一种双面太阳能电池及其制备方法技术

本申请公开了一种双面太阳能电池，包括P型衬底层；位于P型衬底层第一表面的第一掺杂层，第一掺杂层包括第一重掺杂区和环绕在第一重掺杂区外边缘的第一轻掺杂区；位于第一掺杂层上表面的第一钝化层；位于第一钝化层上表面的第一电极，且第一电极与第一重掺杂区接触；位于P型衬底层第二表面的第二掺杂层，第二掺杂层包括第二重掺杂区和第二轻掺杂区；位于第二掺杂层下表面的第二钝化层；位于第二钝化层下表面的第二电极；其中，第一表面与第二表面相对。本申请中的双面太阳能电池，在电池的第一表面和第二表面均采用选择性发射极技术，使光电转换效率得到进一步提升。此外，本申请还提供一种具有上述优点的制备方法。

A double-sided solar cell and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种双面太阳能电池及其制备方法
本申请涉及太阳能电池
，特别是涉及一种双面太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
随着社会的发展，能源消耗急剧增加，能源危机是世界各国关注的焦点问题。为了缓解能源危机，充分利用可再生能源是一种有效措施。太阳能是一种绿色环保，储量无限，不会产生任何废水、废渣等污染物的可再生能源，因此，近几年光伏行业迅速发展。提高太阳能电池的光电转换效率一直是光伏行业追求的目标。近年来，通过提升硅片的质量以及浆料的性能，太阳能电池的光电转换效率有了较高的提升，但是，单面太阳能电池的效率提升已经到了瓶颈期。双面太阳能电池的出现进一步提高了太阳能电池的光电转换效率。PERT电池(PassivatedEmitterandRearTotally-diffusedcell，钝化发射极背表面全扩散电池)，是一种典型的双面太阳能电池，通过在电池的背面利用选择性发射极技术，使电池的光电转换效率得到提升，但是，光电转换效率提升程度有限。
技术实现思路
本申请的目的是提供一种双面太阳能电池及其制备方法，以提升双面太阳能电池的光电转换效率。为解决上述技术问题，本申请提供一种双面太阳能电池，包括：P型衬底层；位于所述P型衬底层第一表面的第一掺杂层，所述第一掺杂层包括第一重掺杂区和环绕在所述第一重掺杂区外边缘的第一轻掺杂区；位于所述第一掺杂层上表面的第一钝化层；位于所述第一钝化层上表面的第一电极，且所述第一电极与所述第一重掺杂区接触；位于所述P型衬底层第二表面的第二掺杂层，所述第二掺杂层包括第二重掺杂区和第二轻掺杂区；位于所述第二掺杂层下表面的第二钝化层；位于所述第二钝化层下表面的第二电极；其中，所述第一表面与所述第二表面相对。可选的，所述第二电极为银铝浆料形成的电极。可选的，所述第一钝化层包括：位于所述第一掺杂层上表面的第一氧化硅层；位于所述第一氧化硅层上表面的第一氮化硅层。可选的，所述第二钝化层包括：位于所述第二掺杂层下表面的第二氧化硅层；位于所述第二氧化硅层下表面的氧化铝层；位于所述氧化铝层下表面的第二氮化硅层。可选的，所述第一氮化硅层的厚度取值范围为65nm至90nm，包括端点值。可选的，所述氧化铝层的厚度取值范围为4nm至20nm，包括端点值。可选的，所述第二氮化硅层的厚度取值范围为65nm至140nm，包括端点值。可选的，所述第二重掺杂区在平行于所述P型衬底层第二表面的方向上的长度取值范围为100μm至160μm，包括端点值。本申请还提供一种双面太阳能电池制备方法，包括：在P型衬底层第一表面形成第一掺杂层，所述第一掺杂层包括第一重掺杂区和环绕在所述第一重掺杂区外边缘的第一轻掺杂区；在所述第一掺杂层上表面形成第一钝化层；在所述第一钝化层上表面形成第一电极，且所述第一电极与所述第一重掺杂区接触；在所述P型衬底层第二表面形成第二掺杂层，所述第二掺杂层包括第二重掺杂区和第二轻掺杂区；在所述第二掺杂层下表面形成第二钝化层；在所述第二钝化层下表面形成第二电极；其中，所述第一表面与所述第二表面相对。可选的，在所述第二钝化层下表面形成第二电极之后，还包括：进行抗光衰处理。本申请所提供的双面太阳能电池，包括P型衬底层；位于所述P型衬底层第一表面的第一掺杂层，所述第一掺杂层包括第一重掺杂区和环绕在所述第一重掺杂区外边缘的第一轻掺杂区；位于所述第一掺杂层上表面的第一钝化层；位于所述第一钝化层上表面的第一电极，且所述第一电极与所述第一重掺杂区接触；位于所述P型衬底层第二表面的第二掺杂层，所述第二掺杂层包括第二重掺杂区和第二轻掺杂区；位于所述第二掺杂层下表面的第二钝化层；位于所述第二钝化层下表面的第二电极；其中，所述第一表面与所述第二表面相对。可见，本申请中的双面太阳能电池，在电池的第一表面和第二表面分别具有第一掺杂层和第二掺杂层，且第一掺杂层包括第一重掺杂区和环绕在所述第一重掺杂区外边缘的第一轻掺杂区，第二掺杂层包括第二重掺杂区和第二轻掺杂区，即在电池的第一表面和第二表面均采用选择性发射极技术，减少载流子表面复合，提高钝化效果，减小金属电极的欧姆接触电阻，相较于现有技术中的双面太阳能电池，光电转换效率得到进一步提升。此外，本申请还提供一种具有上述优点的制备方法。附图说明为了更清楚的说明本申请实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例所提供的一种双面太阳能电池的结构示意图；图2为本申请实施例所提供的一种双面太阳能电池制备方法流程图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。正如
技术介绍
部分所述，现有的双面太阳能电池，在电池的背面利用选择性发射极技术，使电池的光电转换效率得到提升，但是，光电转换效率提升程度有限。有鉴于此，本申请提供了一种双面太阳能电池，请参考图1，图1为本申请实施例所提供的一种双面太阳能电池的结构示意图，包括：P型衬底层1；具体的，P型衬底层1为P型晶体硅。位于所述P型衬底层1第一表面的第一掺杂层2，所述第一掺杂层2包括第一重掺杂区21和环绕在所述第一重掺杂区21外边缘的第一轻掺杂区22；需要指出的是，第一表面为双面太阳能电池的正面，即面对太阳的表面。还需要指出的是，第一重掺杂区21的掺杂浓度高于第一轻掺杂区22，第一重掺杂区21被第一轻掺杂区22包围；第一掺杂层2的远离P型衬底层1的表面是一个平整的表面，在第一掺杂层2到P型衬底层1的方向上，第一重掺杂区21的高度高于第一轻掺杂区22。具体的，第一掺杂层2为5A族元素(如磷)掺杂形成的掺杂层，其中，第一重掺杂区21的方阻取值范围为60ohm/□至90ohm/□，包括端点值，第一轻掺杂区22的方阻取值范围为100ohm/□至130ohm/□，包括端点值。位于所述第一掺杂层2上表面的第一钝化层3；在本申请的一个实施例中，第一钝化层3为第一氮化硅层，但是本实施例对此不做限定，在本申请的另一实施例中，第一钝化层3包括位于所述第一掺杂层2上表面的第一氧化硅层和位于所述第一氧化硅层上表面的第一氮化硅层，以增强双面太阳能电池的钝化效果，阻挡载流子在双面太阳能电池表面的复合，提高双面太阳能电池的光电转换效率。位于所述第一钝化层3上表面的第一电极4，且所述第一电极4与所述第一重掺杂区21接触；具体的，第一电极4需要完全与第一重掺杂区21接触，第一电极4为银电极。第一重掺杂区21掺杂浓度高，第一电极4与第一重掺杂区21接触区域的电阻小，有利于提高双面太阳能电池的光电转换效率；第一轻掺杂区22掺杂浓度低，可以降低载流子的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双面太阳能电池，其特征在于，包括：P型衬底层；位于所述P型衬底层第一表面的第一掺杂层，所述第一掺杂层包括第一重掺杂区和环绕在所述第一重掺杂区外边缘的第一轻掺杂区；位于所述第一掺杂层上表面的第一钝化层；位于所述第一钝化层上表面的第一电极，且所述第一电极与所述第一重掺杂区接触；位于所述P型衬底层第二表面的第二掺杂层，所述第二掺杂层包括第二重掺杂区和第二轻掺杂区；位于所述第二掺杂层下表面的第二钝化层；位于所述第二钝化层下表面的第二电极；其中，所述第一表面与所述第二表面相对。

