【技术实现步骤摘要】
一种陷光增效结构及其制备方法和一种太阳能电池及其制备方法
本专利技术涉及太阳能电池
,特别涉及一种陷光增效结构及其制备方法和一种太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
随着全球人口数量的增长以及经济的发展,人类对能源的需求也越来越大。化石燃料的燃烧不仅严重污染环境,且资源有限,因此,我们急需找到一种可再生的绿色能源。太阳能有着清洁、丰富的特点,逐渐吸引了人们的眼球。在我国,太阳能资源开发和利用的潜力非常广阔。资料显示,到2020年,我国将力争使太阳能发电装机容量达到1.8GW(百万千瓦);到2030年,我国太阳能装机容量的复合增长率将高达25%以上。目前,高成本和低效率仍是太阳能电池亟待解决的两大问题,其解决方案在于如何降低成本和提高效率。在光伏产业,硅太阳能电池仍然占主要地位。质量更轻、灵活性更强、整合难度更小、制备过程更廉价的硅薄膜太阳能电池获得更多青睐。与此同时,薄膜电池不可避免地带来了对入射光的不完全吸收。一般来讲,商业的SiNx减反膜和微米尺度的随机金字塔结构(厚度一般为5~20微米)相结合,可使光伏电池达到较好的抗反射效果。但制备这种微米级金字塔结构 ...
【技术保护点】
1.一种陷光增效结构,其特征在于,包括顺排碳纳米管膜和附着在顺排碳纳米管膜单侧表面或双侧表面的增效膜;所述增效膜为二氧化钛膜或银膜。
【技术特征摘要】
1.一种陷光增效结构,其特征在于,包括顺排碳纳米管膜和附着在顺排碳纳米管膜单侧表面或双侧表面的增效膜;所述增效膜为二氧化钛膜或银膜。2.根据权利要求1所述的陷光增效结构,其特征在于,所述顺排碳纳米管膜的厚度为50~300nm;所述顺排碳纳米管膜中碳纳米管的内径为30~50nm,壁厚为10~20nm。3.根据权利要求1所述的陷光增效结构,其特征在于,所述增效膜的厚度为30~100nm。4.权利要求1~3任意一项所述陷光增效结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:通过磁控溅射在顺排碳纳米管膜的单侧表面或双侧表面镀制增效膜。5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述磁控溅射的溅射速率为真空度低于10-5Pa。6.根据权利要求4或5所述的制备方法,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:王海燕,杜大学,李明洁,王凤彦,徐朝鹏,
申请(专利权)人:燕山大学,
类型:发明
国别省市:河北,13
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