【技术实现步骤摘要】
一种用于极低功耗电源转换器的模式控制电路
本专利技术涉及一种控制电路，具体涉及一种用于极低功耗电源转换器的模式控制电路，属于模拟电路
技术介绍
为追求高能量转换效率，开关电容电源转换器成为实现IO电压向内核电压转换的重要结构之一。与传统的静态线性稳压器不同的是，上述电源需要持续的时钟信号来维持运作，将3V左右的IO电压转换为1V附近的内核电压。时钟产生电路往往使用内核电压供电以达到最优能效。而在电源转换器启动瞬间，输出内核电压尚未建立，此时时钟电路将无法启动，会造成电源转换器锁死的情况。为克服此问题，电源转换器中通常内建时钟产生电路用于启动，当内核电压建立完毕后可以选择继续使用内建时钟或者使用低频常开振荡器时钟。此外，在上电伊始模式控制信号悬空，需要控制电路自行激活内建时钟源。在内核电压关闭后，需要电路自行由外部时钟模式切换至内建时钟模式。
技术实现思路
本专利技术正是针对现有技术中存在的问题，提供一种用于极低功耗电源转换器的模式控制电路，该技术方案用于开关电容电源转换器的时钟模式控制，开关电容电源转换器对控制电路有以下需求：在上电初始，需要先启动电源内建时...
【技术保护点】
1.一种用于极低功耗电源转换器的模式控制电路，其特征在于，所述控制电路包括第一P型金属氧化物晶体管PM1、第二P型金属氧化物晶体管PM2、第三P型金属氧化物晶体管PM3、第四P型金属氧化物晶体管PM4、第一N型金属氧化物晶体管NM1、第二N型金属氧化物晶体管NM2、第三N型金属氧化物晶体管NM3、第四N型金属氧化物晶体管NM4、第五N型金属氧化物晶体管NM5以及第六N型金属氧化物晶体管NM6，第一电容C1和第二电容，第一反相器I1和第二反相器I2，所述第一P型金属氧化物晶体管PM1的源极接电源电压，PM1的栅极接第一偏置电压VB1，PM1的漏极接所述跨阻放大器的输入端；第二...
【技术特征摘要】
1.一种用于极低功耗电源转换器的模式控制电路，其特征在于，所述控制电路包括第一P型金属氧化物晶体管PM1、第二P型金属氧化物晶体管PM2、第三P型金属氧化物晶体管PM3、第四P型金属氧化物晶体管PM4、第一N型金属氧化物晶体管NM1、第二N型金属氧化物晶体管NM2、第三N型金属氧化物晶体管NM3、第四N型金属氧化物晶体管NM4、第五N型金属氧化物晶体管NM5以及第六N型金属氧化物晶体管NM6，第一电容C1和第二电容，第一反相器I1和第二反相器I2，所述第一P型金属氧化物晶体管PM1的源极接电源电压，PM1的栅极接第一偏置电压VB1，PM1的漏极接所述跨阻放大器的输入端；第二PMOS管PM2的源极接所述跨阻放大器的输入端，PM2的栅极接第五PMOS管PM5的漏极，PM2的漏极接所述跨阻放大器的输出端；第五PMOS管PM5的源极接跨阻放大器的输入端，...
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