有机发光二极管显示装置制造方法及图纸

技术编号:21574113 阅读:19 留言:0更新日期:2019-07-10 16:05
提供一种有机发光二极管显示装置。根据本公开内容的实施方式,有机发光二极管OLED显示装置包括:显示面板,该显示面板包括以矩阵形式排列以显示图像的多个OLED像素,并且多个OLED像素各自包括:开关薄膜晶体管TFT,该开关薄膜晶体管响应于通过栅极线输入的扫描信号切换从数据线提供的数据电压通路;驱动TFT,其根据从开关TFT提供的数据电压的幅度导通,以控制从OLED发出的光的量;以及可变存储电容器,其并联连接至驱动TFT的栅电极,并且具有根据施加至驱动TFT的栅电极的电压的幅度而变化的电容,因此可以增加OLED像素的数据电压的充电速度和充电率。结果,可以提高阈值电压补偿效率并解决诸如亮度不均匀和余像之类的问题。

Organic Light Emitting Diode Display Device

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管显示装置
本公开内容涉及有机发光二极管(OLED)显示装置。
技术介绍
最近,各种平板显示器(FPD)的开发已经加速。特别地,有机发光二极管(OLED)显示装置通过使用自身发光的自发光装置具有快速响应速度、高发光效率和亮度以及宽视角。OLED显示装置以矩阵形式排列各自包括OLED的像素,并且根据图像数据的灰度值控制像素的亮度。OLED显示装置选择性地导通作为有源器件的薄膜晶体管(TFT)以选择像素,并利用存储在存储电容器中的电压保持像素的发光。这样的OLED显示装置通过电压补偿驱动方法补偿驱动TFT的阈值电压变化。在用于电压补偿的OLED显示装置中,存储电容器形成在驱动TFT的栅极中,并且驱动TFT被二极管断开以将其阈值电压存储在存储电容器中。例如,在驱动TFT的栅极和漏极之间形成采样TFT用于驱动TFT的二极管连接之后,采样TFT被导通以执行电压补偿。在电压补偿驱动型OLED显示装置中,阈值电压补偿误差率很大程度上取决于驱动TFT的栅极端子和源极端子之间的寄生电容,以及驱动TFT的栅极端子和漏极端子之间的寄生电容或存储电容。当存储电容大时,存储电容器的充电率(chargingrate)减慢。因此,由于高速驱动而导致的采样时间越短,充电率越低。当如上所述降低采样充电率时,驱动TFT的阈值电压补偿误差率也降低。结果,诸如亮度不均匀或余像之类的问题仍然严重。
技术实现思路
本公开内容的实施方式提供了一种有机发光二极管(OLED)显示装置,其可以通过增加OLED像素的数据电压的充电速度(chargingspeed)和充电率来提高阈值电压补偿效率并解决诸如亮度不均匀或余像之类的问题。此外,本公开内容的实施方式提供了一种OLED显示装置,其通过以下方式有利于高速驱动:使得具有根据数据电压的幅度而变化的电容的存储电容器能够形成在驱动薄膜晶体管(TFT)的栅电极中,以增加OLED像素的数据电压的采样速度和充电率。根据本公开内容的实施方式的OLED显示装置可以包括显示面板,该显示面板包括以矩阵形式排列以显示图像的多个OLED像素,并且多个OLED像素各自包括:开关TFT,其响应于通过栅极线输入的扫描信号切换从数据线提供的数据电压通路;驱动TFT,其根据从开关TFT提供的数据电压的幅度导通,以控制从OLED发出的光的量;以及可变存储电容器,其并联连接至驱动TFT的栅电极,并且具有根据施加至驱动TFT的栅电极的电压的幅度而变化的电容。此外,根据本公开内容的实施方式的OLED显示装置可以包括显示面板,该显示面板包括以矩阵形式排列以显示图像的多个OLED像素,并且多个OLED像素各自包括:开关TFT,其响应于通过栅极线输入的扫描信号切换从数据线提供的数据电压通路;驱动TFT,其根据从开关TFT提供的数据电压的幅度导通,以控制从OLED发出的光的量;可变存储电容器,其并联连接至驱动TFT的栅电极,并且具有根据施加至驱动TFT的栅电极的电压的幅度而变化的电容;以及固定电容器,其具有比可变存储电容器小的固定电容,并且并联连接至可变存储电容器。