一种半导体制冷片的温度控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体制冷片的温度控制电路，包括电阻R1，所述电阻R1的一端连接有输入端MCU Heater+PWM，电阻R1的另一端连接有电阻R2的一端和三极管Q1的基极，所述电阻R2的另一端接地，三极管Q1的发射极接地，三极管Q1的集电极连接有电阻R3的一端和电阻R4的一端，电阻R4的另一端连接有三极管Q2的基极，电阻R3的另一端连接有三极管Q2的发射极、输入端VCC Heater、二极管D1的正极、三极管Q3的发射极、二极管D2的正极和电阻R3的一端。本实用新型专利技术结构简单，安装方便，经济实用，在系统达到设定的温度时，可以通过PWM使换能片处于一个平衡温度，不至于烫伤或者冻伤人。

A Temperature Control Circuit for Semiconductor Refrigerator

【技术实现步骤摘要】
一种半导体制冷片的温度控制电路
本技术涉及温度控制电路
，尤其涉及一种半导体制冷片的温度控制电路。
技术介绍
半导体换能片利用半导体材料的Peltier效应，当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时，在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量，可以实现制冷的目的，它是一种产生负热阻的制冷技术，其特点是无运动部件，可靠性也比较高。目前，换能片的控制方式大多数集成的驱动芯片来控制其制冷或者加热，但是这个成本比较高，同时不方便用PWM模式进行温度平衡控制，温度要么一直升高要么一直降低，目前的半导体换能片控制方式不能精确控制温度范围且成本较高，但半导体换能片多应用于小区域范围的温度控制，大部分对温度的要求较高，目前的半导体换能片的控制方式显然不满足需求，因此我们提出了一种半导体制冷片的温度控制电路用于解决上述问题。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种半导体制冷片的温度控制电路。为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：一种半导体制冷片的温度控制电路，包括电阻R1，所述电阻R1的一端连接有输入端MCUHeater+PWM，电阻R1的另一端连接有电阻R2的一端本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体制冷片的温度控制电路，包括电阻R1，其特征在于，所述电阻R1的一端连接有输入端MCU Heater+PWM，电阻R1的另一端连接有电阻R2的一端和三极管Q1的基极，所述电阻R2的另一端接地，三极管Q1的发射极接地，三极管Q1的集电极连接有电阻R3的一端和电阻R4的一端，电阻R4的另一端连接有三极管Q2的基极，电阻R3的另一端连接有三极管Q2的发射极、输入端VCC Heater、二极管D1的正极、三极管Q3的发射极、二极管D2的正极和电阻R3的一端，三极管Q2的集电极连接有二极管D1的负极、三极管Q5的发射极和二极管D4的正极，三极管Q3的集电极连接有二极管D2的负极、三极管Q4的...

【技术特征摘要】
1.一种半导体制冷片的温度控制电路，包括电阻R1，其特征在于，所述电阻R1的一端连接有输入端MCUHeater+PWM，电阻R1的另一端连接有电阻R2的一端和三极管Q1的基极，所述电阻R2的另一端接地，三极管Q1的发射极接地，三极管Q1的集电极连接有电阻R3的一端和电阻R4的一端，电阻R4的另一端连接有三极管Q2的基极，电阻R3的另一端连接有三极管Q2的发射极、输入端VCCHeater、二极管D1的正极、三极管Q3的发射极、二极管D2的正极和电阻R3的一端，三极管Q2的集电极连接有二极管D1的负极、三极管Q5的发射极和二极管D4的正极，三极管Q3的集电极连接有二极管D2的负极、三极管Q4的发射极、二极管D3的正极，三极管Q3的基极连接有电阻R5的一端，电阻R5的另一端连接有电阻R6的另一端和三极管Q6的集电极，三极管Q6的发射极接地，三极管Q6的基极连接有电阻R7的一端和电阻R8的一端，电阻R8的另一端接地，电阻R7的另一端连接有输出端MCUHeater-PWM，三极管Q5的集电极连接有二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭锦兴，
申请(专利权)人：广州铂胜科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44