一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法，包括：在选定的基片材料上旋涂一定厚度的非光敏材料；在非光敏材料上旋涂正性光刻胶；利用剥离工艺在双层胶结构上实现声表面波滤波器性能指标，获得声表面波滤波器。该方法可以提高正性光刻胶附着力，进而降低剥离工艺的难度，提高成品率。

A Fabrication Method of Surface Acoustic Wave Filter with High Adhesion of Positive Photoresist

【技术实现步骤摘要】
一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法
本专利技术涉及电子
，尤其涉及一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法。
技术介绍
对于声表面波滤波器来说，基片材料的机电耦合系数和频率温度系数决定了其应用。石英压电材料由于具有0.14％的机电耦合系数以及一阶温度系数为0的特性，在极窄带领域具有广泛的应用。但是，由于光刻胶和石英晶圆之间的附着性不理想，经光刻显影后容易出现“漂胶”现象，导致其工艺难度增加。目前，对于石英基底声表面波滤波器的制造主要采用以下几种方式：一是在石英晶圆表面沉积层铝、铬等金属作为打底层，再利用牺牲层工艺实现声表面波滤波器性能指标；二是在石英晶圆上喷涂增凝剂，提高光刻胶的附着性，再利用剥离工艺实现声表面波滤波器性能指标。然而，利用铝、铬等金属作为牺牲层的方式，在后续工序中需要用酸对打底层进行腐蚀，容易破坏功能层的性质，且工艺稳定性较差；喷涂增凝剂的方式多数使用的是六甲基二硅胺(HMDS)，而HMDS具有生殖毒性，工艺危险度较大。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法，可以提高正性光刻胶附着力，进而降低剥离工艺的难度，提高成品率。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法，包括：在选定的基片材料上旋涂一定厚度的非光敏材料；在非光敏材料上旋涂正性光刻胶；利用剥离工艺在双层胶结构上实现声表面波滤波器性能指标，获得声表面波滤波器。由上述本专利技术提供的技术方案可以看出，通过在基片材料和光刻胶之间旋涂非光敏弄材料，提高光刻胶附着力，防止光刻胶在显影时发生不必要的脱落；同时非光敏材料的厚度具有可调节性，能够和光刻胶形成多层胶结构，降低剥离工艺的难度，提高成品率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。图1为本专利技术实施例提供的一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法的流程图；图2是本专利技术实施例提供的匀胶后掩膜层结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的显影后掩膜层结构示意图；图4是采用本专利技术实施例提供的方法的显影后效果图；图5是本专利技术实施例提供的镀膜后掩膜层结构示意图；图6是本专利技术实施例提供的声表面波滤波器基本结构示意图；图7是采用本专利技术实施例提供的方法的剥离后效果图。具体实施方式下面结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术的保护范围。本专利技术实施例提供一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法，如图1所示，其主要包括如下步骤：1、在选定的基片材料上旋涂一定厚度的非光敏材料。本步骤可以采用如下方式操作：在选定的基片材料上以2300r/20s的匀胶转速旋涂非光敏材料，对非光敏材料进行涂胶后烘焙处理去除部分溶剂，温度180℃，时间40min。示例性的，基片材料可以选择34°石英压电基片，非光敏材料可以为LOR5A光阻。2、在非光敏材料上旋涂正性光刻胶。本步骤可以采用如下方式操作：在非光敏材料上以3000r/20s的匀胶转速旋涂正性光刻胶，对正性光刻胶进行涂胶后烘焙处理去除部分溶剂，温度90℃，时间40min。示例性的，所述正性光刻胶可以为AZ系列或SPR系列正性光刻胶。本专利技术实施例中，所述非光敏材料与正性光刻胶形成的双层胶结构为掩膜层；其中，非光敏材料的厚度为掩膜层总厚度的1/5～1/3，正性光刻胶的厚度为掩膜层总厚度的2/3～4/5。此外，非光敏材料溶解于显影液中的速率大于光刻胶的溶解速率。如图2所示，为匀胶后掩膜层结构，其中，1-基片材料，2-非光敏材料，3-正性光刻胶。3、利用剥离工艺在双层胶结构上实现声表面波滤波器性能指标，获得声表面波滤波器。还参见图1，主要实现过程如下：1)对掩膜层进行曝光，并进行烘焙处理。示例性的，对掩膜层曝光时间为120ms～280ms，曝光能量密度为600mJ/cm2～700mJ/cm2。掩膜层进行曝光后烘焙处理的温度可以为90℃，时间可以为5min。2)利用显影液对烘焙后的掩膜层进行显影，并进行烘焙处理。示例性的，显影液可以为质量浓度2.38％的TMAH正性光刻胶显影液，显影时间可以为5s-20s。对掩膜层进行显影后烘焙处理的温度可以为90℃，时间可以为10min。如图3所示，为显影后掩膜层结构，如图4所示，为显影后的效果。3)在显影后的掩膜层上沉积金属材料。本专利技术实施例中，在显影后的掩膜层上沉积金属材料时可以使用真空蒸镀技术实现，方式如下：在掩膜层上镀一层过渡层，后在所述过渡层上镀一层金属材料。如图5所示，镀膜后掩膜层结构，其中，1-基片材料，2-非光敏材料，3-正性光刻胶，4-过渡层，5-金属材料。示例性的，所述过渡层可以采用铬金属材料，所述金属材料可以采用铝金属材料。4)利用有机溶剂去除正性光刻胶以及附着在正性光刻胶上的金属材料。示例性的，有机溶剂可以为丙酮和乙醇。5)利用显影液浸泡剥离后的基片，去除非光敏材料，得到声表面波滤波器基本结构。如图6所示，为基于上述方式得到的声表面波滤波器基本结构，基片材料1上的过渡层4与功能层5(即，金属材料)具有相同的形状，其中过渡层4的厚度可以为0.5nm～2nm，用于提高金属材料的附着力。功能层5主要用以激励和接收声表面波，其形貌和厚度由电性能指标而定，其相对厚度(即，膜层厚度与波长的比值)为2％～10％。如图7所示，为通过上述方案剥离后的效果图。本专利技术实施例上述方案，通过在基片材料和光刻胶之间旋涂非光敏材料，提高附着力，防止光刻胶在显影时发生不必要的脱落。非光敏材料可溶解于使用的显影液之中，可避免对后续功能层性能的影响；同时非光敏材料的厚度具有可调节性，能够和光刻胶形成多层胶结构，降低剥离工艺的难度，提高成品率。以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术披露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。因此，本专利技术的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法，其特征在于，包括：在选定的基片材料上旋涂一定厚度的非光敏材料；在非光敏材料上旋涂正性光刻胶；利用剥离工艺在双层胶结构上实现声表面波滤波器性能指标，获得声表面波滤波器。

