一种太阳能电池清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池清洗方法，包括：利用含O3的溶液对硅片进行预清洗，并对预清洗后的硅片进行水洗；对硅片进行碱抛光，并进行水洗；利用含O3的溶液对碱抛光后的硅片进行清洗，并利用含HCL和HF的混合液对硅片进行清洗；对硅片进行水洗，并对硅片进行烘干。本申请公开的上述技术方案，在对硅片进行碱抛光之前及在对硅片进行碱抛光之后，均利用含O3的溶液来对硅片进行清洗，由于O3较易获取，其成本比KOH+H2O2混合液成本低，因此，则可以降低对硅片进行清洗的成本，而且由于O3在反应后直接生成O2，则无需利用专门的管路和容器等来对清洗后的清洗物进行处理，从而则可以简化其处理过程，降低后续处理的繁琐程度。

A Cleaning Method for Solar Cells

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池清洗方法
本专利技术涉及太阳能电池制造
，更具体地说，涉及一种太阳能电池清洗方法。
技术介绍
PERC(PassivatedEmitterandRearCell，钝化发射极背面接触电池)是目前光伏市场上的主流产品之一，该类型的电池因其背面氧化铝可以提供优异的钝化效果而具有较高的效率和功率。为了进一步提升PERC电池的效率，目前，常通过碱抛光来代替酸抛光，以使得硅片的背面更平整，并降低比表面积，提升氧化铝的钝化效果。在现有碱抛光工艺前后，一般使用KOH(氢氧化钾)+H2O2(双氧水)混合液来对硅片进行清洗，以去除硅片表面的有机物。但由于KOH和H2O2均为易耗品，价格比较高，而且后续处理过程比较麻烦，因此，利用KOH+H2O2混合液对硅片进行清洗存在清洗成本比较高，处理过程比较繁琐的问题。综上所述，如何降低碱抛光工艺前后对硅片进行清洗的成本，并降低对清洗物处理的繁琐程度，是目前本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种太阳能电池清洗方法，以降低碱抛光工艺前后对硅片进行清洗的成本，并降低对清洗物处理的繁琐程度。为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种太阳能电池清洗方法，包括：利用含O3的溶液对硅片进行预清洗，并对预清洗后的所述硅片进行水洗；对所述硅片进行碱抛光，并进行水洗；利用含O3的溶液对碱抛光后的所述硅片进行清洗，并利用含HCL和HF的混合液对所述硅片进行清洗；对所述硅片进行水洗，并对所述硅片进行烘干。优选的，利用含O3的溶液对硅片进行预清洗，包括：利用含O3的HCL溶液对所述硅片进行预清洗；利用含O3的溶液对碱抛光后的所述硅片进行清洗，包括：利用含O3的HCL溶液对碱抛光后的所述硅片进行清洗。优选的，利用含O3的HCL溶液对所述硅片进行清洗，包括：利用含O3的HCL溶液在15-30℃下对所述硅片进行清洗。优选的，利用含O3的HCL溶液对所述硅片进行清洗，包括：利用O3浓度为30-90ppm、HCL浓度为5％-20％的溶液对所述硅片进行清洗。优选的，在利用含O3的HCL溶液对碱抛光后的所述硅片进行清洗之后，还包括：对所述硅片进行水洗。优选的，对所述硅片进行烘干，包括：利用氮气对所述硅片进行烘干。优选的，在对所述硅片进行烘干之后，还包括：对所述硅片进行质量检测。优选的，对所述硅片进行质量检测，包括：利用金相显微镜对所述硅片进行质量检测。本专利技术提供了一种太阳能电池清洗方法，包括：利用含O3的溶液对硅片进行预清洗，并对预清洗后的硅片进行水洗；对硅片进行碱抛光，并进行水洗；利用含O3的溶液对碱抛光后的硅片进行清洗，并利用含HCL和HF的混合液对硅片进行清洗；对硅片进行水洗，并对硅片进行烘干。本申请公开的上述技术方案，在对硅片进行碱抛光之前及在对硅片进行碱抛光之后，均利用含O3的溶液来对硅片进行清洗，由于O3较易获取，其成本比KOH+H2O2混合液成本低，因此，则可以降低对硅片进行清洗的成本，而且由于O3在反应后直接生成O2，则无需利用专门的管路和容器等来对清洗后的清洗物进行处理，从而则可以简化其处理过程，降低后续处理的繁琐程度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种太阳能电池清洗方法的流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。参见图1，其示出了本专利技术实施例提供的一种太阳能电池清洗方法的流程图，可以包括：S11：利用含O3的溶液对硅片进行预清洗，并对预清洗后的硅片进行水洗。