移位寄存器单元、栅极驱动电路和显示装置制造方法及图纸

本公开提供了一种移位寄存器单元、栅极驱动电路和显示装置。移位寄存器单元包括衬底，以及设置在衬底上的第一充电晶体管、第一放电晶体管和第一存储电容。第一放电晶体管的沟道宽长比小于第一充电晶体管的沟道宽长比。衬底包括第一矩形区域，所述第一矩形区域具有沿第一方向的长度和沿与第一方向垂直的第二方向的宽度。第一放电晶体管在所述衬底上的正投影与第一存储电容在所述衬底上的正投影沿第一方向排列在所述第一矩形区域中，并且第一放电晶体管和第一存储电容在所述衬底上的正投影与第一充电晶体管在所述衬底上的正投影沿第二方向排列在所述第一矩形区域中。

Shift Register Unit, Gate Drive Circuit and Display Device

【技术实现步骤摘要】
移位寄存器单元、栅极驱动电路和显示装置
本公开涉及显示
，具体地涉及一种移位寄存器单元、栅极驱动电路和显示装置。
技术介绍
在基于薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)的液晶显示器(LiquidCrystalDevice，LCD)或有源矩阵有机发光显示器(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDisplay,AMOLED)中，可以将阵列基板栅极驱动电路(GatedriveOnArray，GOA)形成于显示面板的边框处，以向各个像素行提供栅极驱动信号。GOA包括多个级联的移位寄存器单元，每个移位寄存器单元用于驱动一个像素行。移位寄存器单元在像素行排列方向的尺寸受到像素尺寸的限制。
技术实现思路
本公开提出了一种移位寄存器单元、栅极驱动电路和显示装置。根据本公开的一个方面，提供了一种移位寄存器单元。所述移位寄存器单元包括衬底以及设置在衬底上的第一充电晶体管、第一放电晶体管和第一存储电容。第一放电晶体管的沟道宽长比小于第一充电晶体管的沟道宽长比。所述衬底包括第一矩形区域，所述第一矩形区域具有沿第一方向的长度和沿与第一方向垂直的第二方向的宽度。第一放电晶体管在所述衬底上的正投影与第一存储电容在所述衬底上的正投影沿第一方向排列在所述第一矩形区域中，并且第一放电晶体管和第一存储电容在所述衬底上的正投影与第一充电晶体管在所述衬底上的正投影沿第二方向排列在所述第一矩形区域中。在一些实施例中，所述第一放电晶体管、第一存储电容和第一充电晶体管在所述衬底上的正投影紧密地覆盖所述第一矩形区域。在一些实施例中，第一放电晶体管的沟道为沿第一方向延伸的条状结构。在一些实施例中，第一充电晶体管的沟道为沿第一方向延伸的条状结构或包括多个沿第一方向延伸的条状结构的叉指结构。在一些实施例中，所述第一方向是所述移位寄存器单元用于驱动的像素行的延伸方向，以及第一矩形区域的宽度等于像素尺寸。在一些实施例中，第一放电晶体管的第一极和第二极之一与第一充电晶体管的第一极和第二极之一的一部分复用同一电极结构。在一些实施例中，所述移位寄存器单元还包括第一输出信号端、第一充电信号端和第一放电信号端。第一充电晶体管的控制极与充电节点电连接，第一充电晶体管的第一极与第一充电信号端电连接，第一充电晶体管的第二极与第一输出信号端电连接，第一充电晶体管被配置为在充电节点的电压的控制下将来自第一充电信号端的第一充电信号传送到第一输出信号端。第一放电晶体管的控制极与放电节点电连接，第一放电晶体管的第一极与第一放电信号端电连接，第一放电晶体管的第二极与第一输出信号端电连接，第一放电晶体管被配置为在放电节点的电压的控制下将来自第一放电信号端的第一放电信号传送到第一输出信号端。第一存储电容的第一端电连接到充电节点，第一存储电容的第二端电连接到第一输出信号端。在一些实施例中，移位寄存器单元还包括第一附加放电晶体管。第一附加放电晶体管在所述衬底上的正投影与第一放电晶体管在所述衬底上的正投影沿第二方向排列在所述第一矩形区域中，第一放电晶体管和第一附加放电晶体管在所述衬底上的正投影与第一存储电容在所述衬底上的正投影沿第一方向排列在所述第一矩形区域中，并且第一放电晶体管、第一附加放电晶体管和第一存储电容在所述衬底上的正投影与第一充电晶体管在所述衬底上的正投影沿第二方向排列在所述第一矩形区域中。在一些实施例中，所述第一放电晶体管、第一附加放电晶体管、第一存储电容和第一充电晶体管在所述衬底上的正投影紧密地覆盖所述第一矩形区域。在一些实施例中，第一附加放电晶体管的沟道为沿第一方向延伸的条状结构。在一些实施例中，第一附加放电晶体管的第一极和第二极之一与第一放电晶体管的第一极和第二极之一复用同一电极结构。在一些实施例中，移位寄存器单元还包括第一附加放电信号端。第一附加放电晶体管的控制极与附加放电节点电连接，第一附加放电晶体管的第一极与第一附加放电信号端电连接，第一附加放电晶体管的第二极与第一输出信号端电连接，第一附加放电晶体管被配置为在附加放电节点的电压的控制下将来自第一附加放电信号端的第一附加放电信号传送到第一输出信号端。在一些实施例中，移位寄存器单元还包括设置在衬底上的第二充电晶体管、第二放电晶体管和第二存储电容。第二放电晶体管的沟道宽长比小于第二充电晶体管的沟道宽长比。所述衬底包括第二矩形区域，第二矩形区域与第一矩形区域具有公共边，并且第一矩形区域与第二矩形区域相对于所述公共边是镜面对称的。第二充电晶体管、第二放电晶体管和第二存储电容在第二矩形区域中的布置与第一充电晶体管、第一放电晶体管和第一存储电容在第一矩形区域中的布置相对于所述公共边是镜面对称的。根据本公开的另一方面，提供了一种栅极驱动电路。所述栅极驱动电路包括多个级联的根据上述任一实施例所述的移位寄存器单元。根据本公开的另一方面，提供了一种显示装置。所述显示装置包括根据上述任一实施例所述的栅极驱动电路。附图说明为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1A示出了单个薄膜晶体管的示意电路图。图1B示出了图1A所示的薄膜晶体管的示意分层结构图。图1C和图1D分别示出了图1A所示的薄膜晶体管的具有不同示例结构的示意版图。图2A示出了根据本公开实施例的移位寄存器单元的示意电路图。图2B示出了图2A所示的移位寄存器单元的输出子电路的一种示意元件布局。图2C示出了图2A所示的移位寄存器单元的输出子电路的另一示意元件布局。图2D示出了在图2C所示的元件布局下输出子电路的示意版图。图3A示出了根据本公开另一实施例的移位寄存器单元的输出子电路的示意电路图。图3B示出了图3A所示的移位寄存器单元的输出子电路的示意元件布局。图3C示出了图3B所示的元件布局下输出子电路的示意版图。图4A示出了根据本公开另一实施例的移位寄存器单元的第一输出子电路和第二输出子电路的示意电路图。图4B示出了图4A所示的第一输出子电路和第二输出子电路的的示意元件布局。图4C示出了图4B所示的布局下第一输出子电路和第二输出子电路的示意版图。图5示出了根据本公开实施例的显示装置的示意图。具体实施方式为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部。基于所描述的本公开实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例都属于本公开保护的范围。应注意，贯穿附图，相同的元素由相同或相近的附图标记来表示。在以下描述中，一些具体实施例仅用于描述目的，而不应该理解为对本公开有任何限制，而只是本公开实施例的示例。在可能导致对本公开的理解造成混淆时，将省略常规结构或构造。应注意，图中各部件的形状和尺寸不反映真实大小和比例，而仅示意本公开实施例的内容。除非另外定义，本公开实施例使用的技术术语或科学术语应当是本领域技术人员所理解的通常意义。本公开实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似词语并本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种移位寄存器单元，包括衬底，以及设置在衬底上的第一充电晶体管、第一放电晶体管和第一存储电容，其中，第一放电晶体管的沟道宽长比小于第一充电晶体管的沟道宽长比，其中，所述衬底包括第一矩形区域，所述第一矩形区域具有沿第一方向的长度和沿与第一方向垂直的第二方向的宽度，第一放电晶体管在所述衬底上的正投影与第一存储电容在所述衬底上的正投影沿第一方向排列在所述第一矩形区域中，并且第一放电晶体管和第一存储电容在所述衬底上的正投影与第一充电晶体管在所述衬底上的正投影沿第二方向排列在所述第一矩形区域中。

