一种宽带宽的抗反射膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种宽带宽的抗反射膜的制备方法，包括如下步骤：S1.提供基片；S2.在所述基片上采用A靶和B靶对靶磁控溅射沉积混合物膜层，在沉积混合物膜层的过程中，使所述A靶的功率逐渐减小，同时使B靶的功率逐渐增大。本发明专利技术中，在基片上采用A靶和B靶对靶磁控溅射沉积混合物膜层，在沉积混合物膜层的过程中，使所述A靶的功率逐渐减小，同时使B靶的功率逐渐增大，形成的混合物膜层的折射率沿着膜厚方向逐渐变化，改善了不同介质层之间的界面缺陷，制得的抗反射膜的减反射性能和减反射带宽达到最优，并且反射率小于2％的带宽可达200nm‑1200nm，扩展了低反射率带宽，降低了光强变化对视力的伤害。

A wide-band and wide-band antireflective film and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种宽带宽的抗反射膜及其制备方法
本专利技术涉及了抗反射膜
，特别是涉及了一种宽带宽的抗反射膜及其制备方法。
技术介绍
为了提升在强光下显示屏显示内容的可读性，通常会需要在显示屏的上表面增加抗反射膜，以降低显示屏幕表面的反射率，对于户外产品就特别需要在表面增加抗反射膜。传统的抗反射膜由若干层低折射率材料层与高折射率材料层交替叠加构成，通过光学仿真模拟软件进行膜层的设计。这种传统的抗反射膜只能实现带宽较窄的可见光（380-780nm）的低反射性，要实现宽带宽的低反射，很难实现，例如要实现200nm-2000nm之间的低反射率，传统方式制作的抗反射膜无法做到。
技术实现思路
为了弥补已有技术的缺陷，本专利技术提供一种宽带宽的抗反射膜及其制备方法。本专利技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：一种宽带宽的抗反射膜的制备方法，包括如下步骤：S1.提供基片；S2.在所述基片上采用A靶和B靶对靶磁控溅射沉积混合物膜层，在沉积混合物膜层的过程中，使所述A靶的功率逐渐减小，同时使B靶的功率逐渐增大。进一步地，所述混合物膜层包括混合掺杂在一起的成分A和成分B，所述成分A和成分B的折射率不同；沿所述基片向所述混合物膜层的厚度方向，所述混合物膜层中A成分的含量逐渐减少，B成分的含量逐渐增加。进一步地，所述成分A和成分B的折射率之差在0.2以上。进一步地，在所述基片上采用A、B靶共同磁控溅射沉积混合物膜层的具体操作为：（1）将基片置于安装有A靶和B靶的对靶磁控溅射机的溅射室内，其中，所述A靶和B靶对靶放置，对溅射室抽真空；（2）向溅射室内通入工作气体；（3）同时开启磁控溅射A靶和B靶，按照一定的衰减速率逐渐减小A靶的功率，并按照一定的提升速率逐渐增大B靶的功率，在所述基片上形成A含量逐渐减小、B含量逐渐增加的混合物膜层。进一步地，所述A靶为氧化硅靶，所述B靶为氟化镁靶；沿所述基片向所述混合物膜层的厚度方向，所述混合物膜层中A成分氧化硅的含量由98%逐渐减少至2%，B成分氟化镁的含量由2%逐渐增加至98%。进一步地，所述基片为光学玻璃、金属基底或聚合物材料基底。进一步地，还包括对所述基片进行预处理，所述预处理包括超声清洗、辉光清洗和离子刻蚀清洗中的一种或多种。本专利技术还提供一种宽带宽的抗反射膜，由上述制备方法制备而成。本专利技术具有如下有益效果：本专利技术中，在基片上采用A靶和B靶对靶磁控溅射沉积混合物膜层，在沉积混合物膜层的过程中，使所述A靶的功率逐渐减小，同时使B靶的功率逐渐增大，形成的混合物膜层的折射率沿着膜厚方向逐渐变化，改善了不同介质层之间的界面缺陷，制得的抗反射膜的减反射性能和减反射带宽达到最优，并且反射率小于2％的带宽可达200nm-1200nm，扩展了低反射率带宽，降低了光强变化对视力的伤害。采用该抗反射膜的视屏产品，能消除外界光源干扰产生的镜像倒影，显示画面更清晰。磁控溅射法具有镀膜附着力强、基片温度低、薄膜致密性能好、淀积速率快且能有效防止杂质污染等优点，已经得到了广泛的运用。具体实施方式一种宽带宽的抗反射膜的制备方法，包括如下步骤：S1.提供基片；所述基片为可以光学玻璃、金属基底或聚合物材料基底，但不局限于此。S2.在所述基片上采用A靶和B靶对靶磁控溅射沉积混合物膜层，在沉积混合物膜层的过程中，使所述A靶的功率逐渐减小，同时使B靶的功率逐渐增大；所述混合物膜层包括混合掺杂在一起的成分A和成分B，所述成分A和成分B的折射率不同；沿所述基片向所述混合物膜层的厚度方向，所述混合物膜层中A成分的含量逐渐减少，B成分的含量逐渐增加。其中，在所述基片上采用A、B靶共同磁控溅射沉积混合物膜层的具体操作为：（1）将基片置于安装有A靶和B靶的对靶磁控溅射机的溅射室内，其中，所述A靶和B靶对靶放置，对溅射室抽真空，使其满足磁控溅射的需求；（2）向溅射室内通入工作气体；（3）同时开启磁控溅射A靶和B靶，按照一定的衰减速率逐渐减小A靶的功率，并按照一定的提升速率逐渐增大B靶的功率，在所述基片上形成A含量逐渐减小、B含量逐渐增加的混合物膜层。