一种同轴同相大功率双驱动单元制造技术

本发明专利技术涉及一种同轴同相大功率双驱动单元，下箱体上依次设置下导音板、上导音板、上箱体依次穿接固定，上、下箱体内对称设置上、下U铁，U铁的U型口内限位安装磁钢并连接下极板，下音膜组件的音圈置于下极板与下U型口内壁之间，下音膜组件的音膜对应下导音板下端面圆周均布的多个下导音口，导音口连通下导音板上端面的下导音槽，下导音板上端面中心位置设有置于上箱体内筒体内的中心锥，上导音板与上音膜组件的对应结构与下导音板与下音膜组件的对应结构相对称。上、下导音槽错位，在筒体下部声波相位同轴同相位叠加，保证声音的品质及声压叠加，具有集成、体积小、重量轻，辐射频率宽的优点。

A Coaxial in-phase High Power Dual-drive Unit

【技术实现步骤摘要】
一种同轴同相大功率双驱动单元
本专利技术涉及扬声器领域，具体说是一种同轴同相大功率双驱动单元。
技术介绍
扬声装置除了用于民用之外，在防空、军车、军舰、海监、航母、飞机等方面的强声驱散和语音系统中也被广泛应用。由于在非民用的使用领域、场合特殊性，现有国内民用产品存在以下缺陷：占用体积大、重量大，灵敏度不够；内驱功率需求大，传播距离不远；频率范围比较窄，语言不清晰，穿透力不强。
技术实现思路
本专利技术提供了一种结构紧凑，体积小，重量轻，有效兼顾辐射频率，转换效率高的同轴同相大功率双驱动单元。本专利技术采用的技术方案是:一种同轴同相大功率双驱动单元，其特征在于：包括上、下箱体、筒体、下U铁、下磁钢、下极板、下音膜组件、下导音板、上导音板、上音膜组件，上极板、上磁钢、上U铁，下箱体上依次设置下导音板、上导音板、上箱体且经螺钉依次穿接固定，所述下箱体内支撑下U铁，下U铁的下U型口内限位安装下磁钢，下磁钢上连接下极板，下音膜组件的边缘支架经螺钉穿接固定在下箱体上，下音膜组件的音圈置于下极板与下U铁下U型口内壁之间，下音膜组件的音膜对应下导音板下端面圆周均布的多个下导音口，下导音板上端面设有多个分别对应连通下导音口的下导音槽，下导音板上端面中心位置设有中心锥，所述上箱体中心设置下口支撑在上导音板上的筒体，筒体上口朝向上箱体上部外部，中心锥穿设在筒体内，所述上导音板的下端面圆周均布多个与下导音槽错位的上导音槽，上、下导音槽均连通筒体下部，上导音板的上端面设有多个分别对应连通多个上导音槽的上导音口，上导音板上设置上音膜组件，上音膜组件的边缘支架压接在上箱体和上导音板间，上音膜组件的音膜对应上导音口，上箱体内由上壁朝下经螺栓挂接上U铁，上U铁的上U型口朝下且其内限位安装上磁钢，上磁钢下端面连接上极板，上音膜组件的音圈置于上极板与上U铁上U型口内壁之间。上、下音膜组件结构相同，均包括音圈、内圈音膜、外圈音膜、内边缘支架和外边缘支架，内圈音膜和外圈音膜连接处朝外连接音圈，内、外圈音膜的内、外侧分别接内、外边缘支架。内圈音膜和外圈音膜呈非水平连接。上、下导音板上导音口所处的圆周为与内、外圈音膜夹角匹配的环状凸起，导音口的中部对应环状凸起的凸起处。本专利技术采用上、下对称的上、下U铁，各自经其内的磁钢、极板对应各自音膜组件的音圈，再由上、下导音板上的导音口通过导音槽将对应导音口的音膜发声导至筒体内，上、下导音槽错位，上、下音膜组件发声声波相位分别经上、下导音板导至筒体后同轴同相位叠加，上、下双振动系统确保振动系统的相位一致，保证声音的品质及声压叠加，上、下箱体集成、筒体内置上箱体使整体体积小、重量轻，辐射频率宽，有效频率范围达到400-8000Hz,单元承受功率因素比较大，能承受400W功率，驱动单元的转换效率高。附图说明图1为本专利技术结构示意图；图2为本专利技术立体结构示意图；图3为本专利技术上导音板结构示意图；图4为本专利技术下导音板结构示意图；图5为图4的下方视图；图6为本专利技术音膜组件结构示意图。图中：上箱体1、下箱体2、下U铁3、下磁钢4、下极板5、音圈6、内圈音膜7、外圈音膜8、内边缘支架9、外边缘支架10、下导音板11、下导音凸环12、下导音口13、下导音槽14、中心锥15、筒体16、连接柱17、上U铁18、上磁钢19、上极板20、上导音板21、上导音凸环22、上导音口23、上导音槽24。具体实施方式以下结合附图和实施例作进一步说明。