一次写入多次读取的数据存储器件及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种一次写入多次读取的数据存储器件及系统。其中，该数据存储器件包括：存储单元，用于存储数据；以及单向器，与存储单元串联连接，用于允许第一极性电信号通过存储单元，不允许第二极性电信号通过存储单元，其中，第一极性电信号与第二极性电信号极性相反；晶体管，与存储单元以及单向器串联连接，用于提供第一极性电信号以及第二极性电信号。本发明专利技术解决了相关技术采用硬击穿模式实一次写入多次读取导致读取数据比较困难的技术问题。

Data Memory Devices and Systems Written and Readed Many times at One Time

【技术实现步骤摘要】
一次写入多次读取的数据存储器件及系统
本专利技术涉及电子领域，具体而言，涉及一种一次写入多次读取的数据存储器件及系统。
技术介绍
电子数据修改起来相对容易，并且不会留下太多修改痕迹。随着各机构越来越多地依赖电子数据，如何保护这些数据不被错误地修改变得越来越重要。为了保护电子数据不被修改，可以采用的一种方法是以单写多读(WORM)存储的方式来存储数据。许多企业单位如金融服务等依赖某种形式的WORM存储来存储关键数据。WORM功能可保证数据长期不变，通常使用光学存储来实现WORM存储。光学存储是用激光束聚焦亚微米级的光点记录在光盘介质上，可用激光束读出记录信息。光学读写头重，光学头的寻址速度使得数据读写时间比较慢；光盘易划伤破坏无法读取数据；并且光盘的理论存储密度比较低，容量比较小。目前，相关技术提出基于RRAM实现WORM的技术，采用硬击穿模式使存储层电阻趋于无穷大作为存储中高阻态。相关技术还提出基于MTJ硬击穿模式实现WORM的技术。但是，上述技术因为是断路状态，读电流比较小，读取数据比较困难；硬击穿存储层或者MTJ层需要很大的电流，这对晶体管供电能力要求比较高。针对相关技术采用硬击穿模式实一次写入多次读取导致读取数据比较困难的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种一次写入多次读取的数据存储器件及系统，以至少解决相关技术采用硬击穿模式实一次写入多次读取导致读取数据比较困难的技术问题。根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种一次写入多次读取的数据存储器件，包括：存储单元，用于存储数据；以及单向器，与所述存储单元串联连接，用于允许第一极性电信号通过所述存储单元，不允许第二极性电信号通过所述存储单元，其中，所述第一极性电信号与所述第二极性电信号极性相反；晶体管，与所述存储单元以及所述单向器串联连接，用于提供所述第一极性电信号以及所述第二极性电信号。进一步地，所述单向器为二极管。进一步地，所述二极管的阳极与所述晶体管的源极相连接，所述二极管的阴极与所述存储单元相连接。进一步地，所述二极管的阳极与所述存储单元相连接，所述二极管的阴极与所述晶体管的源极相连接。进一步地，所述存储单元的第一端与所述二极管的阳极相连接，所述存储单元的第二端与所述晶体管的源极相连接。进一步地，所述存储单元的第一端与所述二极管的阴极相连接，所述存储单元的第二端与所述晶体管的源极相连接。进一步地，所述存储单元至少包括以下任意一种：电阻式存储单元；磁电阻存储单元；铁电式存储单元。进一步地，所述存储单元为双极性电阻式存储单元或自旋扭矩转移磁性隧道结。根据本专利技术实施例的另一方面，还提供了一种一次写入多次读取的数据存储系统，所述数据存储系统具有多层结构，其中，所述多层结构中的每层包括至少一个本专利技术实施例中的任一项所述的数据存储器件。进一步地，所述数据存储系统还包括：第一字线，连接到每层中的所述晶体管的栅极；第一位线，连接到第一层中的所述晶体管的漏极，其中，所述多层结构包括所述第一层；第二位线，连接到所述第一层中的所述单向器。在本专利技术实施例中，一次写入多次读取的数据存储器件包括：存储单元，用于存储数据；以及单向器，与存储单元串联连接，用于允许第一极性电信号通过存储单元，不允许第二极性电信号通过存储单元，其中，第一极性电信号与第二极性电信号极性相反；晶体管，与存储单元以及单向器串联连接，用于提供第一极性电信号以及第二极性电信号。