【技术实现步骤摘要】
基于等离激元效应的多参数测量传感芯片及制备方法
本专利技术涉及测量传感芯片及制备,具体涉及一种基于等离激元效应的多参数测量传感芯片及制备方法。
技术介绍
目前的温度传感器大多是热敏电阻和热电偶,这两种传统的温度传感不仅灵敏度低,稳定性不好且难集成。而红外温度传感器的制备价格又十分高,有人采用了有温度敏感层的三层SPR结构提出了一种光学温度传感器,还有人以集成到光纤的SPP结构提出的一种远程温度传感器。但目前这些温度传感器主要利用的是温度对折射率的影响,敏感度比较低,稳定性不好。
技术实现思路
专利技术目的:本专利技术的目的是提供一种基于等离激元效应的多参数测量传感芯片及制备方法,解决现有温度传感器灵敏度低,稳定性不好的,难集成的问题。技术方案:本专利技术所述的基于等离激元效应的多参数测量传感芯片,包括热膨胀聚合物底层,所述底层上设置有环形金属狭缝阵列,所述环形金属狭缝内圆为金属块,所述金属块附着在热膨胀聚合物底层上。为了使内部结构稳定安全,还包括外壳,所述外壳套在热膨胀聚合物底层外。为能产生相应的物理结构和化学性质变化,所述热膨胀聚合物底层为水凝胶底层。所述金属为金或银。所述环形金属狭缝阵列为一维环形金属狭缝阵列或二维环形金属狭缝阵列。本专利技术所述的基于等离激元效应的多参数测量传感芯片的制备方法,包括以下步骤:(1)通过在玻璃衬底上复合PS微球阵列,微球阵列之间填充二氧化硅溶液,然后用O2反应进行RIE刻蚀镀Ag,得到环形银狭缝腔阵列;(2)用氢氟酸来刻蚀准备好的二维环形银狭缝腔阵列的底衬玻璃和SiO2填充物;(3)用四氢呋喃溶剂溶解结构中的PS微球,使得二 ...
【技术保护点】
1.一种基于等离激元效应的多参数测量传感芯片,其特征在于,包括热膨胀聚合物底层,所述底层上设置有环形金属狭缝阵列,所述环形金属狭缝内圆为金属块,所述金属块附着在热膨胀聚合物底层上。
【技术特征摘要】
1.一种基于等离激元效应的多参数测量传感芯片,其特征在于,包括热膨胀聚合物底层,所述底层上设置有环形金属狭缝阵列,所述环形金属狭缝内圆为金属块,所述金属块附着在热膨胀聚合物底层上。2.根据权利要求1所述的基于等离激元效应的多参数测量传感芯片,其特征在于,还包括外壳,所述外壳套在热膨胀聚合物底层外。3.根据权利要求1所述的基于等离激元效应的多参数测量传感芯片,其特征在于,所述热膨胀聚合物底层为水凝胶底层。4.根据权利要求1所述的基于等离激元效应的多参数测量传感芯片,其特征在于,所述金属为金或银。5.根据权利要求1所述的基于等离激元效应的多参数测量传感芯片,其特征在于,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:倪海彬,周盈,成建新,常建华,王婷婷,葛益娴,刘清惓,刘向,
申请(专利权)人:南京信息工程大学,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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