一种n-p-n型三明治异质结纳米材料的制备方法及其产品和应用技术

本发明专利技术提供一种n‑p‑n型三明治异质结纳米材料的制备方法及其产品和应用，在n型半导体纳米材料MOx表面利用原子层沉积技术沉积p型SnO纳米层，在此基础上再沉积一层n型SnO2壳结构，形成n‑p‑n型双重异质结三明治纳米结构，该n‑p‑n双重异质结材料能够极大提高MOx基材料的光电性能和光电化学稳定性，在光催化及气敏等领域具有广泛的应用。

Preparation and application of n-p-n sandwich heterojunction nanomaterials

【技术实现步骤摘要】
一种n-p-n型三明治异质结纳米材料的制备方法及其产品和应用
本专利技术属于半导体光电材料领域，涉及一种n-p-n型三明治异质结纳米材料，特别是涉及一种n-p-n双重异质纳米材料的制备及应用，采用原子层沉积技术在n型半导体纳米材料MOx表面沉积SnO和SnO2，从而构建光电性能优异的MOx/SnO/SnO2三明治异质结材料。
技术介绍
在光电化学及催化领域，以ZnO、TiO2及Ga2O3为代表的n型氧化物半导体材料因稳定性高、绿色无毒、微结构丰富、光电性能可控等，广泛应用于光催化及气敏等领，一直是半导体氧化物研究中的热点。在以往的研究中，人们对不同结构的上述氧化物半导体的性能调控以掺杂、复合为主，通过掺杂不同价态的元素，调控其载流子浓度从而调控其光电特性。但在其应用过程中，光生载流子的低分离效率极大影响了上述材料在光电、气敏等领域应用。Z-scheme提出通过异质结提高载流子的分离效率并增强光吸收，这对光电化学性能的提升具有重要意义，并涌现出了很多工作。以ZnO为例，“Cellularheterojunctionsfabricatedthroughthesulfurizationof本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种n‑p‑n型三明治异质结纳米材料的制备方法，其特征在于，在n型半导体纳米材料MOx表面利用原子层沉积技术沉积p型SnO纳米层，在此基础上再沉积一层n型SnO2壳结构，形成n‑p‑n型双重异质结三明治纳米结构，其中，所述的MOx纳米材料包括但不限于ZnO、TiO2、Ga2O3 n型半导体纳米材料。

【技术特征摘要】
1.一种n-p-n型三明治异质结纳米材料的制备方法，其特征在于，在n型半导体纳米材料MOx表面利用原子层沉积技术沉积p型SnO纳米层，在此基础上再沉积一层n型SnO2壳结构，形成n-p-n型双重异质结三明治纳米结构，其中，所述的MOx纳米材料包括但不限于ZnO、TiO2、Ga2O3n型半导体纳米材料。2.根据权利要求1所述一种n-p-n型三明治异质结纳米材料的制备方法，其特征在于，所述的利用原子层沉积技术沉积p型SnO纳米层，所用的前驱源为N,N'-二甲基乙二胺亚锡和水，沉积温度控制在120-160℃，沉积厚度应控制在10-50nm。3.根据权利要求1或2所述一种n-p-n型三明治异质结纳米材料的制备方法，其特征在于，所述的利用原子层沉积技术沉积n型SnO2壳结构，所用的...

【专利技术属性】
技术研发人员：何丹农，卢静，尹桂林，葛美英，王丹，金彩虹，
申请(专利权)人：上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31