图1-6所示：一种同轴同相大功率双驱动单元包括上箱体1、下箱体2、下U铁3、下磁钢4、下极板5、上、下音膜组件、下导音板11、筒体16、连接柱17、上U铁18、上磁钢19、上极板20、上导音板21，下箱体2上依次设置下导音板11、上导音板21、上箱体1且经螺钉依次穿接固定，下箱体2内支撑下U铁3，下U铁3的下U型口内限位安装下磁钢4，下磁钢4上连接下极板5；上、下音膜组件结构相同，均包括音圈6、内圈音膜7、外圈音膜8、内边缘支架9和外边缘支架10，内圈音膜和外圈音膜呈一定角度连接并在其角度连接处朝外连接音圈（见图6），内、外圈音膜的内、外侧分别接内、外边缘支架，下音膜组件的音圈置于下极板与下U铁下U型口内壁之间,下音膜组件的外边缘支架10经螺钉穿接固定在下箱体2上，内边缘支架9经螺钉朝上穿接固定在下导音板11上，图4、5中所示下导音板11下端面设有一圈下导音凸环12，下导音凸环12上均布多个下导音口13，下导音凸环12的形状与内、外圈音膜夹角对应匹配，下导音口13的中部对应环状凸起的凸起处，下导音口13连通下导音板12上端面圆周均布的多个下导音槽14，下导音板13上下导音凸环12内的中部设置一朝向上箱体1的中心锥15，中心锥15穿过上导音板21置于同轴设置在上箱体1内的筒体16内，筒体16的外端朝向上箱体1上部外，筒体16的内端压接上音膜组件的内边缘支架在上导音板21上，上音膜组件的外边缘支架穿接在上箱体和上导音板之间并由上、下箱体整体锁紧的螺钉穿接锁紧固定，上箱体1上内壁设置连接柱17穿接螺栓下挂连接上U铁18，上U铁的上U型口朝下且其内限位安装上磁钢19，上磁钢下端面连接上极板20，上音膜组件的音圈置于上极板与上U铁上U型口内壁之间，图3中所示上导音板21上端面设有一圈上导音凸环22，上导音凸环22上均布多个上导音口23，上导音凸环22的形状与上音膜组件内、外圈音膜夹角对应匹配，上导音口23的中部对应环状凸起的凸起处，上导音口23连通上导音板22下端面圆周均布的多个上导音槽24，上、下导音槽错位且均连通至筒体的下部。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种同轴同相大功率双驱动单元，其特征在于：包括上、下箱体、筒体、下U铁、下磁钢、下极板、下音膜组件、下导音板、上导音板、上音膜组件，上极板、上磁钢、上U铁，下箱体上依次设置下导音板、上导音板、上箱体且经螺钉依次穿接固定，所述下箱体内支撑下U铁，下U铁的下U型口内限位安装下磁钢，下磁钢上连接下极板，下音膜组件的边缘支架经螺钉穿接固定在下箱体上，下音膜组件的音圈置于下极板与下U铁下U型口内壁之间，下音膜组件的音膜对应下导音板下端面圆周均布的多个下导音口，下导音板上端面设有多个分别对应连通下导音口的下导音槽，下导音板上端面中心位置设有中心锥，所述上箱体中心设置下口支撑在上导音板上的筒体，筒体上口朝向上箱体上部外部，中心锥穿设在筒体内，所述上导音板的下端面圆周均布多个与下导音槽错位的上导音槽，上、下导音槽均连通筒体下部，上导音板的上端面设有多个分别对应连通多个上导音槽的上导音口，上导音板上设置上音膜组件，上音膜组件的边缘支架压接在上箱体和上导音板间，上音膜组件的音膜对应上导音口，上箱体内由上壁朝下经螺栓挂接上U铁，上U铁的上U型口朝下且其内限位安装上磁钢，上磁钢下端面连接上极板，上音膜组件的音圈置于上极板与上U铁上U型口内壁之间。...

【技术特征摘要】
1.一种同轴同相大功率双驱动单元，其特征在于：包括上、下箱体、筒体、下U铁、下磁钢、下极板、下音膜组件、下导音板、上导音板、上音膜组件，上极板、上磁钢、上U铁，下箱体上依次设置下导音板、上导音板、上箱体且经螺钉依次穿接固定，所述下箱体内支撑下U铁，下U铁的下U型口内限位安装下磁钢，下磁钢上连接下极板，下音膜组件的边缘支架经螺钉穿接固定在下箱体上，下音膜组件的音圈置于下极板与下U铁下U型口内壁之间，下音膜组件的音膜对应下导音板下端面圆周均布的多个下导音口，下导音板上端面设有多个分别对应连通下导音口的下导音槽，下导音板上端面中心位置设有中心锥，所述上箱体中心设置下口支撑在上导音板上的筒体，筒体上口朝向上箱体上部外部，中心锥穿设在筒体内，所述上导音板的下端面圆周均布多个与下导音槽错位的上导音槽，上、下导音槽均连通筒体下部，上导音板的上端面设有多个分别对应连通多...

【专利技术属性】
技术研发人员：印小根，印华民，徐金成，
申请(专利权)人：泰兴扬声电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32