记忆装置中进行写入管理的方法、记忆装置和其控制器制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用来于一记忆装置中进行写入管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器。所述方法可包括：将偶页数据中的第一局部数据写入至非挥发性存储器；传送不带有确认指令的第一组指令至非挥发性存储器，以将所述第一局部数据以及所述偶页数据中的第二局部数据写入它的内部缓冲器；传送第二组指令与确认指令至非挥发性存储器，以将第一局部数据与第二局部数据写入至它的一区块；将奇页数据中的第三局部数据写入至非挥发性存储器；以及将第一与第二局部数据写入至非挥发性存储器的另一区块的偶页，且将第三与第四局部数据写入至此区块的奇页。本发明专利技术能针对控制器的运作进行妥善的控制，以突破采用较新技术制造闪存时的瓶颈。

Method, Memory Device and Controller of Writing Management in Memory Device

【技术实现步骤摘要】
记忆装置中进行写入管理的方法、记忆装置和其控制器
本专利技术涉及闪存(Flashmemory)的存取(access)，尤其涉及一种用来于一记忆装置中进行写入管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器。
技术介绍
近年来由于存储器的技术不断地发展，各种可携式或非可携式记忆装置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、XD或UFS标准的记忆卡；又例如：固态硬盘；又例如：符合UFS或EMMC规格的嵌入式(embedded)存储装置)被广泛地实施于诸多应用中。因此，这些记忆装置中的存储器的存取控制遂成为相当热门的议题。以常用的NAND型闪存而言，其主要可区分为单阶细胞(singlelevelcell,SLC)与多阶细胞(multiplelevelcell,MLC)两大类的闪存。单阶细胞闪存中的每个被当作记忆细胞(memorycell)的晶体管只有两种电荷值，分别用来表示逻辑值0与逻辑值1。另外，多阶细胞闪存中的每个被当作记忆单元的晶体管的存储能力则被充分利用，是采用较高的电压来驱动，以通过不同级别的电压在一个晶体管中记录至少两组位信息(诸如00、01、11、10)；理论上，多阶细胞闪存的记录密度可以达到单阶细胞闪存的记录密度的至少两倍，这对于曾经在发展过程中遇到瓶颈的NAND型闪存的相关产业而言，是非常好的消息。相较于单阶细胞闪存，由于多阶细胞闪存的价格较便宜，并且在有限的空间里可提供较大的容量，故多阶细胞闪存很快地成为市面上的记忆装置竞相采用的主流。然而，多阶细胞闪存的不稳定性所导致的问题也一一浮现。为了确保记忆装置对闪存的存取控制能符合相关规范，闪存的控制器通常备有某些管理机制以妥善地管理数据的存取。依据现有技术，有了这些管理机制的记忆装置还是有不足之处。举例来说，在采用较新的技术制造闪存的状况下，某些设计理念可导致记忆装置的缓冲器大小的需求变为原来的两倍，就有预算控制以及产品效能之间的权衡(trade-off)，其可视为于采用较新的技术制造闪存时的瓶颈。因此，需要一种新颖的方法及相关架构，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下提升记忆装置的效能。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于公开一种用来于一记忆装置中进行写入管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器，以解决上述问题。本专利技术的另一目的在于公开一种用来于一记忆装置中进行写入管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器，以在没有副作用或较不可能带来副作用的状况下达到记忆装置的优化(optimal)效能。本专利技术的至少一实施例公开一种用来于一记忆装置中进行写入管理的方法，其中所述记忆装置包括一非挥发性存储器(non-volatilememory,NVmemory)，所述非挥发性存储器包括一或多个非挥发性存储器组件(NVmemoryelement)，所述一或多个非挥发性存储器组件中的任一者包括多个区块(block)，且所述多个区块中的任一者包括多页。