm,比铝、铜和银低很多,只有10~6Ω·cm左右,为世界上迄今为止电阻率最小的材料。因为石墨烯的电阻率极低,电子迁移的速率极快,柔韧性极强,因此被期待用于作为发展新一代更薄、导电速率更快,柔韧性更强的导电产品的核心材料。针对上述问题,我们提供了一种新的技术方案。
技术实现思路
针对现有技术中的上述技术问题,本专利技术提供了一种石墨烯导电材料。为了本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种石墨烯导电材料,其特征在于,其包括有基材里层,以及多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜;在基材里层的外/上层设有一重石墨烯膜,在所述石墨烯膜的外/上层设有一重隔离绝缘膜,在该重隔离绝缘膜的外/上层设有一重石墨烯膜,依此,所述多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜以单重石墨烯膜和单重隔离绝缘膜依次相互错落重叠/包覆排列的结构设置;在所述单重隔离绝缘膜上的任意部位设有至少一个导电桩位,所述导电桩位贯穿单重隔离绝缘膜,可供其上/外层的单重石墨烯膜灌注其内后连接其下/内层单重石墨烯膜。

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯导电材料,其特征在于,其包括有基材里层,以及多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜;在基材里层的外/上层设有一重石墨烯膜,在所述石墨烯膜的外/上层设有一重隔离绝缘膜,在该重隔离绝缘膜的外/上层设有一重石墨烯膜,依此,所述多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜以单重石墨烯膜和单重隔离绝缘膜依次相互错落重叠/包覆排列的结构设置;在所述单重隔离绝缘膜上的任意部位设有至少一个导电桩位,所述导电桩位贯穿单重隔离绝缘膜,可供其上/外层的单重石墨烯膜灌注其内后连接其下/内层单重石墨烯膜。2.根据权利要求1所述的一种石墨烯导电材料,其特征在于,所述基材里层为基材芯体,所述多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜以单重石墨烯膜和单重隔离绝缘膜依次相互错落包覆排列的结构设置;在所述单重隔离绝缘膜上的任意部位设有至少一个导电桩位,所述导电桩位贯穿单重隔离绝缘膜,可供其外层的单重石墨烯膜灌注其内后连接其内层单重石墨烯膜;在最外层的石墨烯膜/隔离绝缘膜外侧包覆有一外保护套。3.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员:王奉瑾戴雪青
申请(专利权)人:王奉瑾戴雪青
类型:发明
国别省市:广东,44

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