该数据存储器件基于单向器的电流单向性能实现一次写入多次读取，由于单向器具备限定电流方向的功能，存储单元只能单向写入或者擦除操作，从而达到一次写入多次读取的目的，进而解决了相关技术采用硬击穿模式实一次写入多次读取导致读取数据比较困难的技术问题，从而使得读取数据更加容易，且功耗更低的技术效果。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本申请的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1是根据本专利技术实施例的一种可选的一次写入多次读取的数据存储器件的示意图；图2是根据本专利技术实施例的另一种可选的一次写入多次读取的数据存储器件的示意图；图3是根据本专利技术实施例的又一种可选的一次写入多次读取的数据存储器件的示意图；图4是根据本专利技术实施例的再一种可选的一次写入多次读取的数据存储器件的示意图；图5是根据本专利技术实施例的一种可选的一次写入多次读取的数据存储系统的示意图；以及图6是根据本专利技术实施例的一种可选的一次写入多次读取的数据存储系统中的单个结构单元的示意图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。根据本专利技术实施例，提供了一种一次写入多次读取的数据存储器件的实施例。需要说明的是，该数据存储器件可以实现一次写入多次读取的功能。图1是根据本专利技术实施例的一种可选的一次写入多次读取的数据存储器件的示意图，如图1所示，该数据存储器件可以包括：存储单元10、单向器20以及晶体管30，其中，存储单元10、单向器20以及晶体管30串联连接。存储单元10，可以用于存储数据。可选地，存储单元10至少可以包括以下任意一种：电阻式存储单元；磁电阻存储单元；铁电式存储单元。其中，电阻式存储单元可以为双极性电阻式存储单元，磁电阻存储单元可以为自旋扭矩转移磁性隧道结。需要说明的是，本专利技术实施例中的存储单元10还可以为其他类型，此处不再一一举例说明。单向器20，可以与存储单元10串联连接，用于允许第一极性电信号通过存储单元10，不允许第二极性电信号通过存储单元10，其中，第一极性电信号与第二极性电信号极性相反。也就是说，单向器20具备单方向电流通过特性。可选地，单向器20可以为二极管，二极管具有单方向电流通过特性，且结构简单，成本较低。晶体管30，与存储单元10以及单向器20串联连接，用于提供第一极性电信号以及第二极性电信号。作为一种可选的实施例，存储单元10、单向器20(以二极管为例)以及晶体管30之间的串联连接关系可以包括以下四种情况，具体地：如图1所示，二极管的阳极与晶体管的源极相连接，二极管的阴极与存储单元相连接。如图2所示，二极管的阳极与存储单元相连接，二极管的阴极与晶体管的源极相连接。如图3所示，存储单元的第一端与二极管的阳极相连接，存储单元的第二端与晶体管的源极相连接。如图4所示，存储单元的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种一次写入多次读取的数据存储器件，其特征在于，包括：存储单元，用于存储数据；单向器，与所述存储单元串联连接，用于允许第一极性电信号通过所述存储单元，不允许第二极性电信号通过所述存储单元，其中，所述第一极性电信号与所述第二极性电信号极性相反；晶体管，与所述存储单元以及所述单向器串联连接，用于提供所述第一极性电信号以及所述第二极性电信号。

【技术特征摘要】
1.一种一次写入多次读取的数据存储器件，其特征在于，包括：存储单元，用于存储数据；单向器，与所述存储单元串联连接，用于允许第一极性电信号通过所述存储单元，不允许第二极性电信号通过所述存储单元，其中，所述第一极性电信号与所述第二极性电信号极性相反；晶体管，与所述存储单元以及所述单向器串联连接，用于提供所述第一极性电信号以及所述第二极性电信号。2.根据权利要求1所述的数据存储器件，其特征在于，所述单向器为二极管。3.根据权利要求2所述的数据存储器件，其特征在于，所述二极管的阳极与所述晶体管的源极相连接，所述二极管的阴极与所述存储单元相连接。4.根据权利要求2所述的数据存储器件，其特征在于，所述二极管的阳极与所述存储单元相连接，所述二极管的阴极与所述晶体管的源极相连接。5.根据权利要求2所述的数据存储器件，其特征在于，所述存储单元的第一端与所述二极管的阳极相连接，所述存储单元的第二端与所述晶体管的源极相连...

【专利技术属性】
技术研发人员：左正笏，
申请(专利权)人：中电海康集团有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33