所述方法包括有：从一主装置(hostdevice)接收一系列数据，以从所述系列数据取出偶页数据与奇页数据；将所述偶页数据中的第一局部(partial)数据写入至所述非挥发性存储器；传送不带有一确认指令的一第一组指令至所述非挥发性存储器，以将所述第一局部数据以及所述偶页数据中的第二局部数据写入所述非挥发性存储器中的一内部缓冲器(internalbuffer)，其中所述确认指令是用来触发所述非挥发性存储器执行至少一指令以对所述非挥发性存储器中的至少一非挥发性存储器组件进行编程(programming)运作；传送一第二组指令与所述确认指令至所述非挥发性存储器，以将所述第一局部数据与所述第二局部数据写入至所述非挥发性存储器中的一区块，其中所述至少一指令包括所述第二组指令，且所述确认指令触发所述非挥发性存储器执行所述第二组指令；将所述奇页数据中的第三局部数据写入至所述非挥发性存储器；以及将所述第一局部数据与所述第二局部数据写入至所述非挥发性存储器中的另一区块的一偶页，且将所述第三局部数据与所述奇页数据中的第四局部数据写入至所述另一区块的一奇页。本专利技术的至少一实施例公开一种记忆装置，其可包括：一非挥发性存储器，用来存储信息，其中所述非挥发性存储器包括一或多个非挥发性存储器组件，所述一或多个非挥发性存储器组件中的任一者包括多个区块，且所述多个区块中的任一者包括多页；以及一控制器，耦接至所述非挥发性存储器，用来控制所述记忆装置的运作。所述控制器可包括一处理电路，而所述处理电路可依据来自一主装置的多个主装置指令控制所述控制器，以容许所述主装置通过所述控制器存取(access)所述非挥发性存储器。例如：所述控制器从所述主装置接收一系列数据，以从所述系列数据取出偶页数据与奇页数据；所述控制器将所述偶页数据中的第一局部数据写入至所述非挥发性存储器；所述控制器传送不带有一确认指令的一第一组指令至所述非挥发性存储器，以将所述第一局部数据以及所述偶页数据中的第二局部数据写入所述非挥发性存储器中的一内部缓冲器，其中所述确认指令是用来触发所述非挥发性存储器执行至少一指令以对所述非挥发性存储器中的至少一非挥发性存储器组件进行编程运作；所述控制器传送一第二组指令与所述确认指令至所述非挥发性存储器，以将所述第一局部数据与所述第二局部数据写入至所述非挥发性存储器中的一区块，其中所述至少一指令包括所述第二组指令，且所述确认指令触发所述非挥发性存储器执行所述第二组指令；所述控制器将所述奇页数据中的第三局部数据写入至所述非挥发性存储器；以及所述控制器将所述第一局部数据与所述第二局部数据写入至所述非挥发性存储器中的另一区块的一偶页，且将所述第三局部数据与所述奇页数据中的第四局部数据写入至所述第二区块的一奇页。本专利技术的至少一实施例公开一种记忆装置的控制器，其中所述记忆装置包括所述控制器与一非挥发性存储器，所述非挥发性存储器包括一或多个非挥发性存储器组件，所述一或多个非挥发性存储器组件中的任一者包括多个区块，且所述多个区块中的任一者包括多页。所述控制器可包括一处理电路，而所述处理电路可依据来自一主装置的多个主装置指令控制所述控制器，以容许所述主装置通过所述控制器存取所述非挥发性存储器。例如：所述控制器从所述主装置接收一系列数据，以从所述系列数据取出偶页数据与奇页数据；所述控制器将所述偶页数据中的第一局部数据写入至所述非挥发性存储器；所述控制器传送不带有一确认指令的一第一组指令至所述非挥发性存储器，以将所述第一局部数据以及所述偶页数据中的第二局部数据写入所述非挥发性存储器中的一内部缓冲器，其中所述确认指令是用来触发所述非挥发性存储器执行至少一指令以对所述非挥发性存储器中的至少一非挥发性存储器组件进行编程运作；所述控制器传送一第二组指令与所述确认指令至所述非挥发性存储器，以将所述第一局部数据与所述第二局部数据写入至所述非挥发性存储器中的一区块，其中所述至少一指令包括所述第二组指令，且所述确认指令触发所述非挥发性存储器执行所述第二组指令；所述控制器将所述奇页数据中的第三局部数据写入至所述非挥发性存储器；以及所述控制器将所述第一局部数据与所述第二局部数据写入至所述非挥发性存储器中的另一区块的一偶页，且将所述第三局部数据与所述奇页数据中的第四局部数据写入至所述第二区块的一奇页。本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用来于一记忆装置中进行写入管理的方法，所述记忆装置包括一非挥发性存储器，所述非挥发性存储器包括一或多个非挥发性存储器组件，所述一或多个非挥发性存储器组件中的任一者包括多个区块，所述多个区块中的任一者包括多页，所述方法的特征在于，包括有：从一主装置接收一系列数据，以从所述系列数据取出偶页数据与奇页数据；将所述偶页数据中的第一局部数据写入至所述非挥发性存储器；传送不带有一确认指令的一第一组指令至所述非挥发性存储器，以将所述第一局部数据以及所述偶页数据中的第二局部数据写入所述非挥发性存储器中的一内部缓冲器，其中所述确认指令是用来触发所述非挥发性存储器执行至少一指令以对所述非挥发性存储器中的至少一非挥发性存储器组件进行编程运作；传送一第二组指令与所述确认指令至所述非挥发性存储器，以将所述第一局部数据与所述第二局部数据写入至所述非挥发性存储器中的一区块，其中所述至少一指令包括所述第二组指令，且所述确认指令触发所述非挥发性存储器执行所述第二组指令；将所述奇页数据中的第三局部数据写入至所述非挥发性存储器；以及将所述第一局部数据与所述第二局部数据写入至所述非挥发性存储器中的另一区块的一偶页，且将所述第三局部数据与所述奇页数据中的第四局部数据写入至所述另一区块的一奇页。...

