数据储存装置与数据处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种数据储存装置与数据处理方法，包括一存储器装置以及一存储器控制器。存储器装置包括多个存储器区块，各存储器区块包括多个数据页。存储器控制器耦接存储器装置，用以存取存储器装置。存储器控制器于数据储存装置的一初始化过程中判断于先前执行用以将数据写入一第一存储器区块的一第一写入操作的过程中是否发生过非预期断电。若存储器控制器判断于先前执行一写入操作的过程中发生过非预期断电，存储器控制器选择不同于该第一存储器区块的一第二存储器区块，并且于尔后执行一第二写入操作时，将数据写入第二存储器区块。

Data Storage Device and Data Processing Method

【技术实现步骤摘要】
数据储存装置与数据处理方法
本专利技术有关于适用于一数据储存装置的一种数据处理方法，可有效解决为避免数据页所储存的数据因非预期断电被破坏而导致的快闪存储器利用率下降及耗时过久的问题。
技术介绍
随着数据储存装置的科技在近几年快速地成长，许多数据储存装置，如符合SD/MMC规格、CF规格、MS规格与XD规格的记忆卡、固态硬碟、嵌入式多媒体记忆卡(embeddedMultiMediaCard，缩写为eMMC)以及通用快闪存储器储存(UniversalFlashStorage，缩写为UFS)已经广泛地被应用在多种用途上。因此，在这些数据储存装置上，有效率的存取控制也变成一个重要的议题。一般而言，若在编辑快闪存储器时遭遇非预期断电(SuddenPowerOff，缩写为SPO)，正在写入的数据或已写入的数据可能会被破坏。举例来说，当快闪存储器在数据写入的过程时突然发生断电时，除了目前正在写入的数据页可能会发生毁损之外，与目前正在写入的数据页位在同一条字元线上的其他数据页(例如，其配对页)亦会同时产生毁损。为避免数据页所储存的数据因非预期断电被破坏，通常快闪存储器会实施一些保护机制，例如，于一些数据页中写入无效数据，或者将部分数据重新写入，以加强其稳定性。然而，随着快闪存储器容量的提升，配对页的距离越来越大，导致写入所需耗费的时间也越来越长。此外，写入无效数据或者将部分数据重新写入的操作，也会导致快闪存储器利用率大幅下降。有鉴于此，本专利技术提出一种数据处理方法，可有效解决为避免数据页所储存的数据因非预期断电被破坏而导致的快闪存储器利用率下降及耗时过久的问题。专利技术内容本专利技术揭示一种数据储存装置，包括一存储器装置以及一存储器控制器。存储器装置包括多个存储器区块，各存储器区块包括多个数据页。存储器控制器耦接存储器装置，用以存取存储器装置。存储器控制器于数据储存装置的一初始化过程中判断于先前执行用以将数据写入一第一存储器区块的一第一写入操作的过程中是否发生过非预期断电。若存储器控制器判断于先前执行一写入操作的过程中发生过非预期断电，存储器控制器选择不同于该第一存储器区块的一第二存储器区块，并且于尔后执行一第二写入操作时，将数据写入第二存储器区块。本专利技术揭示一种数据处理方法，适用于一数据储存装置，数据储存装置包括一存储器装置以及一存储器控制器，存储器装置包括多个存储器区块，各存储器区块包括多个数据页，存储器控制器耦接存储器装置，用以存取存储器装置，该方法包括：由存储器控制器于数据储存装置的一初始化过程中判断于先前执行用以将数据写入一第一存储器区块的一第一写入操作的过程中是否发生过非预期断电；以及若存储器控制器判断于先前执行一写入操作的过程中发生过非预期断电，由存储器控制器选择不同于第一存储器区块的一第二存储器区块，并且于尔后执行一第二写入操作时，将数据写入第二存储器区块。附图说明图1是显示根据本专利技术的一实施例所述的存储器装置的示意图。图2是显示根据本专利技术的一实施例所述的存储器装置的一存储器区块的示意图。图3是显示根据本专利技术的一实施例所述的一数据页范例。图4是显示根据本专利技术的一实施例所述的一种数据处理方法流程图。图5是显示根据本专利技术的一实施例所述的一存储器区块示意图。图6是显示根据本专利技术的另一实施例所述的数据处理方法流程图。符号说明100-数据储存装置；110-存储器控制器；112-微处理器；112M-只读存储器；112C-程序码；114-控制逻辑；116-缓冲存储器；118-界面逻辑；120-存储器装置；130-主机装置；132-编码器；134-解码器；200-存储器区块；202-浮动闸极晶休管；P0、P1、P2、P10、P11、P(3N-1)、P488、P500、P501、P516、P517-数据页；WL0、WL1、WL2、WLN-字元线。具体实施方式为让本专利技术的目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出本专利技术的具体实施例，并配合附图，作详细说明如下。目的在于说明本专利技术的精神而非用以限定本专利技术的保护范围，应理解下列实施例可经由软件、硬件、固件、或上述任意组合来实现。图1是显示根据本专利技术的一实施例所述的数据储存装置100的示意图。数据储存装置100包括一存储器装置120，例如，一快闪存储器(FlashMemory)模组，以及一存储器控制器110，且存储器控制器110用来存取(Access)存储器装置120。根据本专利技术一实施例，存储器控制器110包含一微处理器112、一只读存储器(ReadOnlyMemory，ROM)112M、一控制逻辑114、一缓冲存储器116、与一界面逻辑118。只读存储器112M用来储存一程序码112C，而微处理器112则用来执行程序码112C以控制对存储器装置120的存取。控制逻辑114包含了一编码器132以及一解码器134，其中编码器132用来对写入到存储器装置120中的数据进行编码以产生对应的校验码(或称，错误更正码(ErrorCorrectionCode)，ECC)，而解码器134用来将从存储器装置120所读出的数据进行解码。于典型状况下，存储器装置120包含了多个快闪存储器芯片，而每一个快闪存储器芯片包含多个存储器区块(Block)，而该控制器(例如，透过微处理器112执行程序码112C的存储器控制器110)对存储器装置120进行抹除数据运作是以区块为单位来进行。另外，一存储器区块可记录(包含)特定数量的数据页(Page)，其中该控制器(例如，透过微处理器112执行程序码112C的存储器控制器110)对存储器装置120进行写入数据的运作是以数据页为单位来进行写入。实作上，透过微处理器112执行程序码112C的存储器控制器110可利用其本身内部的元件来进行诸多控制运作，例如：利用控制逻辑114来控制存储器装置120的存取运作(尤其是对至少一区块或至少一数据页的存取运作)、利用缓冲存储器116进行所需的缓冲处理、以及利用界面逻辑118来与一主机装置(HostDevice)130沟通。缓冲存储器116是以随机存取存储器(RandomAccessMemory，RAM)来实施。例如，缓冲存储器116可以是静态随机存取存储器(StaticRAM，SRAM)，但本专利技术不限于此。在一实施例中，数据储存装置100可以是可携式存储器装置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、XD标准的记忆卡)，且主机装置130为一可与数据储存装置连接的电子装置，例如手机、笔记型电脑、桌上型电脑…等等。而在另一实施例中，数据储存装置100可以是固态硬碟或符合通用快闪存储器储存(UniversalFlashStorage，UFS)或嵌入式多媒体记忆卡(EmbeddedMultiMediaCard，EMMC)规格的嵌入式储存装置，以设置在一电子装置中，例如设置在手机、笔记型电脑、桌上型电脑之中，而此时主机装置130可以是该电子装置的一处理器。主机装置130可对数据储存装置100发出指令，例如，读取指令或写入指令，用以存取存储器装置120所储存的数据，或者进一步控制、管理数据储存装置100。根据本专利技术的一实施例，存储器装置120所包含的多个存储器区块中至少包含了多层式储存(Multiple-LevelCell，MLC)存储器区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种数据储存装置，包括：一存储器装置，包括多个存储器区块，各存储器区块包括多个数据页；以及一存储器控制器，耦接该存储器装置，用以存取该存储器装置，其中该存储器控制器于该数据储存装置的一初始化过程中判断于先前执行用以将数据写入一第一存储器区块的一第一写入操作的过程中是否发生过非预期断电，若该存储器控制器判断于先前执行一该第一写入操作的过程中发生过非预期断电，该存储器控制器选择不同于该第一存储器区块的一第二存储器区块，并且于尔后执行一第二写入操作时，将数据写入该第二存储器区块。

