一种利用电容耦合并用方波控制继电器制造技术

本实用新型专利技术具体涉及一种利用电容耦合并用方波控制继电器，三极管Q1，用于控制导通或断开功能；微控制单元MCU，微控制单元MCU的IO输出端与三极管Q１的基极相连接，并且微控制单元MCU的IO控制三极管Q１的通断状态；继电器KA，继电器KA与三极管Q１的集电极相连接，三极管Q１控制继电器KA吸合或分离状态；三极管Q1的基极与微控制单元MCU的IO输出端之间串联有第二电容C２和第三电阻R３，所述第二电容C２和第三电阻R３构成断开回路，断开车回路接收方波的频率达到F>１/RC时，控制三极管Q1导通。本实用新型专利技术的有益效果是：本结构通过第二电容C２和第三电阻R３构成断开回路，能防止因IO输出端出现损坏，避免继电器一直处于通电状态而导致整体失控。

A Relay Using Capacitance Coupling and Square Wave Control

【技术实现步骤摘要】
一种利用电容耦合并用方波控制继电器
本技术具体涉及一种利用电容耦合并用方波控制继电器。
技术介绍
继电器线圈需要流过较大的电流(约50mA)才能使继电器吸合，一般的集成电路不能提供这样大的电流，因此必须进行扩流，即驱动。为用三极管驱动继电器的电路，继电器线圈作为集电极负载而接到集电极和正电源之间。当输入为0V时，三极管截止，继电器线圈无电流流过，则继电器释放(OFF);相反，当输入为+VCC时，三极管饱和，继电器线圈有相当的电流流过，则继电器吸合(ON)。现有的采用微控制单元MCU控制三极管通断状态，使三极管对继电器实施有效控制，但是在使用过程中存在不足之处：微控制单元MCU的IO输出端损坏后，IO输出端可能出现高电平，使三极管处于打开，从而驱动经继电器，最终导致失控状态。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述现有技术的不足，提供了一种能防止因IO输出端出现损坏，避免继电器一直处于通电状态而导致整体失控的利用电容耦合并用方波控制继电器。本技术描述的一种利用电容耦合并用方波控制继电器，包括如下。三极管Q1，用于控制导通或断开功能。微控制单元MCU，微控制单元MCU的IO输出端与三极管Q１的基极相连接，并且微控制单元MCU的IO控制三极管Q１的通断状态。继电器KA，继电器KA与三极管Q１的集电极相连接，三极管Q１控制继电器KA吸合或分离状态。三极管Q1的基极与微控制单元MCU的IO输出端之间串联有第二电容C２和第三电阻R３，所述第二电容C２和第三电阻R３构成断开回路，断开车回路接收方波的频率达到F>１/RC时，控制三极管Q1导通。具体进一步，所述继电器KA电连接开关K1。具体进一步，所述继电器KA并联有第一二极管D1。具体进一步，所述微控制单元MCU的型号是8032或8052或8752或8952或C8051。具体进一步，所述三极管Q1与第二电容C2之间还依次串联有第一电阻R1和第三二极管D３。具体进一步，所述三极管Q1的发射极和基极之间并联有第二电阻R２。具体进一步，所述三极管Q1的发射极和基极之间并联有第一电容C１。具体进一步，所述三极管Q1的发射极和基极之间并联有第二二极管D2。本技术的有益效果是：本结构通过第二电容C２和第三电阻R３构成断开回路，能防止因IO输出端出现损坏，避免继电器一直处于通电状态而导致整体失控。附图说明图1是本技术最佳实施例的电路图。具体实施方式下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。下面参考图1描述根据本技术实施例的一种利用电容耦合并用方波控制继电器，包括如下。三极管Q1，用于控制导通或断开功能。微控制单元MCU，微控制单元MCU的IO输出端与三极管Q１的基极相连接，并且微控制单元MCU的IO控制三极管Q１的通断状态。继电器KA，继电器KA与三极管Q１的集电极相连接，三极管Q１控制继电器KA吸合或分离状态。