【技术特征摘要】
2018.01.26 TW 1071028261.一种用来于一记忆装置中进行写入管理的方法，所述记忆装置包括一非挥发性存储器，所述非挥发性存储器包括一或多个非挥发性存储器组件，所述一或多个非挥发性存储器组件中的任一者包括多个区块，所述多个区块中的任一者包括多页，所述方法的特征在于，包括有：从一主装置接收一系列数据，以从所述系列数据取出偶页数据与奇页数据；将所述偶页数据中的第一局部数据写入至所述非挥发性存储器；传送不带有一确认指令的一第一组指令至所述非挥发性存储器，以将所述第一局部数据以及所述偶页数据中的第二局部数据写入所述非挥发性存储器中的一内部缓冲器，其中所述确认指令是用来触发所述非挥发性存储器执行至少一指令以对所述非挥发性存储器中的至少一非挥发性存储器组件进行编程运作；传送一第二组指令与所述确认指令至所述非挥发性存储器，以将所述第一局部数据与所述第二局部数据写入至所述非挥发性存储器中的一区块，其中所述至少一指令包括所述第二组指令，且所述确认指令触发所述非挥发性存储器执行所述第二组指令；将所述奇页数据中的第三局部数据写入至所述非挥发性存储器；以及将所述第一局部数据与所述第二局部数据写入至所述非挥发性存储器中的另一区块的一偶页，且将所述第三局部数据与所述奇页数据中的第四局部数据写入至所述另一区块的一奇页。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述区块与所述另一区块分别属于不同类型的区块。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述区块代表一快取区块，且所述另一区块代表一子区块。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述不同类型的区块是分别通过不同的写入模式来写入。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一组指令所指定的一目标写入位置位于所述另一区块。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二组指令所指定的一目标写入位置位于所述区块。7.如权利要求1所述的方法，其还包括：检查所述奇页数据是否已被完整地收到，其中所述奇页数据是否已被完整地收到对应于所述第三局部数据与所述第四局部数据是否都已被收到；以及当所述奇页数据已被完整地收到时，执行将所述第一局部数据与所述第二局部数据写入至所述另一区块的所述偶页且将所述第三局部数据与所述第四局部数据写入至所述另一区块的所述奇页的运作。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述另一区块的所述奇页是所述另一区块的所述偶页的下一页。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非挥发性存储器是以立体NAND型快闪架构来实施。10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述记忆装置包括一控制器与所述非挥发性存储器，且所述控制器包括一缓冲存储器，其中所述缓冲存储器中的一缓冲区的大小等于一页的大小。11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一组指令与所述第二组指令分别指出所述非挥发性存储器应当通过不同的写入模式来对所述非挥发性存储器进行写入。12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一组指令指出所述非挥发性存储器应当通过一多阶细胞写入模式来对所述非挥发性存储器进行写入，且所述第二组指令指出所述非挥发性存储器应当通过一单阶细胞写入模式来对所述非挥发性存储器进行写入。13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二组指令取代所述第一组指令的至少一部分。14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二组指令是所述第一组指令的更新指令。15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一组指令与所述第二组指令分别对应于不同的目标写入位置。16.如权利要求1所述的方法，其还包括：通过传送所述第二组指令，将所述第一组指令所指定的一第一目标写入位置取代为所述第二组指令所指定的一第二目标写入位置。17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述记忆装置包括一控制器与所述非挥发...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜伟伦，林铭彦，张进邦，
申请(专利权)人：慧荣科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71