一种预热电路制造技术

本发明专利技术一种预热电路包括由滤波和整流电路、功率因数校正电路、预热和驱动控制及保护电路、高频半桥逆变电路、低压钠灯启动电路组成，交流市电经滤波和整流后，经功率因数校正电路、预热和驱动控制及保护电路，使高频半桥逆变电路和低压钠灯启动电路工作，对低压钠灯预热和做功，保护电路从高频半桥逆变电路获取输出电压信号，处理后发送至驱动控制电路，驱动控制电路根据输出的电压信号对功率输出进行控制，以保障低压钠灯电子镇流器的预热启动和稳定运行。

A Preheating Circuit

【技术实现步骤摘要】
一种预热电路
本专利技术涉及照明灯具镇流器
，尤指一种预热电路。
技术介绍
低压钠灯也是替代高压汞灯节约用电的一种高效灯种，低压钠灯发出的是单色黄光，是光衰较小和现今光效最高的人造光源，用于对光色没有要求的场所，但它的“透雾性”表现得非常出色，特别适合于高速公路、交通道路、市政道路、公园、庭院照明，能使人清晰地看到色差比较小的物体。预热电路逐步取代工频电感式镇流器,进入实用化产品化阶段，预热电路在控制性能、运行特性、经济效益以及价格成本均优于电感镇流，低压钠灯特有的结构和性能，对预热电路电路提出了更高的要求，现有的低压钠灯预热电路电路，采用功率MOSFET管半桥驱动方式，其使用寿命在很大程度上取决于集成芯片的工作稳定性，但是其工作启动方式采用简易电源供电方式，不具有预热功能，往往达不到性能要求。
技术实现思路
本专利技术一种低压钠灯预热电路电路，其特征在于针对上述之不足，提供一种工作稳定，具有预热启动功能、过流过压灯异常保护功能的低压钠灯预热电路电路。为了实现上述目的，本专利技术的技术解决方案为：一种预热电路包括由滤波和整流电路、功率因数校正电路、预热和驱动控制及保护电路、高频半桥逆变电路、低压钠灯启动电路组成，滤波和整流电路与外部交流电源连接，滤波和整流电路、功率因数校正电路、驱动控制电路和功率输出电路依次串联，高频半桥逆变启动电路与低压钠灯启动电路相连接。所述的滤波和整流电路由保险丝管FU、电容C1及二极管D1～D4构成。所述的功率因数校正电路由集成芯片U1、工频变压器T1、电阻R1～R11、电容C2～C7和电解电容C8～C9、功率MOSFET管Q1、稳压二极管D5及二极管D6～D8构成，并且具有稳压功能。所述的预热和驱动控制及保护电路由集成U2、稳压二极管D9、二极管D10～D11、电阻R12～R16、电解电容C10、功率MOSFET管Q4、电感L2及电容C11～C15构成，预热功能利用开关电容C12和C14并联的方式，通过功率MOSFET管Q4的开关来实现。所述的高频半桥逆变电路由电阻R17和R18、功率MOSFET管Q2和Q3及二极管D12和D13构成。所述的低压钠灯启动电路是由电感L1、电容C16和C17构成。本专利技术的有益效果是：交流市电经滤波和整流后转化为直流电，直流电经功率因数校正电路，通过预热和驱动控制及保护电路，使高频半桥逆变电路和低压钠灯启动电路工作，对低压钠灯预热和做功，保护电路从高频半桥逆变电路获取输出电压信号，处理后发送至驱动控制电路，驱动控制电路根据输出的电压信号对功率输出进行控制，以保障低压钠灯预热电路的预热启动和稳定运行。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术进一步描述。附图为本专利技术的电路原理图。具体实施方式如附图所示：一种预热电路包括由滤波和整流电路、功率因数校正电路、预热和驱动控制及保护电路、高频半桥逆变电路、低压钠灯启动电路组成，滤波和整流电路与外部交流电源连接，滤波和整流电路、功率因数校正电路、驱动控制电路和功率输出电路依次串联，高频半桥逆变启动电路与低压钠灯启动电路相连接。所述的滤波和整流电路由保险丝管FU、电容C1及二极管D1～D4构成；功率因数校正电路由集成芯片U1、工频变压器T1、电阻R1～R11、电容C2～C7和电解电容C8～C9、功率MOSFET管Q1、稳压二极管D5及二极管D6～D8构成，并且具有稳压功能；预热和驱动控制及保护电路由集成U2、稳压二极管D9、二极管D10～D11、电阻R12～R16、电解电容C10、功率MOSFET管Q4、电感L2及电容C11～C15构成，预热功能利用开关电容C12和C14并联的方式，通过功率MOSFET管Q4的开关来实现；高频半桥逆变电路由电阻R17和R18、功率MOSFET管Q2和Q3及二极管D12和D13构成；低压钠灯启动电路是由电感L1、电容C16和C17构成。