本专利技术中，优选地，所述衰减速率和提升速率相同。本专利技术对所述衰减速率和提升速率的具体数值不作具体限定，本领域技术人员可以根据实际需要进行设定。本专利技术中，可以理解，化合物膜层中的成分A是以A作为靶材沉积而来，化合物膜层中的成分B是以B作为靶材沉积而来。本专利技术中，并不具体限定A和B的具体种类，可以采用传统抗反射膜中常规使用的各种高折射率材料和低折射率材料，只要使得A和B的折射率不同即可。作为举例，可以为硫的化合物、钛的氧化物或、冰晶石、氟化镁或二氧化硅。优选地，所述成分A和成分B的折射率之差在0.2以上。优选地，所述A靶为氧化硅靶，所述B靶为氟化镁靶；在沉积混合物膜层的过程中，使所述氧化硅靶的功率逐渐减小，同时使氟化镁靶的功率逐渐增大。靶材的功率高时膜层的沉积速率快，靶材的功率低时膜层的沉积速率小。因此，从一开始至沉积结束的过程中，首先是氧化硅占比很高的混合物膜层，例如氧化硅的占比是98%，氟化镁的占比是2%，沉积到基片表面，随着时间的推移，混合物膜层中氧化硅的占比在逐渐的降低，氟化镁的占比在逐渐的升高，最终面向空气的膜层中，氧化硅的占比为2%，氟化镁的占比为98%。氧化硅的折射率为1.51，氟化镁的折射率为1.31，因此，整个混合物膜层的折射率由高至低逐步渐变，这种折射率逐步渐变的膜层可以实现宽带宽的低反射率。本专利技术中，所述混合物膜层包括混合掺杂在一起的成分A和成分B，随着与所述基片距离的增大，成分A的含量逐渐减少，成分B的含量逐渐增加，且成分A和成分B的折射率不同，由此，沿所述基片向所述混合物膜层的厚度方向，所述混合物膜层的折射率渐变，采用这种方式在基片上沉积混合物膜层，解决了现有抗反射膜带宽窄的技术问题。本专利技术中，对于对靶磁控溅射的具体工艺参数，例如真空度、工作气体流量、工作压强、溅射功率、溅射时间等均不作具体限定，本领域技术人员可以根据实际需要进行设定。在进行磁控溅射前，优选先对基片进行预处理，去除基片表面油污和灰尘后，再置于溅射室内。所述预处理包括超声清洗、辉光清洗和离子刻蚀清洗中的一种或多种。下面结合实施例对本专利技术进行详细的说明，实施例仅是本专利技术的优选实施方式，不是对本专利技术的限定。实施例1一种宽带宽的抗反射膜的制备方法，包括如下步骤：S1.提供基片，所述基片为光学玻璃、金属基底或聚合物材料基底；对所述基片进行预处理，所述预处理包括超声清洗、辉光清洗和离子刻蚀清洗中的一种或多种；S2.在所述基片上采用氧化硅靶和氟化镁靶对靶磁控溅射沉积混合物膜层，具体为：（1）将基片置于安装有氧化硅靶和氟化镁靶的对靶磁控溅射机的溅射室内，其中，所述氧化硅靶和氟化镁靶对靶放置，对溅射室抽真空，使其满足磁控溅射的需求；（2）向溅射室内通入工作气体；（3）同时开启磁控溅射氧化硅靶和氟化镁靶，按照一定的衰减速率逐渐减小氧化硅靶的功率，并按照一定的提升速率逐渐增大氟化镁靶的功率，在所述基片上形成混合物膜层；所述混合物膜层包括混合掺杂在一起的成分A氧化硅和成分B氟化镁，所述成分A氧化硅和成分B氟化镁的折射率不同；沿所述基片向所述混合物膜层的厚度方向，所述混合物膜层中A成分氧化硅的含量由98%逐渐减少至2%，B成分氟化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种宽带宽的抗反射膜的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：S1.提供基片；S2.在所述基片上采用A靶和B靶对靶磁控溅射沉积混合物膜层，在沉积混合物膜层的过程中，使所述A靶的功率逐渐减小，同时使B靶的功率逐渐增大。

【技术特征摘要】
1.一种宽带宽的抗反射膜的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：S1.提供基片；S2.在所述基片上采用A靶和B靶对靶磁控溅射沉积混合物膜层，在沉积混合物膜层的过程中，使所述A靶的功率逐渐减小，同时使B靶的功率逐渐增大。2.如权利要求1所述的宽带宽的抗反射膜的制备方法，其特征在于，所述混合物膜层包括混合掺杂在一起的成分A和成分B，所述成分A和成分B的折射率不同；沿所述基片向所述混合物膜层的厚度方向，所述混合物膜层中A成分的含量逐渐减少，B成分的含量逐渐增加。3.如权利要求2所述的宽带宽的抗反射膜的制备方法，其特征在于，所述成分A和成分B的折射率之差在0.2以上。4.如权利要求1所述的宽带宽的抗反射膜的制备方法，其特征在于，在所述基片上采用A、B靶共同磁控溅射沉积混合物膜层的具体操作为：（1）将基片置于安装有A靶和B靶的对靶磁控溅射机的溅射室内，其中，所述A靶和B靶对靶放置，对溅...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴德生，李志成，
申请(专利权)人：信利光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44