【技术特征摘要】
1.一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法，其特征在于，包括：在选定的基片材料上旋涂一定厚度的非光敏材料；在非光敏材料上旋涂正性光刻胶；利用剥离工艺在双层胶结构上实现声表面波滤波器性能指标，获得声表面波滤波器。2.根据权利要求1所述的一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法，其特征在于，所述非光敏材料与正性光刻胶形成的双层胶结构为掩膜层。3.根据权利要求1或2所述的一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法，其特征在于，非光敏材料的厚度为掩膜层总厚度的1/5～1/3，正性光刻胶的厚度为掩膜层总厚度的2/3～4/5。4.根据权利要求1或2所述的一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法，其特征在于，所述非光敏材料为LOR5A光阻，所述正性光刻胶为AZ系列或SPR系列正性光刻胶。5.根据权利要求1或2所述的一种具有正性光刻胶高附着力的声表面波滤波器制备方法，其特征在于，所述利用剥离工艺在双层胶结构上实现声表面波滤波器性能指标，获得声表面波滤波器包括：对掩膜层进行曝光，并进行烘焙处理；利用显影液对烘焙后的掩膜层进行显影，并进行烘焙处理；...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨睿，黄歆，闫坤坤，杨丽萍，张雅，代莉莉，
申请(专利权)人：北京中科飞鸿科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11