单芯片控制输出逆变系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种单芯片控制输出逆变系统，包括一IC控制芯片和连接所述IC控制芯片的前级升压电路和全桥交流后级输出电路，所述IC控制芯片的第一前级升压控制引脚连接所述前级升压电路的第一输入端；所述IC控制芯片的第二前级升压控制引脚连接所述前级升压电路的第二输入端；所述IC控制芯片的第一后级全桥驱动脚连接所述全桥交流后级输出电路的第一输入端口；所述IC控制芯片的第二后级全桥驱动脚连接所述全桥交流后级输出电路的第二输入端口，本实用新型专利技术采用单芯片控制逆变电源输出，减小了控制芯片对逆变电源内部的占用空间，降低了逆变电源内部布线复杂度，而且降低了厂家的生产成本和用户的使用成本。

Single Chip Controlled Output Inverter System

【技术实现步骤摘要】
单芯片控制输出逆变系统
本技术涉及一种逆变系统，尤其涉及一种单芯片控制输出的逆变系统。
技术介绍
逆变电源是利用晶闸管电路把直流电转变成交流电并为负载供电的供电装置。现有技术中的逆变电源内部通常由两个或两个以上控制芯片来控制逆变电源的输出，然而逆变电源内部各类元器件较多，多个控制芯片不仅占用有限的逆变电源内部空间，还提高了逆变电源内部布线的复杂度，而且还增加了厂家的生产成本和用户的使用成本。
技术实现思路
鉴于上述存在的技术问题，本技术提供一种单芯片控制输出逆变系统，以解决上述技术问题。本技术解决其技术问题采取的技术方案为，提供一种单芯片控制输出逆变系统，包括一IC控制芯片和连接所述IC控制芯片的前级升压电路和全桥交流后级输出电路，所述IC控制芯片的第一前级升压控制引脚连接所述前级升压电路的第一输入端；所述IC控制芯片的第二前级升压控制引脚连接所述前级升压电路的第二输入端；所述IC控制芯片的第一后级全桥驱动脚连接所述全桥交流后级输出电路的第一输入端口；所述IC控制芯片的第二后级全桥驱动脚连接所述全桥交流后级输出电路的第二输入端口。作为本技术的一种优选方案，所述前级升压电路包括电压驱动器件和变压器，所述电压驱动器件为场效应管，所述场效应管包括第一场效应管和第二场效应管，所述第一场效应管的栅极连接所述IC控制芯片的所述第一前级升压控制引脚；所述第一场效应管的漏极连接所述变压器的第一输入端；所述第一场效应管的源极连接至接地端；所述第二场效应管的栅极连接所述IC控制芯片的所述第二前级升压控制引脚；所述第二场效应管的漏极连接所述变压器的第三输入端；所述第二场效应管的漏极连接至接地端；所述变压器的第二输入端连接一直流电源的输出端。作为本技术的一种优选方案，所述全桥交流后级输出电路包括电压驱动器件，所述电压驱动器件为场效应管，所述场效应管包括第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管和第六场效应管；所述第三场效应管的栅极连接所述IC控制芯片的所述第一后级全桥驱动脚；所述第三场效应管的漏极连接所述第五场效应管的漏极；所述第三场效应管的源极连接所述第四场效应管的漏极；所述第四场效应的栅极连接所述IC控制芯片的所述第二后级全桥驱动脚；所述第四场效应管的源极连接至接地端；所述第五场效应管的栅极连接所述IC控制芯片的所述第一后级全桥驱动脚；所述第五场效应管的源极连接所述第六场效应管的漏极；所述第六场效应管的栅极连接所述IC控制芯片的所述第二后级全桥驱动脚；所述第六场效应管的源极连接至接地端。作为本技术的一种优选方案，所述电压驱动器件还包括绝缘栅双极晶体管。作为本技术的一种优选方案，所述场效应管为N沟道场效应管。作为本技术的一种优选方案，所述的单芯片控制输出逆变系统还包括一上电检测电路，所述上电检测电路的输出端连接所述IC控制芯片的上电检测引脚。作为本技术的一种优选方案，所述的单芯片控制输出逆变系统还包括一风机控制电路，所述风机控制电路的输出端连接所述IC控制芯片的风机控制引脚。作为本技术的一种优选方案，所述的单芯片控制输出逆变系统还包括一报警控制电路，所述报警控制电路的输出端连接所述IC控制芯片报警控制引脚。作为本技术的一种优选方案，所述的单芯片控制输出逆变系统还包括一过温保护电路，所述过温保护电路的输出端连接所述IC控制芯片的温度检测控制引脚。作为本技术的一种优选方案，所述的单芯片控制输出逆变系统还包括电压采样电路和电流采样电路，所述电压采样电路的输出端连接所述IC控制芯片的电压采样脚；所述电流采样电路的输出端连接所述IC控制芯片的电流采样脚。与现有技术相比，本技术的有益效果是，改变了现有技术中的逆变电源由两个或两个以上控制芯片控制逆变电源输出的方式，采用单芯片控制逆变电源输出，减小了控制芯片对逆变电源内部的占用空间，降低了逆变电源内部布线复杂度，而且降低了厂家的生产成本和用户的使用成本。附图说明图1是本技术实施例提供的单芯片控制输出逆变系统的结构示意图；图2是本技术实施例提供的单芯片控制输出逆变系统的输出控制框图；图3是本技术实施例提供的单芯片控制输出逆变系统中的IC控制芯片的结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，但不作为本技术的限定。实施例一：请参照图2，本技术实施例一提供的一种单芯片控制输出逆变系统，包括一IC控制芯片1和连接所述IC控制芯片1的前级升压电路100和全桥交流后级输出电路200，所述IC控制芯片1的第一前级升压控制引脚2连接所述前级升压电路100的第一输入端101；所述IC控制芯片1的第二前级升压控制引脚3连接所述前级升压电路100的第二输入端102；所述IC控制芯片1的第一后级全桥驱动脚连接4所述全桥交流后级输出电路200的第一输入端口201；所述IC控制芯片1的第二后级全桥驱动脚连5接所述全桥交流后级输出电路200的第二输入端口202。所述单芯片控制输出逆变系统用于将直流12V输入电压逆变输出为220V/50Hz的交流电压。所述前级升压电路100包括电压驱动器件和变压器6，所述电压驱动器件为场效应管，所述场效应管包括第一场效应管7和第二场效应管8；所述第一场效应管7的栅极连接所述IC控制芯片1的所述第一前级升压控制引脚2；所述第一场效应管7的漏极连接所述变压器6的第一输入端61；所述第一场效应管7的源极连接至接地端；所述第二场效应管8的栅极连接所述IC控制芯片1的所述第二前级升压控制引脚3；所述第二场效应管8的漏极连接所述变压器6的第三输入端63；所述第二场效应管8的漏极连接至接地端；所述变压器6的第二输入端62连接一直流电源的输出端。所述变压器6的第一输出端64和第二输出端65分别连接一第一正向导通二极管9和一第二正向导通二极管19后相互连接在一起。所述第一正向导通二极管9和所述第二正向导通二极管10两者之间相交的连接点A作为所述前级升压电路100的输出端。所述第一正向导通二极管9的输入端连接一第一反向导通二极管11后连接至接地端；所述第二正向导通二极管10的输入端连接一第二反向导通二极管12后连接至接地端。所述全桥交流后级输出电路200同样包括电压驱动器件，所述电压驱动器件同样为场效应管，所述场效应管的数量为四个，分别为第三场效应管13、第四场效应管14、第五场效应管15和第六场效应管16；所述第三场效应管13的栅极连接所述IC控制芯片1的所述第一后级全桥驱动脚4；所述第三场效应管13的漏极连接所述第五场效应管15的漏极；所述第三场效应管13的源极连接所述第四场效应管14的漏极；所述第四场效应管14的栅极连接所述IC控制芯片1的所述第二后级全桥驱动脚5；所述第四场效应管14的源极连接至接地端；所述第五场效应管15的栅极连本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单芯片控制输出逆变系统，其特征在于，包括一IC控制芯片和连接所述IC控制芯片的前级升压电路和全桥交流后级输出电路，所述IC控制芯片的第一前级升压控制引脚连接所述前级升压电路的第一输入端；所述IC控制芯片的第二前级升压控制引脚连接所述前级升压电路的第二输入端；所述IC控制芯片的第一后级全桥驱动脚连接所述全桥交流后级输出电路的第一输入端口；所述IC控制芯片的第二后级全桥驱动脚连接所述全桥交流后级输出电路的第二输入端口。