【技术特征摘要】
1.一种双面太阳能电池，其特征在于，包括：P型衬底层；位于所述P型衬底层第一表面的第一掺杂层，所述第一掺杂层包括第一重掺杂区和环绕在所述第一重掺杂区外边缘的第一轻掺杂区；位于所述第一掺杂层上表面的第一钝化层；位于所述第一钝化层上表面的第一电极，且所述第一电极与所述第一重掺杂区接触；位于所述P型衬底层第二表面的第二掺杂层，所述第二掺杂层包括第二重掺杂区和第二轻掺杂区；位于所述第二掺杂层下表面的第二钝化层；位于所述第二钝化层下表面的第二电极；其中，所述第一表面与所述第二表面相对。2.如权利要求1所述的双面太阳能电池，其特征在于，所述第二电极为银铝浆料形成的电极。3.如权利要求1所述的双面太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层包括：位于所述第一掺杂层上表面的第一氧化硅层；位于所述第一氧化硅层上表面的第一氮化硅层。4.如权利要求1所述的双面太阳能电池，其特征在于，所述第二钝化层包括：位于所述第二掺杂层下表面的第二氧化硅层；位于所述第二氧化硅层下表面的氧化铝层；位于所述氧化铝层下表面的第二氮化硅层。5.如权利要求3所述的双面太阳能电池，其特征在于，所述第一氮化硅层的厚度取值范围为65nm至9...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡党平，张树德，连维飞，魏青竹，倪志春，苗凤秀，姚悦，王金艺，
申请(专利权)人：苏州腾晖光伏技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32