本实用新型专利技术公开了一种半导体制冷片的温度控制电路，包括电阻R1，所述电阻R1的一端连接有输入端MCU Heater+PWM，电阻R1的另一端连接有电阻R2的一端和三极管Q1的基极，所述电阻R2的另一端接地，三极管Q1的发射极接地，三极管Q1的集电极连接有电阻R3的一端和电阻R4的一端，电阻R4的另一端连接有三极管Q2的基极，电阻R3的另一端连接有三极管Q2的发射极、输入端VCC Heater、二极管D1的正极、三极管Q3的发射极、二极管D2的正极和电阻R3的一端。本实用新型专利技术结构简单，安装方便，经济实用，在系统达到设定的温度时，可以通过PWM使换能片处于一个平衡温度，不至于烫伤或者冻伤人。
A Temperature Control Circuit for Semiconductor Refrigerator
【技术实现步骤摘要】
一种半导体制冷片的温度控制电路
本技术涉及温度控制电路
，尤其涉及一种半导体制冷片的温度控制电路。
技术介绍
半导体换能片利用半导体材料的Peltier效应，当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时，在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量，可以实现制冷的目的，它是一种产生负热阻的制冷技术，其特点是无运动部件，可靠性也比较高。目前，换能片的控制方式大多数集成的驱动芯片来控制其制冷或者加热，但是这个成本比较高，同时不方便用PWM模式进行温度平衡控制，温度要么一直升高要么一直降低，目前的半导体换能片控制方式不能精确控制温度范围且成本较高，但半导体换能片多应用于小区域范围的温度控制，大部分对温度的要求较高，目前的半导体换能片的控制方式显然不满足需求，因此我们提出了一种半导体制冷片的温度控制电路用于解决上述问题。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种半导体制冷片的温度控制电路。为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：一种半导体制冷片的温度控制电路，包括电阻R1，所述电阻R1的一端连接有输入端MCUHeater+PWM，电阻R1的另一端连接有电阻R2的一端和三极管Q1的基极，所述电阻R2的另一端接地，三极管Q1的发射极接地，三极管Q1的集电极连接有电阻R3的一端和电阻R4的一端，电阻R4的另一端连接有三极管Q2的基极，电阻R3的另一端连接有三极管Q2的发射极、输入端VCCHeater、二极管D1的正极、三极管Q3的发射极、二极管D2的正极和电阻R3的一端，三极管Q2的集电极连接有二极管D1的负极、三极管Q5的发射极和二极管D4的正极，三极管Q3的集电极连接有二极管D2的负极、三极管Q4的发射极、二极管D3的正极，三极管Q3的基极连接有电阻R5的一端，电阻R5的另一端连接有电阻R6的另一端和三极管Q6的集电极，三极管Q6的发射极接地，三极管Q6的基极连接有电阻R7的一端和电阻R8的一端，电阻R8的另一端接地，电阻R7的另一端连接有输出端MCUHeater-PWM，三极管Q5的集电极连接有二极管D4的负极并接地，三极管Q5的基极连接有电阻R11的一端和电阻R12的一端，电阻R11的另一端接地，电阻R12的另一端连接有输入端MCUHeater+IOCtrl，三极管Q4的集电极连接有二极管D3的负极并接地，三极管Q4的基极连接有电阻R10的一端和电阻R9的一端，电阻R10的另一端接地，电阻R9的另一端连接有输出端MCUHeater-IOCtrl。优选的，所述输入端MCUHeater+PWM的输入电压为交流220伏。优选的，所述三极管Q2和三极管Q3的型号均为AO3415A，三极管Q4和三极管Q5的型号均为AO3404。优选的，所述电阻R1和电阻R7的阻值均为1.7KΩ。优选的，所述二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4的型号均为D71N4003。与现有技术相比，本技术的有益效果是：通过电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、三极管Q5、三极管Q6、二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4相配合，采用4个MOS管搭接的全桥控制电路，可对半导体制冷片提供正负电压，实现制冷和加热功能，MOS管的优点是开关速度快，导通内阻小，有利于微处理通过PWM的方式控制半导体换能片的工作温度,在系统达到设定的温度时，可以通过PWM使换能片处于一个平衡温度，不至于烫伤或者冻伤人。本技术结构简单，安装方便，经济实用，在系统达到设定的温度时，可以通过PWM使换能片处于一个平衡温度，不至于烫伤或者冻伤人。附图说明图1为本技术提出的一种半导体制冷片的温度控制电路的电路示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。