根据本公开内容的实施方式的具有如上所述的各种技术特征的OLED显示装置可以通过增加OLED像素的数据电压的充电速度和充电率,提高阈值电压补偿效率并解决诸如亮度不均匀和余像之类的问题。此外,根据本公开内容的实施方式的OLED显示装置可以通过以下方式而有利于高速驱动:通过使得具有根据数据电压的幅度而变化的电容的存储电容器能够形成在驱动TFT的栅电极端子中,以增加OLED像素的数据电压的采样速度和充电率。附图说明图1示出了根据本公开内容的实施方式的有机发光二极管(OLED)显示装置。图2示出了图1中所示的显示面板的一些OLED像素的布置。图3是简要示出图1和图2中所示的OLED像素的电路图。图4是具体示出图3中所示的OLED像素的结构的平面图。图5是具体示出与图4所示的驱动薄膜晶体管(TFT)的栅电极并联连接的可变电容器的截面图。图6是示出图1和图2中所示的OLED像素的另一电路图。图7是具体示出图6中所示的OLED像素的结构的平面图。图8是具体示出与图7所示的驱动TFT的栅电极并联连接的固定和可变电容器的截面图。具体实施方式应理解,说明书和所附权利要求书中使用的术语不应解释为限于一般含义和字典含义,而应在使本专利技术人为了最好的说明适当地定义术语的原则的基础上,基于与本公开内容的技术方面相对应的含义和概念来解释。此外,本说明书中公开的实施方式和附图中示出的配置仅仅是本公开内容的最优选实施方式,并不是所有实施方式都代表本公开内容的技术方面,因此应该理解,在提交本申请时可以存在可以替代它们的各种等同物和修改示例。在下文中,将参照附图详细描述根据本公开内容的实施方式的有机发光二极管(OLED)显示装置。图1示出了根据本公开内容的实施方式的有机发光二极管(OLED)显示装置。图2示出了图1中所示的显示面板的一些OLED像素的布置。参照图1和图2,OLED显示装置可以包括:显示面板10,其包括以矩阵形式排列的m×n个OLED像素P(m和n均为正整数);数据驱动器30,其将数据电压提供至数据线D1至Dm;栅极驱动器20,其依次向栅极线GL1至GLn提供扫描信号;定时控制器50,其通过将栅极控制信号GVS和数据控制信号DVS发送至栅极驱动器20和数据驱动器30来控制栅极驱动器20和数据驱动器30的驱动定时;以及电源40,其向OLED像素P的电源线PL1至PLn提供接地电压GND或低电位电压VSS和高电位电压VDD。显示面板10可以包括分别形成在由数据线D1至Dm和栅极线GL1至GLn的交叉点限定的像素区域中以显示图像的多个OLED像素P。OLED像素P中的每一个可以包括OLED和独立地驱动每个OLED的二极管驱动电路。高电位VDD、低电位或接地电压GND和参考电压可以共同地提供至OLED像素P。二极管驱动电路可以向OLED提供与从连接至二极管驱动电路的数据线DL提供的模拟数据电压对应的二极管驱动电压,并使得数据电压能够充载在存储电容器中,以保持发光状态。因此,OLED像素P可以以红光、绿光、蓝光和白光中的预定颜色发光。如图2所示,OLED像素P1中的每一个可以被划分为发光区域EA1和器件区域DA1。发光区域EA1可以是包括发光的OLED的区域,并且器件区域DA1是包括用于控制OLED的发光的器件(TFT、电容器等)的区域。当OLED显示装置以底部发光方式显示图像时,发光区域EA1和装置区域DA1可以彼此不交叠。但是,当OLED显示装置以顶部发光方式显示图像时,发光区域EA1和器件区域DA1可以彼此交叠。