在对硅片进行扩散等处理之后且在对硅片进行碱抛光之前，由于硅片在运输过程中可能会沾染上一定的脏污，甚至会在硅片的表面残留下运输设备(其对硅片起到输送的作用)造成的运输痕迹，因此，为了避免硅片表面所残留的脏污和运输痕迹对碱抛光造成影响，则可以利用含O3的溶液对硅片进行预清洗，并在预清洗之后对硅片进行水洗。由于O3具有强氧化性(其氧化性要优于H2O2)，因此，其可以将硅片表面的有机物等脏污氧化分解成易溶于水的小分子，以较好地清洗掉硅片表面的脏污，而且由于O3的成本比较低，因此，相比于利用KOH+H2O2混合液来对硅片进行预清洗而言，则可以降低对硅片进行预清洗的成本。另外，由于O3在反应之后多是直接生成O2，因此，处理起来比较简单、容易。在利用含O3的溶液对硅片进行预清洗之后，对硅片进行的水洗则主要是洗去硅片表面所附着的且被O3氧化之后的小分子，以提高硅片表面的清洁度。S12：对硅片进行碱抛光，并进行水洗。在对硅片进行预清洗和水洗之后，则可以对硅片进行碱抛光，以使得硅片的背面更加平整，并降低硅片的比表面积，以为制备氧化铝做准备，从而更好地提升氧化铝的钝化效效果。由于碱抛光过程中会在硅片的表面附着一些不必要的产物，因此，为了提高碱抛光的效果，提高硅片表面的清洁度，则可以先对硅片进行水洗，以洗掉一些易溶于水的分子。S13：利用含O3的溶液对碱抛光后的硅片进行清洗，并利用含HCL和HF的混合液对硅片进行清洗。由于在对硅片进行碱抛光的过程中会用到一些有机物，而有机物可能会粘附在硅片上，因此，为了提高硅片表面的清洁度，以提高后续所制备出的太阳能电池的性能，则可以利用含O3的溶液对碱抛光之后的硅片进行清洗，以去除硅片表面的有机物等脏污。考虑到在对硅片进行扩散的过程中会在硅片的正表面形成PSG(PhosphoSilicateGlass，磷硅玻璃)来对硅片的正表面形成保护，以避免硅片的正表面参与到碱抛光中，而后续为了可以正常得到太阳能电池，则需要洗掉硅片正表面在扩散过程中所形成的PSG。为了更好地清洗掉硅片表面的PSG，则可以利用含HCL(盐酸)和HF(氢氟酸)的混合液来对硅片进行清洗，其中，HF能够与PSG发生反应，以洗掉硅片正表面所覆盖的PSG，HCL中的Cl-可以与硅片表面所附着的金属离子形成可溶于水的金属氯化物，从而达到对硅片进行清洁的目的。S14：对硅片进行水洗，并对硅片进行烘干。在利用含HCL和HF的混合液对硅片进行清洗之后，则可以对硅片进行水洗，以洗去硅片表面所附着的金属氯化物等物质，从而提高硅片的清洁度。在对硅片进行水洗之后，则可以对硅片进行烘干，以去除掉硅片表面的水分，从而避免硅片在运往下一个工艺时因带有水分而被沾染上其他脏污，即对硅片进行烘干可以便于对硅片进行后续的操作。相比于现有技术中所进行的：KOH+H2O2混合液清洗→水洗→碱抛光→水洗→KOH+H2O2混合液清洗→水洗→HCL清洗+H2O2清洗→水洗→HF清洗→水洗→烘干，本申请上述的清洗步骤比较少，因此，则可以降低清洗槽的设置，从而则可以降低清洗成本。而且由于O3的氧化性比较强，因此，则可以提高对硅片的清洗效果。另外，由于O3的成本比较本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池清洗方法，其特征在于，包括：利用含O3的溶液对硅片进行预清洗，并对预清洗后的所述硅片进行水洗；对所述硅片进行碱抛光，并进行水洗；利用含O3的溶液对碱抛光后的所述硅片进行清洗，并利用含HCL和HF的混合液对所述硅片进行清洗；对所述硅片进行水洗，并对所述硅片进行烘干。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池清洗方法，其特征在于，包括：利用含O3的溶液对硅片进行预清洗，并对预清洗后的所述硅片进行水洗；对所述硅片进行碱抛光，并进行水洗；利用含O3的溶液对碱抛光后的所述硅片进行清洗，并利用含HCL和HF的混合液对所述硅片进行清洗；对所述硅片进行水洗，并对所述硅片进行烘干。2.根据权利要求1所述的太阳能电池清洗方法，其特征在于，利用含O3的溶液对硅片进行预清洗，包括：利用含O3的HCL溶液对所述硅片进行预清洗；利用含O3的溶液对碱抛光后的所述硅片进行清洗，包括：利用含O3的HCL溶液对碱抛光后的所述硅片进行清洗。3.根据权利要求2所述的太阳能电池清洗方法，其特征在于，利用含O3的HCL溶液对所述硅片进行清洗，包括：利用含O3的HCL溶液在15-30℃下对所述硅片进行清洗...

【专利技术属性】
技术研发人员：苗凤秀，张树德，魏青竹，连维飞，倪志春，
申请(专利权)人：苏州腾晖光伏技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32