【技术特征摘要】
1.一种移位寄存器单元，包括衬底，以及设置在衬底上的第一充电晶体管、第一放电晶体管和第一存储电容，其中，第一放电晶体管的沟道宽长比小于第一充电晶体管的沟道宽长比，其中，所述衬底包括第一矩形区域，所述第一矩形区域具有沿第一方向的长度和沿与第一方向垂直的第二方向的宽度，第一放电晶体管在所述衬底上的正投影与第一存储电容在所述衬底上的正投影沿第一方向排列在所述第一矩形区域中，并且第一放电晶体管和第一存储电容在所述衬底上的正投影与第一充电晶体管在所述衬底上的正投影沿第二方向排列在所述第一矩形区域中。2.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其中，所述第一放电晶体管、第一存储电容和第一充电晶体管在所述衬底上的正投影紧密地覆盖所述第一矩形区域。3.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其中，第一放电晶体管的沟道为沿第一方向延伸的条状结构。4.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其中，第一充电晶体管的沟道为沿第一方向延伸的条状结构或包括多个沿第一方向延伸的条状结构的叉指结构。5.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其中，所述第一方向是所述移位寄存器单元用于驱动的像素行的延伸方向，以及第一矩形区域的宽度等于像素尺寸。6.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其中，第一放电晶体管的第一极和第二极之一与第一充电晶体管的第一极和第二极之一的一部分复用同一电极结构。7.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，还包括第一输出信号端、第一充电信号端和第一放电信号端，第一充电晶体管的控制极与充电节点电连接，第一充电晶体管的第一极与第一充电信号端电连接，第一充电晶体管的第二极与第一输出信号端电连接，第一充电晶体管被配置为在充电节点的电压的控制下将来自第一充电信号端的第一充电信号传送到第一输出信号端，第一放电晶体管的控制极与放电节点电连接，第一放电晶体管的第一极与第一放电信号端电连接，第一放电晶体管的第二极与第一输出信号端电连接，第一放电晶体管被配置为在放电节点的电压的控制下将来自第一放电信号端的第一放电信号传送到第一输出信号端，第一存储电容的第一端电连接到充电节点，第一存储电容的第二端电连接到第一输出信号端。8.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯雪欢，李永谦，
申请(专利权)人：合肥京东方卓印科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34