一种陶瓷元件巴块制造技术

本实用新型专利技术公开了一种陶瓷元件巴块，其包括，巴块本体，所述巴块本体包括芯片区域以及围绕所述芯片区域布置的边料区域，所述边料区域上设置有四个用于标识切割位置的切割标识线，所述四个切割标识线依次连接相处围绕所述芯片区域的图形，并且所述图形与所述芯片区域同心。本实用新型专利技术通过设置四个切割标识线，在对所述巴块本体进行切割时，可以使边料区域不会完全切断，从而可将芯片区域与边料区域快速分离，以得到合格的芯片。

A Ceramic Component Bulk

【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷元件巴块
本技术涉及MLCC
，具体涉及一种陶瓷元件巴块。
技术介绍
MLCC（Multi-layerCeramicChipCapacitors，片式多层陶瓷电容器）等陶瓷元件，传统的切割方法是将切割刀片固定在切割机刀座上，陶瓷生坯半成品巴块置与切割机平台中，通过光电摄像头自动识别切割线并对巴块Y轴长方向自动切割，切割完Y轴自动旋转平台对巴块X轴宽方向进行切割，将整块陶瓷生坯分离为单个电容器芯片（以下简称产品）。切割产品过程中刀片的长度大于或等于巴块尺寸，使切割芯片及边角料全部切断，从而在随后手动分离边角料时，需逐颗剥离边角料，效率低下且工作繁琐，还可能对切割芯片造成损伤。并且，因为边角料被切断，造成边角料不易分离并混进大批切割芯片中，影响产品质量。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于现有技术的不足，本技术旨在提供一种陶瓷元件巴块。本技术所采用的技术方案如下：一种陶瓷元件巴块，其包括，巴块本体，所述巴块本体包括芯片区域以及围绕所述芯片区域布置的边料区域，所述边料区域上设置有四个用于标识切割位置的切割标识线，所述四个切割标识线依次首尾相邻以形成与所述芯片区域同心的区域。所述陶瓷元件巴块，其中，所述四个切割标识线将所述边料区域划分为切割区域和非切割区域，所述切割区域位于所述非切割区域与所述芯片区域之间，当所述巴块本体被切割时，仅所述切割区域被切割。所述陶瓷元件巴块，其中，所述四个切割标识线围成正方形，且所述正方形的边长与用于切割所述巴块本体的切割刀的长度相等。所述陶瓷元件巴块，其中，所述切割区域与所述非切割区域的宽度相等。所述陶瓷元件巴块，其中，所述芯片区域设置若干沿第一方向延伸的第一切割线和若干沿第二方向延伸的第二切割线，所述若干第一切割线和若干第二切割线均延伸至所述边料区域的边缘。所述陶瓷元件巴块，其中，所述第一方向与第二方向相互垂直。所述陶瓷元件巴块，其中，所述四个切割标识线中两个切割标识线平行于第一切割线，另两个切割标识线平行于第二切割线。所述陶瓷元件巴块，其中，所述各切割标识线距离其靠近的巴块本体的边缘的距离相等。所述陶瓷元件巴块，其中，所述切割标识线距离其靠近的巴块本体的边缘的距离为1.5-8mm。有益效果：与现有技术相比，本技术提供了一种陶瓷元件巴块，其包括，巴块本体，所述巴块本体包括芯片区域以及围绕所述芯片区域布置的边料区域，其中，所述边料区域上设置有四个用于标识切割位置的切割标识线，所述四个切割标识线依次连接相处围绕所述芯片区域的图形，并且所述图形与所述芯片区域同心。本技术通过设置四个切割标识线，通过所述切割标识对切割位置进行标识，这样可以使得边料区域不被完全切断，从而可将芯片区域与边料区域快速分离，以得到合格的芯片。附图说明图1是本技术提供的陶瓷元件巴块较佳实施例的结构示意图。图2是本技术提供的用于切割陶瓷元件巴块的切割刀的结构示意图。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。本技术提供的一种陶瓷元件巴块，如图1所示，所述陶瓷元件巴块包括，巴块本体1，所述巴块本体包括芯片区域2以及围绕所述芯片区域2布置的边料区域3，其中，所述边料区域3上设置有四个用于标识切割位置的切割标识线4，所述四个切割标识线4依次首尾连接以形成围绕所述芯片区域的区域，所述切割标识线围成的区域与所述芯片区域2同心，并与所述芯片区域2之间具有间隙。进一步，如图1和图2所示，所述四个切割标识线4围成正方形，相应的，所述芯片区域2也为正方形，且所述四个切割标识线4围成的正方形与所述芯片区域2同心。并且，所述四个切割标识线4围成正方形的边长等于用于切割所述巴块本体1的切割刀9的长度，通过将切割刀的长度设置为与四个切割标识线4围成的正方形的边长相等，需要说明的是，本实施例中，用于切割所述巴块本体的切割刀与所述正方形的边长相等，这样，本技术对所述巴块本体进行切割时，可以使边料区域不会完全切断，从而可将芯片区域与边料区域快速分离，以得到合格的芯片。