摄像元件和摄像装置制造方法及图纸

本技术涉及能够减小测距误差的摄像元件和摄像装置。固态摄像装置设置有像素阵列单元，该像素阵列单元具有多个对入射光进行光电转换的像素，其中，各个像素包括：基板，该基板对入射光进行光电转换；第一信号提取部，该第一信号提取部包括用于通过施加电压来产生电场的应用电极和用于对通过光电转换产生的信号载流子进行检测的吸引电极；第二信号提取部，该第二信号提取部包括应用电极和吸引电极；以及聚光部，该聚光部形成在基板上且使光入射到基板上。聚光部使光至少会聚到设置在基板内的第一信号提取部和第二信号提取部之间。本技术能够应用到CAPD传感器。

Camera element and camera device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像元件和摄像装置
本技术涉及摄像元件和摄像装置，并具体地涉及能够减小测距误差的摄像元件和摄像装置。
技术介绍
通常使用间接飞行时间(ToF：TimeofFlight)方法的测距系统是众所周知的。在该测距系统中，这样的传感器是必需的：该传感器能够将信号电荷高速地分配到不同区域，该信号电荷是通过接收主动光(activelight)在撞击到物体上时的反射光而获得的，该主动光是通过使用发光二极管(LED：LightEmittingDiode)或激光器在一定相位下发出的。因此，已构思出这样的技术：其中，例如，将电压直接施加到传感器的基板以在基板内产生电流，从而能够在基板内的宽范围区域中高速地进行调制(例如，参见专利文献1)。该传感器也称为电流辅助光子解调器(CAPD：CurrentAssistedPhotonicDemodulator)传感器。在CAPD传感器中，在构成像素的基板中，设置有一对信号提取部(抽头(tap))，每个抽头都具有被施加电压的应用电极(applicationelectrode)和用于收集电荷的吸引电极(attractionelectrode)。当电压被施加到一个抽头(称本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.摄像元件，所述摄像元件包括像素阵列单元，所述像素阵列单元包括多个对进入的光进行光电转换的像素，其中各个所述像素包括：基板，所述基板对所述进入的光进行光电转换；第一信号提取部，所述第一信号提取部包括应用电极和吸引电极，所述应用电极用于通过施加电压来产生电场，所述吸引电极用于对通过光电转换产生的信号载流子进行检测；第二信号提取部，所述第二信号提取部包括所述应用电极和所述吸引电极；以及聚光部，所述聚光部形成在所述基板上且使所述光进入所述基板，并且所述聚光部使所述光至少会聚到设置在所述基板内的所述第一信号提取部和所述第二信号提取部之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.09.28 JP 2017-1881521.摄像元件，所述摄像元件包括像素阵列单元，所述像素阵列单元包括多个对进入的光进行光电转换的像素，其中各个所述像素包括：基板，所述基板对所述进入的光进行光电转换；第一信号提取部，所述第一信号提取部包括应用电极和吸引电极，所述应用电极用于通过施加电压来产生电场，所述吸引电极用于对通过光电转换产生的信号载流子进行检测；第二信号提取部，所述第二信号提取部包括所述应用电极和所述吸引电极；以及聚光部，所述聚光部形成在所述基板上且使所述光进入所述基板，并且所述聚光部使所述光至少会聚到设置在所述基板内的所述第一信号提取部和所述第二信号提取部之间。2.根据权利要求1所述的摄像元件，其中所述聚光部包括具有向上凸起的曲面形状的片上透镜。3.根据权利要求2所述的摄像元件，其中所述片上透镜是通过对STSR进行回蚀而形成的。4.根据权利要求2所述的摄像元件，其中所述片上透镜是通过回流处理形成的。5.根据权利要求2所述的摄像元件，其中所述片上透镜是使用高折射率材料形成的。6.根据权利要求2所述的摄像元件，其中所述片上透镜是通过对构成所述基板的基板材料进行蚀刻而形成的。7.根据权利要求2所述的摄像元件，其还包括形成在所述片上透镜上的外涂层。8.根据权利要求1所述的摄像元件，其中所述聚光部包括具有向下凸起的曲面形状的片上透镜。9.根据权利要求1所述的摄像元件，其中所述聚光部包括衍射透镜。10.根据权利要求1所述的摄像元件，其中所述聚光部包括梯度折射率透镜。11.根据权利要求1所述的摄像元件，其还包括形成在所述聚光部和所述基板之间的层内透镜。12.根据权利要求1所述的摄像元件，其中各个所述像素还包括像素间遮光部，所述像素间遮光部形成在各个所述像素的位于所述基板的入射表面上的端部处。13.根据权利要求12所述的摄像元件，其中所述像素间遮光部形成为覆盖所述第一信号提取部和所述第二信号提取部中各者的至少一半。14.根据权利要求1所述的摄像元件，其中各个所述像素还包括像素隔离部，所述像素隔离部形成为隔离各个所述像素的所述基板。15.根据权利要求1所述的摄像元件，其中各个所述像素还包括反射构件，所述反射构件形成在所述基板的与入射表面相反的一侧的表面上且反射从所述入射表面进入所述基板的所述光。16.根据权利要求1所述的摄像元件，其中所述聚光部针对各个所述像素逐一形成在所述基板上。17.根据权利要求1所述的摄像元件，其中所述聚光部包括：第一聚光部，所述第一聚光部使所述光会聚到各个所述像素的所述第一信号提取部和所述第二信号提取部之间，以及第二聚光部，所述第二聚光部使所述光会聚到各个所述像素的所述第一信号提取部和与各个所述像素相邻的相邻像素的所述第二信号提取部之间，或者使所述光会聚到各个所述像素的所述第二信号提取部和与各个所述像素相邻的相邻像素的所述第一信号提取部之间。18.根据权利要求1所述的摄像元件，其中所述第一信号提取部和所述第二信号提取部设置在所述基板的与入...

【专利技术属性】
技术研发人员：円能寺皓平，山口真悟，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP