一种三银镀膜玻璃及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种三银镀膜玻璃及其制备方法，所述三银镀膜玻璃从一侧至另外一侧依次包括玻璃基板层、第一介质层、第一银层、第二介质层、第二银层、第三介质层、第三银层和第四介质层；所述第一介质层、所述第二介质层、所述第三介质层和所述第四介质层均为多层介质层，且分别选自Si3N4层、TiOx层、SnOy层、ZnOz层、ZnSnOa+b层和AZO层中的至少两种；其中0＜x≤2，0＜y≤2，0＜z≤1，0＜b≤2，0＜a≤1。本发明专利技术提供一种三银镀膜玻璃，其不仅具有良好的光学和热学性能，还具备外观美观和颜色偏差小的优点。

A Tri-silver Coated Glass and Its Preparation Method

【技术实现步骤摘要】
一种三银镀膜玻璃及其制备方法
本专利技术涉及玻璃材料领域，特别是涉及一种三银镀膜玻璃的制备方法。
技术介绍
低辐射镀膜玻璃是在玻璃上涂镀一层或多层金属、合金或金属化合物薄膜，以改变玻璃的光学性能，满足某种特定要求，比如降低热辐射率、降低热损耗等目的。随着建筑节能要求的提高，低辐射镀膜玻璃快速发展，其从最初的单银基低辐射玻璃，发展为双银基低辐射玻璃。低辐射玻璃一般是采用真空磁控溅射镀膜设备在玻璃表面镀上多层金属或其他化合物薄膜的产品。单银基低辐射玻璃只有1层金属银层，其结构为玻璃/介质层/阻挡层/银层/阻挡层/介质层；双银基低辐射玻璃有2层银层，其结构为玻璃/介质层/阻挡层/第1银层/阻挡层/介质层/阻挡层/第2银层/阻挡层/介质层。三银镀膜玻璃具有更低传热系数，但是由于膜层结构复杂、银层较多等因素，其颜色不易控制、透过率较低。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种三银镀膜玻璃及其制备方法，用于解决现有技术中的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术是通过包括以下技术方案获得的。本专利技术首先提供一种三银镀膜玻璃，所述三银镀膜玻璃从一侧至另外一侧依次包括玻璃基板层、第一介质层、第一银层、第二介质层、第二银层、第三介质层、第三银层和第四介质层；所述第一介质层、所述第二介质层、所述第三介质层和所述第四介质层均为多层介质层，且分别选自Si3N4层、TiOx层、SnOy层、ZnOz层、ZnSnOa+b层和AZO层中的至少两种；其中，0＜x≤2，0＜y≤2，0＜z≤1，0＜b≤2，0＜a≤1。本申请中所述的AZO是铝掺杂的氧化锌。优选地，所述玻璃基板层中玻璃为浮法玻璃。优选地，所述第一介质层由一侧至另一侧依次包括Si3N4层、TiOx层和ZnOz层；或所述第一介质层由一侧至另一侧依次包括Si3N4层和AZO层。优选地，所述第二介质层由一侧至另一侧依次包括AZO层、Si3N4层和ZnOz层；或所述第二介质层由一侧至另一侧依次包括AZO层、Si3N4层和AZO层。优选地，所述第三介质层由一侧至另一侧依次包括AZO层、Si3N4层和ZnOz层；或所述第三介质层由一侧至另一侧依次包括AZO层、Si3N4层和AZO层。优选地，所述第四介质层由一侧至另一侧依次包括AZO层、ZnSnOa+b层和Si3N4层；或所述第四介质层由一侧至另一侧依次包括AZO层和Si3N4层。优选地，所述玻璃基板层的厚度为5mm～12mm。优选地，第一介质层的厚度为10nm～50nm。优选地，第一银层的厚度为5nm～15nm。优选地，第二介质层的厚度为50nm～120nm。优选地，第二银层的厚度为5nm～15nm。优选地，第三介质层的厚度为20nm～100nm。优选地，第三银层的厚度为10nm～20nm。优选地，第四介质层的厚度为20nm～80nm。优选地，所述Si3N4层的厚度为5nm～85nm。优选地，所述TiOx层的厚度为5nm～15nm。优选地，所述SnOy层的厚度为5nm～15nm。优选地，所述ZnOz层的厚度为5nm～15nm。优选地，所述ZnaSnbOa+b层的厚度为5nm～15nm。优选地，所述AZO层的厚度为5nm～15nm。优选地，所述三银镀膜玻璃的光透过率超过70％。优选地，所述三银镀膜玻璃的辐射率小于0.03。一种制备如上述所述三银镀膜玻璃的方法，采用真空磁控溅射镀膜工艺在玻璃基板上依次镀膜获得。优选地，真空磁控溅射镀膜工艺中采用的溅射气体为氩气。更优选地，氩气的流速为400～1000sccm。优选地，在采用真空磁控溅射镀膜工艺制备Si3N4层时，包括如下特征中的一种或多种：阴极靶材为硅铝合金；反应气体为氮气；氮气的流速为500～1000sccm。优选地，在采用真空磁控溅射镀膜工艺制备AZO层时，包括如下特征中的一种或多种：阴极靶材为AZO；反应气体为氧气；氧气的流速为50～200sccm。优选地，在采用真空磁控溅射镀膜工艺制备第一银层、第二银层、第三银层和第四银层时，阴极靶材为Ag。优选地，在采用真空磁控溅射镀膜工艺制备TiOx层时，包括如下特征中的一种或多种：阴极靶材为二氧化钛；反应气体为氧气；氧气的流速为50～200sccm。优选地，在采用真空磁控溅射镀膜工艺制备ZnOz层时，包括如下特征中的一种或多种：阴极靶材为锌铝合金；反应气体为氧气；氧气的流速为500～1000sccm。优选地，在采用真空磁控溅射镀膜工艺制ZnSnOa+b层时，包括如下特征中的一种或多种：阴极靶材为锌锡合金；反应气体为氧气；氧气的流速为50～200sccm。本专利技术还公开了如上述所述的三银镀膜玻璃用作建筑材料的用途。本专利技术中上述技术方案具有以下有益效果：本专利技术提供一种三银镀膜玻璃，其具有较高的光透过率，并且低辐射，还具备外观美观和颜色偏差小的优点。附图说明图1显示为本专利技术的三银镀膜玻璃的结构示意图。图1中元件标号说明具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。在进一步描述本专利技术具体实施方式之前，应理解，本专利技术的保护范围不局限于下述特定的具体实施方案；还应当理解，本专利技术实施例中使用的术语是为了描述特定的具体实施方案，而不是为了限制本专利技术的保护范围。下列实施例中未注明具体条件的试验方法，通常按照常规条件，或者按照各制造商所建议的条件。当实施例给出数值范围时，应理解，除非本专利技术另有说明，每个数值范围的两个端点以及两个端点之间任何一个数值均可选用。除非另外定义，本专利技术中使用的所有技术和科学术语与本
技术人员通常理解的意义相同。除实施例中使用的具体方法、设备、材料外，根据本
的技术人员对现有技术的掌握及本专利技术的记载，还可以使用与本专利技术实施例中所述的方法、设备、材料相似或等同的现有技术的任何方法、设备和材料来实现本专利技术。实施例1如图1所示，本实施例中公开了一种三银镀膜玻璃，所述三银镀膜玻璃从一侧至另外一侧依次包括玻璃基板层1、第一介质层21、第一银层31、第二介质层22、第二银层32、第三介质层23、第三银层33和第四介质层24；所述第一介质层21、所述第二介质层22、所述第三介质层23和所述第四介质层24均为多层介质层，且分别选自Si3N4层、TiOx层、SnOy层、ZnOz层、ZnSnOa+b层和AZO层中的至少两种；在本申请一个具体的实施例中，所述玻璃基板层中玻璃为浮法玻璃。玻璃基板的厚度为5～12mm。在本申请一个具体的实施例中，所述玻璃基板层的厚度为6mm。实施例2本实施例的多层介质层21、22、23、24分别选择Si3N4+TiOx+ZnOz、AZO+Si3N4+ZnOz、AZO+Si3N4+ZnOz、AZO+ZnSnOa+b+Si3N4。具体膜层结构为：基板/Si3N4/TiOx/ZnOz/Ag/AZO/Si3N4/ZnOz/Ag/AZO/Si3N4/ZnOz/Ag/AZO/ZnSnOa+b/Si3N4。本实施例中三镀银玻璃的生产工艺为：(1)玻璃基板清洗；(2)干燥后，进入缓冲室、传输室、磁控溅射区；(3)旋转阴极安装硅铝合金靶材，制备Si3N4介质层，溅射气体Ar为800sccm，反应气体N2为1000sccm，沉本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三银镀膜玻璃，其特征在于，所述三银镀膜玻璃从一侧至另外一侧依次包括玻璃基板层、第一介质层、第一银层、第二介质层、第二银层、第三介质层、第三银层和第四介质层；所述第一介质层、所述第二介质层、所述第三介质层和所述第四介质层均为多层介质层，且分别选自Si3N4层、TiOx层、SnOy层、ZnOz层、ZnSnOa+b层和AZO层中的至少两种；其中0＜x≤2，0＜y≤2，0＜z≤1，0＜b≤2，0＜a≤1。

