【技术实现步骤摘要】
显示装置、制造显示装置的方法，和电子设备本申请是国际申请号为PCT/JP2014/068876、申请日为2014年7月16日、进入中国国家阶段日期为2016年3月4日、专利技术名称为“显示装置、制造显示装置的方法，和电子设备”的PCT申请的中国国家阶段申请的分案申请，该中国国家阶段申请的申请号为201480049070.4。
本公开涉及一种显示装置，其包括电流驱动的显示元件、制造这种显示装置的方法，和设有这种显示装置的电子设备。
技术介绍
近年来，在进行图像显示的显示装置的领域中，使用电流驱动的光学元件作为发光元件的显示装置(有机电致发光(EL)显示装置，诸如有机EL元件)(其发光亮度基于流动电流的值而变化)已经被开发且其商业化正在进行。不像液晶元件或其它元件，发光元件是自发光元件，且无需单独的光源(背光)。因此，与其需要光源的液晶显示装置相比，有机EL显示装置具有图像的高可见度、低功耗和元件的高响应速度等的特性。在这样的显示装置中，单位像素可包括例如写入晶体管和驱动晶体管。写入晶体管适于选择像素信号要被写入其中的单位像素，且驱动晶体管适于将电流提供到发光元件。例...
【技术保护点】
1.一种显示装置，其包括：发光元件；和驱动晶体管，其包括耦接部和通过所述耦接部串联耦接的多个沟道部，其中所述驱动晶体管被构造为将驱动电流提供到所述发光元件。
【技术特征摘要】
2013.09.12 JP 2013-189836;2014.02.06 JP 2014-021601.一种显示装置，其包括：发光元件；和驱动晶体管，其包括耦接部和通过所述耦接部串联耦接的多个沟道部，其中所述驱动晶体管被构造为将驱动电流提供到所述发光元件。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述多个沟道部中的每个都在第一方向上延伸。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述多个沟道部设置在相同层上，且所述耦接部设置在与其中设置所述多个沟道部的层相同的层上。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述多个沟道部沿第二方向并列设置。5.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述多个沟道部设置在彼此不同的层上。6.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述驱动晶体管包括第一栅电极和第二栅电极，所述多个沟道部包括第一沟道部和第二沟道部，且所述第一栅电极、所述第一沟道部、所述第二栅电极和所述第二沟道部依次隔着绝缘层而层叠。7.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述驱动晶体管包括第一栅电极和第二栅电极，所述多个沟道部包括第一沟道部和第二沟道部，且所述第一栅电极、所述第一沟道部、所述第二沟道部和所述第二栅电极依次隔着绝缘层而层叠。8.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述驱动晶体管包括栅电极，所述多个沟道部包括第一沟道部和第二沟道部，且所述第一沟道部、所述栅电极和所述第二沟道部依次隔着绝缘层而层叠。9.根据权利要求2所述的显示装置，其还包括多个驱动晶体管，其中所述多个驱动晶体管的所述沟道部中的每一个在所述第一方向上延伸。10.根据权利要求1所述的显示装置，其还包括写入晶体管，所述写入晶体管包括栅电极和栅极绝缘膜，其中所述驱动晶体管包括栅电极和栅极绝缘膜，所述写入晶体管将像素电压传送到所述驱动晶体管的所述栅电极，且所述驱动晶体管的所述栅极绝缘膜比所述写入晶体管的所述栅极绝缘膜厚。11.根据权利要求10所述的显示装置，其中所述驱动晶体管的所述栅极绝缘膜包括第一绝缘层和设置在所述第一绝缘层和所述驱动晶体管的所述栅电极之间的第二绝缘层。12.根据权利要求11所述的显示装置，其中所述写入晶体管的所述栅极绝缘膜还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层由与所述第一绝缘层相同的材料形成在与所述第一绝缘层相同的层上。13.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述第二绝缘层的介电常数小于所述第一绝缘层的介电常数和所述第三绝缘层的介电常数。14.根据权利要求11所述的显示装置，其中所述写入晶体管的所述栅极绝缘膜包括第四绝缘层，所述第四绝缘层由与所述第二绝缘层相同的材料形成在与所述第二绝缘层相同的层上。15.根据权利要求14所述的显示装置，其中所述写入晶体管的所述栅极绝缘膜还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层由与所述第一绝缘层相同的材料形成在与所述第一绝缘层相同的层上，其中所述第三绝缘层的厚度小于所述第一绝缘层的厚度。16.根据权利要求14所述的显示装置，其中所述第一绝缘层的介电常数小于所述第二绝缘层的介电常数和所述第四绝缘层的介电常数。17.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述多个沟道部形成于相同层上，所述驱动晶体管包括栅电极和导电层，且所...
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