三极管Q1的基极与微控制单元MCU的IO输出端之间串联有第二电容C２和第三电阻R３，所述第二电容C２和第三电阻R３构成断开回路，断开车回路接收方波的频率达到F>１/RC时，控制三极管Q1导通。其中F>１/RC，其中容抗R单位欧姆，电容C单位法拉，频率f单位赫兹。本结构通过第二电容C２和第三电阻R３构成断开回路，能防止因IO输出端出现损坏，避免继电器一直处于通电状态而导致整体失控。其中第二电容C２有隔直流和通交流作用，当电平一直高时，第二电容C２处于断开状态，等方波的频率达到F>１/RC时，控制三极管Q1导通。控制三极管Q1导通时，继电器KA也处于导通状态；另外，第三电阻R３避免电流过高强制激穿第二电容C２而导通。本技术所述继电器KA电连接开关K1。其中所述继电器KA并联有第一二极管D1。继电器KA也处于导通状态时，使开关K1也闭合导通状态。如果突然切断继电器时，继电器本身就会产生一个很强的电动势，击穿试图阻断电流开关，所以本电路采用第一二极管D1就是为这个电动势提供一个泄放的通路，由于电动势的方向与电源的方向相反，所以叫做反向电动势，第一二极管D1也是反向接入的。使电动势就不会太高了，保护了开关K1和其他元器件不至于损坏。本技术所述微控制单元MCU的型号是8032或8052或8752或8952或C8051。微控制单元MCU将计算机的CPU、RAM、ROM、定时计数器和多种I/O接口集成在一片芯片上，形成芯片级的计算机，为不同的应用场合做不同组合控制。其中三极管Q1与第二电容C2之间还依次串联有第一电阻R1和第三二极管D３。其中第三二极管D３正向内阻很小，所以串联一个第一电阻R1常常起到限流、保护的作用。其中三极管Q1的发射极和基极之间并联有第二电阻R２。三极管Q1的发射极和基极之间并联有第一电容C１。三极管Q1的发射极和基极之间并联有第二二极管D2。第二电阻R２、第一电容C１和第二二极管D2组合，使整体的电路起到稳定性能。本电路中第一电阻R1的阻值为1K，第二电阻R２的阻值为100K。第一二极管D1的型号为IN4148。上仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用电容耦合并用方波控制继电器，其特征在于：包括：三极管Q1，用于控制导通或断开功能；微控制单元MCU，微控制单元MCU的IO输出端与三极管Q1的基极相连接，并且微控制单元MCU的IO控制三极管Q1的通断状态；继电器KA，继电器KA与三极管Q1的集电极相连接，三极管Q1控制继电器KA吸合或分离状态；三极管Q1的基极与微控制单元MCU的IO输出端之间串联有第二电容C２和第三电阻R３，所述第二电容C２和第三电阻R３构成断开回路，断开车回路接收方波的频率达到F>1/RC 时，控制三极管Q1导通。

【技术特征摘要】
1.一种利用电容耦合并用方波控制继电器，其特征在于：包括：三极管Q1，用于控制导通或断开功能；微控制单元MCU，微控制单元MCU的IO输出端与三极管Q1的基极相连接，并且微控制单元MCU的IO控制三极管Q1的通断状态；继电器KA，继电器KA与三极管Q1的集电极相连接，三极管Q1控制继电器KA吸合或分离状态；三极管Q1的基极与微控制单元MCU的IO输出端之间串联有第二电容C２和第三电阻R３，所述第二电容C２和第三电阻R３构成断开回路，断开车回路接收方波的频率达到F>1/RC时，控制三极管Q1导通。2.根据权利要求1所述一种利用电容耦合并用方波控制继电器，其特征在于：所述继电器KA电连接开关K1。3.根据权利要求1或2所述一种利用电容耦合并用方波控制继电器，其特征在于：所述继电...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁银河，
申请(专利权)人：广东盈科电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44