二极管D1～D4构成整流桥，二极管D2和D4的接点接电源地，二极管D1和D3的接点分别与电容C1、电阻R3和R4及工频变压器T1的初级线圈N1相连接，初级线圈N1的另一端与功率MOSFET管Q1的源极相连，并通过二极管D8分别与电解电容C9、电阻R8、R12和功率MOSFET管Q2的源极相连，电阻R3的另一端接集成芯片U1的VCC端并通过电解电容C8和电容C4接电源地，电阻R4的另一端接集成芯片U1的MULT端并分别通过电阻R5和电容C2接电源地，工频变压器T1的次级线圈N2与电阻R1和R2相连，次级线圈N2的另一端接电源地，电阻R2的另一端接集成芯片U1的ZCD端，电阻R1的另一端接电容C3后再分别通过二极管D6和稳压二极管D5接集成芯片U1的VCC端和电源地，电阻R6与电容C6串联后再与电容C7分别并接于集成芯片U1的COMP端和INV端之间，INV端分别与电阻R8的另一端相连和通过电阻R9接电源地，GD端分别通过二极管D5和电阻R7与功率MOSFET管Q1的栅极相连，CS端分别通过电阻R10和电容C5与功率MOSFET管Q1的漏极和电源地相连，功率MOSFET管Q1的漏极通过电阻R11接电源地，电阻R12的另一端接集成芯片IC2的管脚VCC端，电感L2、二极管D10、电容C13、电阻R14、稳压二极管D9和电解电容C10组成的U2工作电源经电阻R14对VCC端供电，VCC端分别通过稳压二极管D9和电解电容C10及二极管D11接电源地及与VB端连接，电容C11的两端分别接于VB端和VS端，电阻R13的两端分别接于RT端和CT端，CT端再分别通过电容C16和电容C12与功率MOSFET管Q4的源极和电源地相连接，GND端和功率MOSFET管Q4的漏极分别接电源地，功率MOSFET管Q4的栅极分别接电容C15、电阻R15和R16，电阻R15和电容C15的另一端接电源地，电阻R16的另一端接LO端，LO端分别通过二极管D13和电阻R18与功率MOSFET管Q3的栅极相连，HO端分别通过二极管D12和电阻R17与功率MOSFET管Q2的栅极相连，功率MOSFET管Q2的漏极与Q3的源极相连后接于VS端，电容C16与VS端相连，电容C16的另一端与电感L1相连，电感L1的另一端分别接低压钠灯管LAMP和电容C17，低压钠灯管LAMP的另一端和电容C17的另一端均接电源地。交流市电经滤波和整流后转化为直流电，直流电经功率因数校正电路，通过电阻R12向电容C10充电，达到启动电压时，集成芯片U2正常工作，产生PWM波来驱动功率MOSFET管Q2和Q3，使之轮流导通和截止，其占空比约为50%的方波信号，由电感L2、二极管D10、电容C13、电阻R14、稳压二极管D9和电解电容C10组成的U2工作电源经电阻R14对VCC端供电，在低压钠灯启动前，由于低压钠灯电弧管中填充的隋性气体未气化，所以低压钠灯处于相当高的阻抗状态，可以认为低压钠灯处于开路状态，开关电容C12和C14并联的方式，通过小信号功率MOSFET管Q4的开关控制振荡电容的切换,使振荡频率从高到低变化,从而实现从预热到触发的过程；在半桥LC谐振变换器中，串联谐振电容C16和谐振电容C17一起与谐振电感L1在交流电源驱动下谐振，从而在低压钠灯两端产生高电压；在稳态工作的半桥LC谐振变换器中，串联谐本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种预热电路，其特征是：所述的预热电路包括由滤波和整流电路、功率因数校正电路、预热和驱动控制及保护电路、高频半桥逆变电路、低压钠灯启动电路组成，滤波和整流电路与外部交流电源连接，滤波和整流电路、功率因数校正电路、驱动控制电路和功率输出电路依次串联，高频半桥逆变启动电路与低压钠灯启动电路相连接。

【技术特征摘要】
1.一种预热电路，其特征是：所述的预热电路包括由滤波和整流电路、功率因数校正电路、预热和驱动控制及保护电路、高频半桥逆变电路、低压钠灯启动电路组成，滤波和整流电路与外部交流电源连接，滤波和整流电路、功率因数校正电路、驱动控制电路和功率输出电路依次串联，高频半桥逆变启动电路与低压钠灯启动电路相连接。2.根据权利要求1所述的一种预热电路，其特征是：所述的滤波和整流电路由保险丝管FU、电容C1及二极管D1～D4构成；所述的功率因数校正电路由集成芯片U1、工频变...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢绍光，
申请(专利权)人：谢绍光，
类型：发明
国别省市：山东,37