IGBT多并联模块驱动电路制造技术

本实用新型专利技术所设计的一种IGBT多并联模块驱动电路，有多个IGBT单模块驱动电路并联组成，所述的IGBT单模块驱动电路包括：逆变器开漏输出模块U1；光耦合器U2；电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7；无极性电容C1、无极性电容C2、无极性电容C3、无极性电容C4；NPN管硅三极管Q1、PNP管硅三极管Q2；双向稳压管D1；稳压二极管D2；这种驱动电路具有避免环流问题，满足试验同步运行，均流效果较好的特点。

IGBT Multi-Parallel Module Driver Circuit

【技术实现步骤摘要】
IGBT多并联模块驱动电路
本技术应用于电力电子产品制造领域，特别是一种IGBT多并联驱动电路。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管IGBT，相比传统的晶闸管，IGBT管更适用于大功率设备。随着市场对兆瓦级大功率设备需求日益倍增，高电压设备需要越来越大。通常单个IGBT管很难到达数十千伏或者数百千伏，因此IGBT并联方案已经成为一种趋势，IGBT并联可提高系统对负载电流的承受能力，同时，可降低模块热集中，做到均匀的温度梯度分布，有益于提高循环周次。IGBT采用多并联方式连接，既兼顾经济性和器件可靠性，又实现了大功率需求。由此研究IGBT管的驱动方式尤为重要，现有技术中采用单驱动IGBT并联电路，应用于大功率场所，存在出现共射环流、电路平衡等问题。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术提供了一种针对兆瓦级大功率设备高性能驱动电路存在的难题，兼顾稳定性和成本的IGBT多并联模块驱动电路。为了达到上述目的，本技术所设计的一种IGBT多并联模块驱动电路，有多个IGBT单模块驱动电路并联组成，所述的IGBT单模块驱动电路包括：逆变器开漏输出模块U1；光耦合器U2；电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6；无极性电容C1、无极性电容C2、无极性电容C3、无极性电容C4；NPN管硅三极管Q1、PNP管硅三极管Q2；双向稳压管D1；稳压二极管D2；其中电阻R1的一端、逆变器开漏输出模块U1的2脚相连；逆变器开漏输出模块U1的5脚、电阻R2的一端和无极性电容C1的一端共同连接，电阻R2的另一端、光耦合器U2的1脚和光耦合器U2的2脚共同连接；逆变器开漏输出模块U1的4脚、光耦合器U2的3脚和光耦合器U2的4脚共同连接；光耦合器U2的8脚、无极性电容C2的一端、NPN管硅三极管Q1的2脚共同连接电源+V1；光耦合器U2的6脚、光耦合器U2的7脚、与电阻R3的一端共同连接；无极性电容C2的一端与-V1相连；电阻R3的另一端与NPN管硅三极管Q1的1脚和PNP管硅三极管Q2的1脚相连；NPN管硅三极管Q1的3脚与PNP管硅三极管Q2的3脚、电阻R4的一端、电阻R5的一端共同相连；电阻R4的另一端、电阻R5的另一端、电阻R6的一端、双向稳压管D1的一端共同连接到IGBT的A_G脚；PNP管硅三极管Q2的2脚、无极性电容C3的一端、单向稳压管D2的正端共同相连；无极性电容C3的另一端、双向稳压管D1的另一端、单向稳压管D2的负端、电阻R6的另一端、电阻R7的一端及无极性电容C4的一端共同连接一组IGBT的A_E脚;无极性电容C4的另一端、电阻R7的另一端共同连接到电源+V1上；电阻R1的另一端、逆变器开漏输出模块U1的3脚、无极性电容C1的另一端和U2的5脚共同与地GND相连；逆变器开漏输出模块U1的1脚为空脚。进一步的方案是，各个元件的参数如下：U1型号为MC74VHC1G05；U2型号为TLP350；Q1型号为2SC5566；Q2型号为2SA2013；D1型号为；D2型号为；电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7型号分别为5.1千欧、270欧、33欧、10欧、10欧、10千欧、5.1千欧；无极性电容C1、C2、C3、C4型号均为0.1uF/50V、22uF/25V、22uF/25V、22uF/25V。与现有技术相比，本技术得到的IGBT多并联模块驱动电路具有以下特点：1、IGBT多并联采用独立驱动器，避免了环流问题，满足试验同步运行，均流效果较好；2、电路设计简单，元器件较少，降低故障点，适合批量生产；3、满足大功率设备要求。附图说明图1是实施例1电路结构图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例1。如图1所示，本实施例描述的IGBT多并联模块驱动电路，有多个IGBT单模块驱动电路并联组成，所述的IGBT单模块驱动电路包括：逆变器开漏输出模块U1；光耦合器U2；电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7；无极性电容C1、无极性电容C2、无极性电容C3、无极性电容C4；NPN管硅三极管Q1、PNP管硅三极管Q2；双向稳压管D1；稳压二极管D2；其中电阻R1的一端、逆变器开漏输出模块U1的2脚相连；逆变器开漏输出模块U1的5脚、电阻R2的一端和无极性电容C1的一端共同连接，电阻R2的另一端、光耦合器U2的1脚和光耦合器U2的2脚共同连接；逆变器开漏输出模块U1的4脚、光耦合器U2的3脚和光耦合器U2的4脚共同连接；光耦合器U2的8脚、无极性电容C2的一端、NPN管硅三极管Q1的2脚共同连接电源+V1；光耦合器U2的6脚、光耦合器U2的7脚、与电阻R3的一端共同连接；无极性电容C2的一端与-V1相连；电阻R3的另一端与NPN管硅三极管Q1的1脚和PNP管硅三极管Q2的1脚相连；NPN管硅三极管Q1的3脚与PNP管硅三极管Q2的3脚、电阻R4的一端、电阻R5的一端共同相连；电阻R4的另一端、电阻R5的另一端、电阻R6的一端、双向稳压管D1的一端共同连接到IGBT的A_G脚；PNP管硅三极管Q2的2脚、无极性电容C3的一端、单向稳压管D2的正端共同相连；无极性电容C3的另一端、双向稳压管D1的另一端、单向稳压管D2的负端、电阻R6的另一端、电阻R7的一端及无极性电容C4的一端共同连接一组IGBT的A_E脚;无极性电容C4的另一端、电阻R7的另一端共同连接到电源+V1上；电阻R1的另一端、逆变器开漏输出模块U1的3脚、无极性电容C1的另一端和U2的5脚共同与地GND相连；逆变器开漏输出模块U1的1脚为空脚。其中各个元件的参数如下：U1型号为MC74VHC1G05；U2型号为TLP350；Q1型号为2SC5566；Q2型号为2SA2013；D1型号为1N4733B；D2型号为BZX84C3V9。电阻R1、R2、、R3、R4、R5、R6、R7型号分别为5.1千欧、270欧、33欧、10欧、10欧、10千欧、5.1千欧；无极性电容C1、C2、C3、C4型号均为0.1uF/50V、22uF/25V、22uF/25V、22uF/25V。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IGBT多并联模块驱动电路，有多个IGBT单模块驱动电路并联组成，其特征是所述的IGBT单模块驱动电路包括：逆变器开漏输出模块U1；光耦合器U2；电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7；无极性电容C1、无极性电容C2、无极性电容C3、无极性电容C4；NPN管硅三极管Q1、PNP管硅三极管Q2；双向稳压管D1；稳压二极管D2；其中电阻R1的一端、逆变器开漏输出模块U1的2脚相连；逆变器开漏输出模块U1的5脚、电阻R2的一端和无极性电容C1的一端共同连接，电阻R2的另一端、光耦合器U2的1脚和光耦合器U2的2脚共同连接；逆变器开漏输出模块U1的4脚、光耦合器U2的3脚和光耦合器U2的4脚共同连接；光耦合器U2的8脚、无极性电容C2的一端、NPN管硅三极管Q1的2脚共同连接电源+V1；光耦合器U2的6脚、光耦合器U2的7脚、与电阻R3的一端共同连接；无极性电容C2的一端与‑V1相连；电阻R3的另一端与NPN管硅三极管Q1的1脚和PNP管硅三极管Q2的1脚相连；NPN管硅三极管Q1的3脚与PNP管硅三极管Q2的3脚、电阻R4的一端、电阻R5的一端共同相连；电阻R4的另一端、电阻R5的另一端、电阻R6的一端、双向稳压管D1的一端共同连接到IGBT的A_G脚；PNP管硅三极管Q2的2脚、无极性电容C3的一端、单向稳压管D2的正端共同相连；无极性电容C3的另一端、双向稳压管D1的另一端、单向稳压管D2的负端、电阻R6的另一端、电阻R7的一端及无极性电容C4的一端共同连接一组IGBT的A_E脚;无极性电容C4的另一端、电阻R7的另一端共同连接到电源+V1上；电阻R1的另一端、逆变器开漏输出模块U1的3脚、无极性电容C1的另一端和U2的5脚共同与地GND相连；逆变器开漏输出模块U1的1脚为空脚。...

