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一种石墨烯导电材料制造技术

技术编号:21836139 阅读:48 留言:0更新日期:2019-08-10 19:19
本发明专利技术提供了一种石墨烯导电材料,其包括有基材里层,以及多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜,所述多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜以单重石墨烯膜和单重隔离绝缘膜依次相互错落重叠/包覆排列的结构设置;在所述单重隔离绝缘膜上的任意部位设有至少一个导电桩位,所述导电桩位贯穿单重隔离绝缘膜,可供其上/外层的单重石墨烯膜灌注其内后连接其下/内层单重石墨烯膜。本发明专利技术构建的石墨烯导电材料,较之单层石墨烯膜结构的导电材料,具有更强的导电性,导电性能得到大大提高,同时,在单重隔离绝缘膜上设置的导电桩位结构,保障了单重石墨烯膜的导电性能。

A Graphene Conductive Material

【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯导电材料
本专利技术属于碳材料导电
,具体是涉及一种石墨烯导电材料。
技术介绍
石墨烯,属于纳米材料,目前被称为材料界的“黑金”,它集导电/导热性最好、最强韧、最薄等许多优异性能于一体,是目前材料界的研究热点。石墨烯的比表面积非常大,为2630m2/g,石墨烯的每个碳原子均为sp2杂化,并贡献剩余一个p轨道电子形成π键,π电子可以自由移动,赋予石墨烯优异的导电性。由于原子间作用力非常强,在常温下,即使周围碳原子发生碰撞,石墨烯中的电子受到的干扰也很小,电子在石墨烯中传输时不易发生散射,约为硅中电子迁移率的140倍,电子迁移在室温下可以达到15000cm2/(V·S),其电导率可达106s/m,而电阻率只约10-6Ω·cm,比铝、铜和银低很多,只有10~6Ω·cm左右,为世界上迄今为止电阻率最小的材料。因为石墨烯的电阻率极低,电子迁移的速率极快,柔韧性极强,因此被期待用于作为发展新一代更薄、导电速率更快,柔韧性更强的导电产品的核心材料。针对上述问题,我们提供了一种新的技术方案。
技术实现思路
针对现有技术中的上述技术问题,本专利技术提供了一种石墨烯导电材料。为了解决上述存在的技术问题,本专利技术采用下述技术方案:一种石墨烯导电材料,其包括有基材里层,以及多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜;在基材里层的外/上层设有一重石墨烯膜,在所述石墨烯膜的外/上层设有一重隔离绝缘膜,在该重隔离绝缘膜的外/上层设有一重石墨烯膜,依此,所述多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜以单重石墨烯膜和单重隔离绝缘膜依次相互错落重叠/包覆排列的结构设置;在所述单重隔离绝缘膜上的任意部位设有至少一个导电桩位,所述导电桩位贯穿单重隔离绝缘膜,可供其上/外层的单重石墨烯膜灌注其内后连接其下/内层单重石墨烯膜。在进一步的改进方案中,所述基材里层为基材芯体,所述多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜以单重石墨烯膜和单重隔离绝缘膜依次相互错落包覆排列的结构设置;在所述单重隔离绝缘膜上的任意部位设有至少一个导电桩位,所述导电桩位贯穿单重隔离绝缘膜,可供其外层的单重石墨烯膜灌注其内后连接其内层单重石墨烯膜;在最外层的石墨烯膜/隔离绝缘膜外侧包覆有一外保护套。在进一步的改进方案中,所述基材里层为基材底板,所述多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜以单重石墨烯膜和单重隔离绝缘膜依次相互错落重叠排列的结构设置;在所述单重隔离绝缘膜上的任意部位设有至少一个导电桩位,所述导电桩位贯穿单重隔离绝缘膜,可供其外层的单重石墨烯膜灌注其内后连接其内层单重石墨烯膜;在最上层的石墨烯膜/隔离绝缘膜上侧设有一外保护套。在进一步的改进方案中,所述基材芯体为可导电结构或非导电结构。在进一步的改进方案中,所述基材底板为铜箔。在进一步的改进方案中,所述导电桩位为桩孔。在进一步的改进方案中,所述单重石墨烯膜的厚度少于五层石墨烯层的厚度。在进一步的改进方案中,所述隔离绝缘膜为有机高分子材料结构。在进一步的改进方案中,所述隔离绝缘膜为无机高分子材料结构。与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:本专利技术在基材里层外/上层设置多重石墨烯膜,并在内、外或上、下相邻的两重石墨烯膜之间设置隔离绝缘膜实现两重石墨烯膜的层间分隔,以使得构建的石墨烯导电材料,较之单层石墨烯膜结构的导电材料,具有更强的导电性,导电性能得到大大提高,同时,为了防止某一层或多层的单重石墨烯膜断裂而造成无法导电,在本专利技术中,还在单重隔离绝缘膜上创造性地设计了导电桩位结构,以使上/外层的单重石墨烯膜灌注其内后连接下/内层单重石墨烯膜,将相隔离的两层单重石墨烯膜短路连接,保障其导电性能。下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步的详细描述:【附图说明】图1为本专利技术实施例一的结构示意图;图2为本专利技术实施例二的结构示意图;图3为本专利技术中石墨烯膜和隔离绝缘膜之间的结构示意图。【具体实施方式】下面详细描述本专利技术的实施例,所述的实施例示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。附图所显示的方位不能理解为限制本专利技术的具体保护范围,仅供较佳实施例的参考理解,可以图中所示的产品部件进行位置的变化或数量增加或结构简化。说明书中所述的“连接”及附图中所示出的部件相互“连接”关系,可以理解为固定地连接或可拆卸连接或形成一体的连接;可以是直接直接相连或通过中间媒介相连,本领域普通技术人员可以根据具体情况理解连接关系而可以得出螺接或铆接或焊接或卡接或嵌接等方式以适宜的方式进行不同实施方式替用。说明书中所述的上、下、左、右、顶、底等方位词及附图中所示出方位,各部件可直接接触或通过它们之间的另外特征接触;如在上方可以为正上方和斜上方,或它仅表示高于其他物;其他方位也可作类推理解。说明书及附图中所表示出的具有实体形状部件的制作材料,可以采用金属材料或非金属材料或其他合成材料;凡涉及具有实体形状的部件所采用的机械加工工艺可以是冲压、锻压、铸造、线切割、激光切割、铸造、注塑、数铣、三维打印、机加工等等;本领域普通技术人员可以根据不同的加工条件、成本、精度进行适应性地选用或组合选用,但不限于上述材料和制作工艺。一种石墨烯导电材料,如图1、2、3所示,其包括有基材里层,以及多重石墨烯膜30和多重隔离绝缘膜40,所述单重石墨烯膜30的厚度少于五层石墨烯层的厚度,所述隔离绝缘膜40为有机高分子材料结构或无机高分子材料结构;在基材里层的外/上层设有一重石墨烯膜30,在所述石墨烯膜30的外/上层设有一重隔离绝缘膜40,在该重隔离绝缘膜40的外/上层设有一重石墨烯膜30,依此,所述多重石墨烯膜30和多重隔离绝缘膜40以单重石墨烯膜30和单重隔离绝缘40层依次相互错落重叠/包覆排列的结构设置;在所述单重隔离绝缘膜40上的任意部位设有至少一个导电桩位50,所述导电桩位50为桩孔,所述导电桩位50贯穿单重隔离绝缘膜40,可供其上/外层的单重石墨烯膜30灌注其内后连接其下/内层单重石墨烯膜30。在如图1所示的实施例一中,所述基材里层为基材芯体10,所述基材芯体10为可导电结构或非导电结构,所述多重石墨烯膜30和多重隔离绝缘膜40以单重石墨烯膜30和单重隔离绝缘膜40依次相互错落包覆排列的结构设置;在所述单重隔离绝缘膜40上的任意部位设有至少一个导电桩位50,所述导电桩位50贯穿单重隔离绝缘膜40,可供其外层的单重石墨烯膜30灌注其内后连接其内层单重石墨烯膜30;在最外层的石墨烯膜30/隔离绝缘膜40外侧包覆有一外保护套60。在如图2所示的实施例二中,所述基材里层为基材底板20,所述基材底板20为铜箔,所述多重石墨烯膜30和多重隔离绝缘膜40以单重石墨烯膜30和单重隔离绝缘膜40依次相互错落重叠排列的结构设置;在所述单重隔离绝缘膜40上的任意部位设有至少一个导电桩位50,所述导电桩位50贯穿单重隔离绝缘膜40,可供其外层的单重石墨烯膜30灌注其内后连接其内层单重石墨烯膜30。本专利技术在基材里层外/上层设置多重石墨烯膜30,并在内、外或上、下相邻的两重石墨烯膜30之间设置隔离绝缘膜40实现两重石墨烯膜30的层间分隔,以使得构建的石墨烯导电材料,较之单层石墨烯膜材料的导电材料,具有更强的导电性,导电性能得到大大提高,同时,为了防止某一层或多层的单重石墨烯膜3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种石墨烯导电材料,其特征在于,其包括有基材里层,以及多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜;在基材里层的外/上层设有一重石墨烯膜,在所述石墨烯膜的外/上层设有一重隔离绝缘膜,在该重隔离绝缘膜的外/上层设有一重石墨烯膜,依此,所述多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜以单重石墨烯膜和单重隔离绝缘膜依次相互错落重叠/包覆排列的结构设置;在所述单重隔离绝缘膜上的任意部位设有至少一个导电桩位,所述导电桩位贯穿单重隔离绝缘膜,可供其上/外层的单重石墨烯膜灌注其内后连接其下/内层单重石墨烯膜。