数据驱动器30可以借助于从定时控制器50提供的数据控制信号DVS将从定时控制器50提供的图像数据RGB转换成模拟数据电压,并且按照水平线单位将数据电压提供至各条数据线DL1至DLm。具体地,数据驱动器30可以依次对根据数据控制信号DVS输入的图像数据RGB进行锁存,然后将图像数据RGB转换成模拟数据电压。此外,数据驱动器30可以每一个水平时段(everyonehorizontalperiod)将一条水平线的数据电压提供至各条数据线DL1至DLm,在该水平时段中扫描信号被提供至各条栅极线GL1至本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光二极管OLED显示装置,包括:显示面板,其包括以矩阵形式排列以显示图像的多个OLED像素,并且其中,所述多个OLED像素各自包括:开关薄膜晶体管TFT,其响应于通过栅极线输入的扫描信号切换从数据线提供的数据电压通路;驱动TFT,其根据从所述开关TFT提供的数据电压的幅度导通,以控制从OLED发出的光的量;以及可变存储电容器,其并联连接至所述驱动TFT的栅电极,并且具有根据施加至所述驱动TFT的栅电极的电压的幅度而变化的电容。

【技术特征摘要】
2017.12.29 KR 10-2017-01840481.一种有机发光二极管OLED显示装置,包括:显示面板,其包括以矩阵形式排列以显示图像的多个OLED像素,并且其中,所述多个OLED像素各自包括:开关薄膜晶体管TFT,其响应于通过栅极线输入的扫描信号切换从数据线提供的数据电压通路;驱动TFT,其根据从所述开关TFT提供的数据电压的幅度导通,以控制从OLED发出的光的量;以及可变存储电容器,其并联连接至所述驱动TFT的栅电极,并且具有根据施加至所述驱动TFT的栅电极的电压的幅度而变化的电容。2.根据权利要求1所述的OLED显示装置,其中,所述可变存储电容器形成在所述驱动TFT的栅极端子和高电位或低电位电压供应端子之间,使得存储电容响应于所述驱动TFT的所述栅极端子和所述高电位或低电位电压供应端子之间的电压差而实时变化。3.根据权利要求2所述的OLED显示装置,其中,所述可变存储电容器包括依次堆叠在基板上的氧化物半导体层、栅极绝缘膜和导电电极层,并且所述导电电极层电连接至所述驱动TFT的所述栅极端子,并且所述氧化物半导体层电连接至所述高电位或低电位电压供应端子。4.根据权利要求2所述的OLED显示装置,其中,所述驱动TFT是其中有源层由低温多晶硅LTPS制成并且在基板上以共面结构形成的LTPS型TFT,并且所述可变存储电容器包括依次堆叠在所述基板上的氧化物半导体层、栅极绝缘层和导电电极层,并且形成为与所述驱动TFT交叠预定区域。5.根据权利要求1所述的OLED显示装置,其中,所述可变存储电容器形成在所述驱动TFT的栅极端子和电容器电压输入电路之间,使得存储电容响应于所述驱动TFT的所述栅极端子和所述电容器电压输入电路之间的电压差而实时变化,或者所述可变存储电容器形成在所述驱动TFT的栅极端子和参考电压输入端子之间,使得存储电容响应于所述驱动TFT的所述栅极端子和所述参考电压输入端子之间的电压差而实时变化。6.一种有机发光二极管OLED显示装置,包括:显示面板,其包括以矩阵形式排列以显示图像的多个OLED像素,其中,所述多个OLED像素各自包括:开关薄膜晶体管TFT,其响应于通过栅极线输入的扫描信号切换从数据线提供的数据电压通路;驱动TFT,其根据从所述开关TFT提供的数据...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴帝薰
申请(专利权)人:乐金显示有限公司
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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