【技术特征摘要】
1.一种IGBT多并联模块驱动电路，有多个IGBT单模块驱动电路并联组成，其特征是所述的IGBT单模块驱动电路包括：逆变器开漏输出模块U1；光耦合器U2；电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7；无极性电容C1、无极性电容C2、无极性电容C3、无极性电容C4；NPN管硅三极管Q1、PNP管硅三极管Q2；双向稳压管D1；稳压二极管D2；其中电阻R1的一端、逆变器开漏输出模块U1的2脚相连；逆变器开漏输出模块U1的5脚、电阻R2的一端和无极性电容C1的一端共同连接，电阻R2的另一端、光耦合器U2的1脚和光耦合器U2的2脚共同连接；逆变器开漏输出模块U1的4脚、光耦合器U2的3脚和光耦合器U2的4脚共同连接；光耦合器U2的8脚、无极性电容C2的一端、NPN管硅三极管Q1的2脚共同连接电源+V1；光耦合器U2的6脚、光耦合器U2的7脚、与电阻R3的一端共同连接；无极性电容C2的一端与-V1相连；电阻R3的另一端与NPN管硅三极管Q1的1脚和PNP管硅三极管Q2的1脚相连；NPN管硅三极管Q1的3脚与PNP管硅三极管Q2的3脚、电阻R4的一端、电阻R5的一端共同相连；电阻R4的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王亚晶，叶骏，黄晓龙，肖华，
申请(专利权)人：杭州易和网络有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33