【技术实现步骤摘要】
一种TR组件供电的负偏压保护电路
本专利技术属于电源
，特别是一种TR组件供电的负偏压保护电路。
技术介绍
TR组件是有源相控阵发射机的核心模块，其保护电路关系到系统的安全性和可靠性。负偏压是为TR组件内功率放大晶体管提供稳态工作点的栅极偏置电压，对负偏压和漏极电压的上电断电时序有着严格的要求，上电时必须先上负偏压然后加漏极电压，断电时必须先断漏极电压然后断负偏压，如果负偏压发生故障时漏极电压还在，TR组件内功率放大电路将存在较高的失效风险，因而负偏压保护电路的设计对保证TR组件的可靠性尤为重要。目前针对TR组件的负偏压保护电路采取的设计方案是通过分压网络进行采样后送入运算放大器进行比较判断，判断负偏压故障后断开漏极电压。上述设计方案电路复杂，需要给运放提供辅助供电和基准电压，需要辅助电路实现漏极电压的开通关断控制。在系统工作时辅助电源和负偏压电源都存在故障的可能性，若采用该方案，辅助电源发生故障时，负偏压保护电路就失效了，因而使用辅助电源进行负偏压保护的实现可靠性偏低。该方案包括检测电路、电压比较电路、电源开关控制电路，其电路构成复杂，系统响应速度较慢、可...
【技术保护点】
1.一种TR组件供电的负偏压保护电路，其特征在于，包括限流电阻(1)、高速光耦(2)、上拉电阻(3)、去耦电容(4)、TVS二极管(5)、场效应晶体管(6)、储能滤波电容(7)、高频滤波电容(8)；所述储能滤波电容(7)并联在TR组件漏极电压与效应晶体管(6)的漏极之间；高速光耦(2)内部初级的发光二极管与限流电阻(1)串联后接在负偏压与电源地之间，其中，发光二极管的阳极与限流电阻(1)连接，发光二极管的阴极连接至负偏压；去耦电容(4)和TVS二极管(5)并联，然后与高速光耦(2)内部次级的光敏三极管以及上拉电阻(3)串联，串联后并入漏极电压和电源地之间，其中，TVS二极管...
【技术特征摘要】
1.一种TR组件供电的负偏压保护电路，其特征在于，包括限流电阻(1)、高速光耦(2)、上拉电阻(3)、去耦电容(4)、TVS二极管(5)、场效应晶体管(6)、储能滤波电容(7)、高频滤波电容(8)；所述储能滤波电容(7)并联在TR组件漏极电压与效应晶体管(6)的漏极之间；高速光耦(2)内部初级的发光二极管与限流电阻(1)串联后接在负偏压与电源地之间，其中，发光二极管的阳极与限流电阻(1)连接，发光二极管的阴极连接至负偏压；去耦电容(4)和TVS二极管(5)并联，然后与高速光耦(2)内部次级的光敏三极管以及上拉电阻(3)串联，串联后并入漏极电压和电源地之间，其中，TVS二极管(5)的阴极与光敏三极管的发射极连接，光敏三极管的集电极与上拉电阻(3)一端连接，上拉电阻(3)另一端与漏极电压连接；TVS二极管(5)的阴极接场效应晶体管(6)的栅极，TVS二极管(5)的阳极接场效应晶体管(6)的源极，负载端的高频滤波电容(8)并联在漏极电压与场效应晶体管(6)的漏极之间。2.根据权利要求1所述的负偏压保护...
【专利技术属性】
技术研发人员：高彧博，徐可荣，程立，李群，谢章贵，
申请(专利权)人：中国船舶重工集团公司第七二三研究所，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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