进一步，所述四个切割标识线4将所述边料区域划分为切割区域7和非切割区域8，所述切割区域7位于所述非切割区域8与所述芯片区域2之间，当所述巴块本体1被切割时，仅所述切割区域7被切割。其中，所述切割区域7可以大于所述非切割区域8的宽度，其也可以所述切割区域7小于所述非切割区域8的宽度，可以理解的，本实施例优选为，所述切割区域7等于所述非切割区域8的宽度。需要说明的是，所述切割区域7的宽度一定要大于零，这样，在对所述巴块本体1进行切割时，可以保证边料区域3不会被完全切断，从而使所述芯片2与所述边料区域3完全分离。如图1所示，所述芯片区域2设置若干沿第一方向延伸的第一切割线5和若干沿第二方向延伸的第二切割线6，所述若干第一切割线5和若干第二切割线6均延伸至所述边料区域3的边缘。其中，所述第一切割线为Y轴方向的切割线，并且，所述第二切割线为X轴方向的切割线。通过设置第一切割线和第二切割线，可以将调整好位置的切割刀分别沿着第一方向的第一切割线和第二方向的第二切割线进行切割。进一步，如图1和图2所示，所述巴块本体1的边长长度为a2，所述芯片区域2的长度为c2，所述切割刀9的长度为b2，所述切割标识线的长度大于芯片区域沿第一方向的长度，且小于陶瓷元件巴块沿第一方向的长度。同时，切割刀的长度与切割标识线的长度相等，也就是说，切割刀9的长度b2，大于芯片区域2的边长c2，且小于巴块本体1边长a2，因此在所述陶瓷元件巴块进行切割后，使所述边料区域3未被完全切断，从而留下边料非切割区域8，进一步，因为非切割区域8未完全切断，所以在进行分离边料时，未完全切断的非切割区域8可将已切断的切割区域7保持成整条状，并通过分筛的方式将芯片区域2与边料区域3完全分离，从而得到合格的芯片10。进一步，边料非切割区域8最理想范围可控制在1.5-8mm之间，但可根据陶瓷元件巴块尺寸大小进行凋细分,以下列举几个常见尺寸边料非切割区域8的理想可控范围:陶瓷元件巴块尺寸75*75，非切割区域可控制在1.5-3mm；陶瓷元件巴块尺寸150*150，非切割区域可控制在2-4mm；陶瓷元件巴块尺寸220-220，非切割区域可控制在3-8mm。综上所述，本技术公开了一种陶瓷元件巴块，其包括，巴块本体，所述巴块本体包括芯片区域以及围绕所述芯片区域布置的边料区域，其中，所述边料区域上设置有四个用于标识切割位置的切割标识线，所述四个切割标识线依次连接相处围绕所述芯片区域的图形，并且所述图像与所述芯片区域同心。本技术通过设置四个切割标识线，在对所述巴块本体进行切割时，可以使边料区域不会完全切断，从而可将芯片区域与边料区域快速分离，以得到合格的芯片，并且，本技术在分离边角料的过程避免了对芯片的损伤，同时，使边料不再碎片化，提升了芯片质量。应当理解的是，本技术的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本技术所附权利要求的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种陶瓷元件巴块，其包括，巴块本体，所述巴块本体包括芯片区域以及围绕所述芯片区域布置的边料区域，其特征在于，所述边料区域上设置有四个用于标识切割位置的切割标识线，所述四个切割标识线依次首尾相邻以形成与所述芯片区域同心的区域。

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷元件巴块，其包括，巴块本体，所述巴块本体包括芯片区域以及围绕所述芯片区域布置的边料区域，其特征在于，所述边料区域上设置有四个用于标识切割位置的切割标识线，所述四个切割标识线依次首尾相邻以形成与所述芯片区域同心的区域。2.根据权利要求1所述陶瓷元件巴块，其特征在于，所述四个切割标识线将所述边料区域划分为切割区域和非切割区域，所述切割区域位于所述非切割区域与所述芯片区域之间，当所述巴块本体被切割时，仅所述切割区域被切割。3.根据权利要求1或2所述陶瓷元件巴块，其特征在于，所述四个切割标识线围成正方形，且所述正方形的边长与用于切割所述巴块本体的切割刀的长度相等。4.根据权利要求2所述陶瓷元件巴块，其特征在于，所述切割区域与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：明全友，向勇，王强，朱琪，林显竣，侯耀家，
申请(专利权)人：广东微容电子科技有限公司，深圳微容实业有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44