【技术特征摘要】
1.一种单芯片控制输出逆变系统，其特征在于，包括一IC控制芯片和连接所述IC控制芯片的前级升压电路和全桥交流后级输出电路，所述IC控制芯片的第一前级升压控制引脚连接所述前级升压电路的第一输入端；所述IC控制芯片的第二前级升压控制引脚连接所述前级升压电路的第二输入端；所述IC控制芯片的第一后级全桥驱动脚连接所述全桥交流后级输出电路的第一输入端口；所述IC控制芯片的第二后级全桥驱动脚连接所述全桥交流后级输出电路的第二输入端口。2.如权利要求1所述的单芯片控制输出逆变系统，其特征在于，所述前级升压电路包括电压驱动器件和变压器，所述电压驱动器件为场效应管，所述场效应管包括第一场效应管和第二场效应管，所述第一场效应管的栅极连接所述IC控制芯片的所述第一前级升压控制引脚；所述第一场效应管的漏极连接所述变压器的第一输入端；所述第一场效应管的源极连接至接地端；所述第二场效应管的栅极连接所述IC控制芯片的所述第二前级升压控制引脚；所述第二场效应管的漏极连接所述变压器的第三输入端；所述第二场效应管的漏极连接至接地端；所述变压器的第二输入端连接一直流电源输出端。3.如权利要求1所述的单芯片控制输出逆变系统，其特征在于，所述全桥交流后级输出电路包括电压驱动器件，所述电压驱动器件为场效应管，所述场效应管包括第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管和第六场效应管；所述第三场效应管的栅极连接所述IC控制芯片的所述第一后级全桥驱动脚；所述第三场效应管的漏极连接所述第五场效应管的漏极；所述第三场效应管的源极连接所述第四...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄言圣，张健行，
申请(专利权)人：纽福克斯光电科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31