晶片研磨系统技术方案

本发明专利技术涉及一种晶片研磨系统，在利用研磨头使晶片贴紧于进行自转的研磨垫并加压的研磨工序中，到达感测部根据光强度的变动来感测厚度传感器的位置，即使研磨盘的旋转速度改变，或者晶片或研磨垫的振动变位长而且方向多样，也可以在晶片边缘部确切地获得研磨层厚度信息。

Wafer grinding system

【技术实现步骤摘要】
晶片研磨系统
本专利技术涉及晶片研磨系统，详细而言，涉及一种在研磨工序中，即使研磨盘的旋转速度有变动或者晶片或研磨垫的振动变位加长，也能够在晶片的边缘部确实地获得研磨层厚度信息的晶片研磨系统。
技术介绍
一般而言，化学机械式研磨(ChemicalMechanicalPolishing；CMP)工序是在旋转的研磨盘上使晶片等基板以接触状态旋转并进行机械研磨，使基板表面平坦，以便达到预先确定的厚度的工序。为此，化学机械式研磨装备1使研磨垫11以覆盖于研磨盘10上面的状态自转10r，利用研磨头20，使晶片W加压于研磨垫11表面并旋转，平坦地研磨晶片W的表面。为此，具备使研磨垫11的表面以一定状态维持的方式进行旋转并表面改性的调节器30，将用于执行化学式研磨的浆料供应至研磨垫11的表面。此时，借助于化学机械式研磨工序进行研磨的晶片W研磨层厚度，需要被准确地调节并平坦研磨。为此，如图1及图2所示，将用于感测晶片W研磨层厚度的厚度传感器40设置成与研磨垫11一同旋转，以使厚度传感器40在旋转的同时测量晶片W的研磨层厚度。例如，在晶片W的研磨层为透光性材质(例如，氧化物层)的情况下，厚度传感器40本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片研磨系统，其特征在于，包括：研磨垫，进行自转；研磨头，以使所述晶片贴紧所述研磨垫的状态对所述晶片加压；厚度传感器，用于接收所述晶片的研磨层的厚度信息；到达感测部，用于感测所述厚度传感器到达所述晶片，当借助所述到达感测部而感测到所述厚度传感器到达所述晶片时，所述厚度传感器接收所述厚度信息。

【技术特征摘要】
2017.12.14 KR 10-2017-01723541.一种晶片研磨系统，其特征在于，包括：研磨垫，进行自转；研磨头，以使所述晶片贴紧所述研磨垫的状态对所述晶片加压；厚度传感器，用于接收所述晶片的研磨层的厚度信息；到达感测部，用于感测所述厚度传感器到达所述晶片，当借助所述到达感测部而感测到所述厚度传感器到达所述晶片时，所述厚度传感器接收所述厚度信息。2.根据权利要求1所述的晶片研磨系统，其特征在于，所述到达感测部包括受光部，所述受光部用于接收照射的光被反射后的反射光，根据到达所述受光部的所述反射光的光强度变化来感测所述厚度传感器到达所述晶片的下侧。3.根据权利要求2所述的晶片研磨系统，其特征在于，当所述反射光的光强度大小在既定的第一时间内增加为第一基准值以上时，将所述反射光的光强度大小开始增加的时间点的所述受光部位置感测为所述晶片边缘即第一位置。4.根据权利要求3所述的晶片研磨系统，其特征在于，所述光强度大小为0.1秒至1秒内的平均值。5.根据权利要求3所述的晶片研磨系统，其特征在于，所述既定的第一时间确定为0.1秒至1秒。6.根据权利要求3所述的晶片研磨系统，其特征在于，所述第一基准值确定为1.5倍至100倍中的任意一个。7.根据权利要求3所述的晶片研磨系统，其特征在于，还包括用于感测所述研磨垫的旋转位置的旋转位置传感器，当所述厚度传感器到达所述第一位置时，利用所述旋转位置传感器感测到的基准旋转位置，感测在所述研磨垫上的所述第一位置。8.根据权利要求3所述的晶片研磨系统，其特征在于，当所述反射光的光强度大小在所述第一时间内增加为所述第一基准值以上后，在既定的第二时间内减小为第二基准值以下时，将所述反射光的光强度大小减小之后的时间点的所述受光部位置，感测为从所述晶片边缘下侧脱离的第二位置。9.根据权利要求8所述的晶片研磨系统，其特征在于，所述光强度大小为0.1秒至1秒内的平均值。10.根据权利要求8所述的晶片研磨系统，其特征在于，所述既定的第二时间确定为0.1秒至1秒。11.根据权利要求8所述的晶片研磨系统，其特征在于，所述第二基准值确定为1/100倍～1/2倍中的任意一个。12.根据权利要求8所述的晶片研磨系统，其特征在于，还包括用于感测所述研磨垫的旋转位置的旋转位置传感器，所述厚度传感器在到达所述第二位置时，利用所述旋转位置传感器感测到的旋转位置，感测在所述研磨垫上的所述第二位置。13.根据权利要求12所述的晶片研磨系统，其特征在于，由所述到达感测部根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：金圣教，
申请(专利权)人：凯斯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR