阵列基板、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种阵列基板、显示面板及显示装置。阵列基板包括衬底基板、驱动电路层和多个发光单元。驱动电路层设于衬底基板上，包括光敏器件。多个发光单元设于驱动电路层上，包括从驱动电路层往远离衬底基板的方向依次设置的第一电极、透明电极、发光层和第二电极，第一电极对应光敏器件的位置设有贯通第一电极的通孔，透明电极覆盖于第一电极上，并填充通孔，允许发光层发出的光透过，照射至光敏器件上。显示面板包括封装层及阵列基板，封装层设于阵列基板上。显示装置包括显示面板。

Array Substrate, Display Panel and Display Device

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板及显示装置
本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
技术介绍
OLED(Organic-Light-EmittingDiode，有机发光二极管)通过在有机材料中电子空穴的复合过程中发射出的光来显示图像。由于其制备工艺简单，成本低，响应速度快、易于实现彩色显示和大屏幕显示、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、轻薄且易于实现柔性显示等优点，使其具有广阔的应用前景。但是，采用OLED的显示技术也存在一些问题，一般的驱动电路中包括用于驱动OLED的驱动晶体管，OLED在长期工作之后可能出现显示亮度不均匀的现象。可能是由于驱动晶体管的阈值电压发生漂移，导致流过OLED的电流发生变化，从而使得显示亮度不均匀。还可能由于OLED老化而造成OLED显示亮度不均匀。目前一般采用电学补偿的方式来对驱动管的阈值电压进行补偿。但是传统的电学补偿方式不能够补偿由于OLED老化造成的发光亮度不均匀。
技术实现思路
本专利技术提供一种能够实现对OLED进行光学补偿的阵列基板、显示面板及显示装置。本申请的一个方面提供一种阵列基板，其包括：衬底基板；驱动电路层，设于所述衬底基板上，包括光敏器件；及发光单元，设于所述驱动电路层上，包括从所述驱动电路层往远离所述衬底基板的方向依次设置的第一电极、透明电极、发光层和第二电极，所述第一电极对应所述光敏器件的位置设置有贯通所述第一电极的通孔，所述透明电极覆盖于所述第一电极上，并填充所述通孔，允许所述发光层发出的光透过，照射至所述光敏器件上。本申请的另一个方面提供一种显示面板。其包括：封装层及上述阵列基板，所述封装层设于所述阵列基板上。本申请的再一个方面提供一种显示装置。其包括：上述显示面板。本申请阵列基板通过在发光单元的第一电极上对应光敏器件的位置开设贯通第一电极的通孔，透明电极覆盖在第一电极上，并填充通孔，允许发光层发出的光透过，照射至光敏器件上。光敏器件接收由发光单元发出再经过透明电极透射的光，将该光信号转换成电信号。该电信号可以反映发光单元的发光强度。进而可根据该电信号对发光单元的发光强度进行调整，从而实现对发光单元的光学补偿。透明电极使得发光层的对应通孔的部分仍然可以正常发光。附图说明图1所示为本申请显示面板的一个实施例的剖视图；图2所示为本申请像素电路的一个实施例的电路图；图3所示为图2所示的像素电路的时序图；图4所示为本申请像素电路的另一个实施例的电路图；图5所示为图4所示的像素电路的时序图；图6所示为本申请显示装置的一个实施例的示意框图。具体实施方式这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置的例子。在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。除非另作定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请说明书以及权利要求书中使用的“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。本申请实施例的阵列基板包括衬底基板、驱动电路层和多个发光单元。驱动电路层设于衬底基板上，包括光敏器件。多个发光单元设于驱动电路层上，包括从驱动电路层往远离衬底基板的方向依次设置的第一电极、透明电极、发光层和第二电极，第一电极对应光敏器件的位置设有贯通第一电极的通孔，透明电极覆盖于第一电极上，并填充通孔，允许发光层发出的光透过，照射至光敏器件上。阵列基板通过在发光单元的第一电极上对应光敏器件的位置开设贯通第一电极的通孔，透明电极覆盖在第一电极上，并填充通孔，允许发光层发出的光透过，照射至光敏器件上。光敏器件接收由发光单元发出再经过透明电极透射的光，将该光信号转换成电信号。该电信号可以反映发光单元的发光强度。进而可根据该电信号对发光单元的发光强度进行调整，从而实现对发光单元的光学补偿。透明电极与第一电极电接触，使得发光层的对应通孔的部分仍然可以正常发光。图1所示为本申请显示面板100的一个实施例的剖视图。显示面板100包括封装层101和阵列基板110，封装层101设于阵列基板110上。阵列基板110包括衬底基板111、驱动电路层107和多个发光单元102。在一个实施例中，封装层101用于防止外界环境中的水及氧气等和发光单元102发生反应，而降低发光单元102的发光性能。在一些实施例中，发光单元102包括有机发光二极管。驱动电路层107设于衬底基板111上，包括光敏器件109。光敏器件109可感测发光单元102发射的光，并将感测到的光转换为电信号。通过读取该电信号可判断对应的发光强度，若大于标准发光强度，可将实际发光强度调低，若小于标准发光强度，可将实际发光强度调高。如此，可实现对发光单元102的光学补偿。在一些实施例中，光敏器件109包括光电二极管。在一个实施例中，驱动电路层107包括设于衬底基板111上的TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)膜层115，TFT膜层115设有TFT。在一个实施例中，TFT可采用顶栅结构。在另一个实施例中，TFT可采用底栅结构。光敏器件109位于TFT膜层115背向衬底基板111的一侧。在一个实施例中，驱动电路层107包括设于TFT膜层115和发光单元102之间的介质层116，介质层116具有开口117，光敏器件109设于介质层116的开口117内。光敏器件109面向发光单元102的表面与介质层116面向发光单元102的表面平齐。光敏器件109包括从TFT膜层115往发光单元102方向依次设置的第一极112、感光层113和第二极114。在一个实施例中，光敏器件109包括PIN光电二极管，光敏器件109的第一极112为N型层，光敏器件109的感光层113为L层(即本征半导体层)，光敏器件109的第二极114为P型层。多个发光单元102设于驱动电路层107上，包括从驱动电路层107往远离衬底基板111的方向依次设置的第一电极106、透明电极105、发光层104和第二电极103，第一电极106对应光敏器件109的位置设有贯通第一电极106的通孔108，透明电极105覆盖于第一电极106上，并填充通孔108，允许发光层104发出的光透过，照射至光敏器件109上。在一个实施例中，发光单元102采用顶发射结构。第一电极106可将发光层104发射的光进行反射。第二电极103可将发光层104发射的光一部分进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，其包括：衬底基板；驱动电路层，设于所述衬底基板上，包括光敏器件；及多个发光单元，设于所述驱动电路层上，包括从所述驱动电路层往远离所述衬底基板的方向依次设置的第一电极、透明电极、发光层和第二电极，所述第一电极对应所述光敏器件的位置设有贯通所述第一电极的通孔，所述透明电极覆盖于所述第一电极上，并填充所述通孔，允许所述发光层发出的光透过，照射至所述光敏器件上。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，其包括：衬底基板；驱动电路层，设于所述衬底基板上，包括光敏器件；及多个发光单元，设于所述驱动电路层上，包括从所述驱动电路层往远离所述衬底基板的方向依次设置的第一电极、透明电极、发光层和第二电极，所述第一电极对应所述光敏器件的位置设有贯通所述第一电极的通孔，所述透明电极覆盖于所述第一电极上，并填充所述通孔，允许所述发光层发出的光透过，照射至所述光敏器件上。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述驱动电路层包括像素电路，所述像素电路包括与数据信号线、读取信号线、所述光敏器件和所述第一电极连接的开关电路，及与所述开关电路连接的驱动电路。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于：所述开关电路包括连接于所述第一电极和所述驱动电路之间的第一开关晶体管。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于：所述开关电路包括与所述第一开关晶体管和所述读取信号线连接的第二开关晶体管，所述第二开关晶体管的第一极连接于所述第一开关晶体管与所述驱动电路之间，所述第二开关晶体管的第二极连接于所述读取信号线。5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于：所述第一开关晶体管的第一极连接所述驱动电路，所述第一开关晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁小梁，王海生，刘英明，邓立凯，秦云科，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11