【技术特征摘要】
1.一种三银镀膜玻璃，其特征在于，所述三银镀膜玻璃从一侧至另外一侧依次包括玻璃基板层、第一介质层、第一银层、第二介质层、第二银层、第三介质层、第三银层和第四介质层；所述第一介质层、所述第二介质层、所述第三介质层和所述第四介质层均为多层介质层，且分别选自Si3N4层、TiOx层、SnOy层、ZnOz层、ZnSnOa+b层和AZO层中的至少两种；其中0＜x≤2，0＜y≤2，0＜z≤1，0＜b≤2，0＜a≤1。2.根据权利要求1所述的三银镀膜玻璃，其特征在于，所述玻璃基板层中玻璃为浮法玻璃。3.根据权利要求1所述的三银镀膜玻璃，其特征在于，所述第一介质层由一侧至另一侧依次包括Si3N4层、TiOx层和ZnOz层；或所述第一介质层由一侧至另一侧依次包括Si3N4层和AZO层。4.根据权利要求1所述的三银镀膜玻璃，其特征在于，所述第二介质层由一侧至另一侧依次包括AZO层、Si3N4层和ZnOz层；或所述第二介质层由一侧至另一侧依次包括AZO层、Si3N4层和AZO层。5.根据权利要求1所述的三银镀膜玻璃，其特征在于，所述第三介质层由一侧至另一侧依次包括AZO层、Si3N4层和ZnOz层；或所述第三介质层由一侧至另一侧依次包括AZO层、Si3N4层和AZO层。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭寿，邢宝山，井治，张超群，王程，葛治亮，
申请(专利权)人：中国建材国际工程集团有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31