参照图1，一种半导体制冷片的温度控制电路，包括电阻R1，电阻R1的一端连接有输入端MCUHeater+PWM，电阻R1的另一端连接有电阻R2的一端和三极管Q1的基极，电阻R2的另一端接地，三极管Q1的发射极接地，三极管Q1的集电极连接有电阻R3的一端和电阻R4的一端，电阻R4的另一端连接有三极管Q2的基极，电阻R3的另一端连接有三极管Q2的发射极、输入端VCCHeater、二极管D1的正极、三极管Q3的发射极、二极管D2的正极和电阻R3的一端，三极管Q2的集电极连接有二极管D1的负极、三极管Q5的发射极和二极管D4的正极，三极管Q3的集电极连接有二极管D2的负极、三极管Q4的发射极、二极管D3的正极，三极管Q3的基极连接有电阻R5的一端，电阻R5的另一端连接有电阻R6的另一端和三极管Q6的集电极，三极管Q6的发射极接地，三极管Q6的基极连接有电阻R7的一端和电阻R8的一端，电阻R8的另一端接地，电阻R7的另一端连接有输出端MCUHeater-PWM，三极管Q5的集电极连接有二极管D4的负极并接地，三极管Q5的基极连接有电阻R11的一端和电阻R12的一端，电阻R11的另一端接地，电阻R12的另一端连接有输入端MCUHeater+IOCtrl，三极管Q4的集电极连接有二极管D3的负极并接地，三极管Q4的基极连接有电阻R10的一端和电阻R9的一端，电阻R10的另一端接地，电阻R9的另一端连接有输出端MCUHeater-IOCtrl，通过电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、三极管Q5、三极管Q6、二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4相配合，采用4个MOS管搭接的全桥控制电路，可对半导体制冷片提供正负电压，实现制冷和加热功能，MOS管的优点是开关速度快，导通内阻小，有利于微处理通过PWM的方式控制半导体换能片的工作温度,在系统达到设定的温度时，可以通过PWM使换能片处于一个平衡温度，不至于烫伤或者冻伤人，本技术结构简单，安装方便，经济实用，在系统达到设定的温度时，可以通过PWM使换能片处于一个平衡温度，不至于烫伤或者冻伤人。本技术中，输入端MCUHeater+PWM的输入电压为交流220伏，三极管Q2和三极管Q3的型号均为AO3415A，三极管Q4和三极管Q5的型号均为AO3404，电阻R1和电阻R7的阻值均为1.7KΩ，二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4的型号均为D71N4003，通过电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、三极管Q5、三极管Q6、二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4相配合，采用4个MOS管搭接的全桥控制电路，可对半导体制冷片提供正负电压，实现制冷和加热功能，MOS管的优点是开关速度快，导通内阻小，有利于微处理通过PWM的方式控制半导体换能片的工作温度,在系统达到设定的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体制冷片的温度控制电路，包括电阻R1，其特征在于，所述电阻R1的一端连接有输入端MCU Heater+PWM，电阻R1的另一端连接有电阻R2的一端和三极管Q1的基极，所述电阻R2的另一端接地，三极管Q1的发射极接地，三极管Q1的集电极连接有电阻R3的一端和电阻R4的一端，电阻R4的另一端连接有三极管Q2的基极，电阻R3的另一端连接有三极管Q2的发射极、输入端VCC Heater、二极管D1的正极、三极管Q3的发射极、二极管D2的正极和电阻R3的一端，三极管Q2的集电极连接有二极管D1的负极、三极管Q5的发射极和二极管D4的正极，三极管Q3的集电极连接有二极管D2的负极、三极管Q4的发射极、二极管D3的正极，三极管Q3的基极连接有电阻R5的一端，电阻R5的另一端连接有电阻R6的另一端和三极管Q6的集电极，三极管Q6的发射极接地，三极管Q6的基极连接有电阻R7的一端和电阻R8的一端，电阻R8的另一端接地，电阻R7的另一端连接有输出端MCU Heater‑PWM，三极管Q5的集电极连接有二极管D4的负极并接地，三极管Q5的基极连接有电阻R11的一端和电阻R12的一端，电阻R11的另一端接地，电阻R12的另一端连接有输入端MCU Heater+IO Ctrl，三极管Q4的集电极连接有二极管D3的负极并接地，三极管Q4的基极连接有电阻R10的一端和电阻R9的一端，电阻R10的另一端接地，电阻R9的另一端连接有输出端MCU Heater‑IO Ctrl。...
【技术特征摘要】
1.一种半导体制冷片的温度控制电路，包括电阻R1，其特征在于，所述电阻R1的一端连接有输入端MCUHeater+PWM，电阻R1的另一端连接有电阻R2的一端和三极管Q1的基极，所述电阻R2的另一端接地，三极管Q1的发射极接地，三极管Q1的集电极连接有电阻R3的一端和电阻R4的一端，电阻R4的另一端连接有三极管Q2的基极，电阻R3的另一端连接有三极管Q2的发射极、输入端VCCHeater、二极管D1的正极、三极管Q3的发射极、二极管D2的正极和电阻R3的一端，三极管Q2的集电极连接有二极管D1的负极、三极管Q5的发射极和二极管D4的正极，三极管Q3的集电极连接有二极管D2的负极、三极管Q4的发射极、二极管D3的正极，三极管Q3的基极连接有电阻R5的一端，电阻R5的另一端连接有电阻R6的另一端和三极管Q6的集电极，三极管Q6的发射极接地，三极管Q6的基极连接有电阻R7的一端和电阻R8的一端，电阻R8的另一端接地，电阻R7的另一端连接有输出端MCUHeater-PWM，三极管Q5的集电极连接有二极管...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭锦兴，
申请(专利权)人：广州铂胜科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44
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