【技术特征摘要】
2018.01.24 TW 1071025241.一种数据储存装置，包括：一存储器装置，包括多个存储器区块，各存储器区块包括多个数据页；以及一存储器控制器，耦接该存储器装置，用以存取该存储器装置，其中该存储器控制器于该数据储存装置的一初始化过程中判断于先前执行用以将数据写入一第一存储器区块的一第一写入操作的过程中是否发生过非预期断电，若该存储器控制器判断于先前执行一该第一写入操作的过程中发生过非预期断电，该存储器控制器选择不同于该第一存储器区块的一第二存储器区块，并且于尔后执行一第二写入操作时，将数据写入该第二存储器区块。2.如权利要求1所述的数据储存装置，其特征在于，该第一存储器区块与该第二存储器区块为包含多个可以储存多个位元的储存单元的三层式储存存储器区块。3.如权利要求2所述的数据储存装置，其特征在于，于执行该第二写入操作时，该存储器控制器将该第二存储器区块作为一单层式储存存储器区块使用。4.如权利要求1所述的数据储存装置，其特征在于，于该初始化过程中，该存储器控制器还检测是否该第一存储器区块中有任一数据页的一错误位元大于一既定临界值，并且当该第一存储器区块中有任一数据页的一错误位元大于该既定临界值时，该存储器控制器判断于先前执行一写入操作的过程中发生过非预期断电。5.如权利要求4所述的数据储存装置，其特征在于，该存储器控制器仅检测该第一存储器区块中一既定数量的数据页的错误位元，用...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁嘉旗，林轩平，
申请(专利权)人：慧荣科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71