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯导电材料,其特征在于,其包括有基材里层,以及多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜;在基材里层的外/上层设有一重石墨烯膜,在所述石墨烯膜的外/上层设有一重隔离绝缘膜,在该重隔离绝缘膜的外/上层设有一重石墨烯膜,依此,所述多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜以单重石墨烯膜和单重隔离绝缘膜依次相互错落重叠/包覆排列的结构设置;在所述单重隔离绝缘膜上的任意部位设有至少一个导电桩位,所述导电桩位贯穿单重隔离绝缘膜,可供其上/外层的单重石墨烯膜灌注其内后连接其下/内层单重石墨烯膜。2.根据权利要求1所述的一种石墨烯导电材料,其特征在于,所述基材里层为基材芯体,所述多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜以单重石墨烯膜和单重隔离绝缘膜依次相互错落包覆排列的结构设置;在所述单重隔离绝缘膜上的任意部位设有至少一个导电桩位,所述导电桩位贯穿单重隔离绝缘膜,可供其外层的单重石墨烯膜灌注其内后连接其内层单重石墨烯膜;在最外层的石墨烯膜/隔离绝缘膜外侧包覆有一外保护套。3.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员:王奉瑾戴雪青
申请(专利权)人:王奉瑾戴雪青
类型:发明
国别省市:广东,44

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