【技术实现步骤摘要】
一种阴极电子增强装置
本专利技术属于增强装置，具体涉及一种阴极电子增强装置。
技术介绍
阴极电子发射广泛地应用于显示技术、照明技术、X射线管、负离子产生等领域。当一定能量的阴极电子轰击金属材料表面时，如果电子能量足够大，将会把材料表面的电子撞击下来，从而产生电子倍增，实现阴极电子增强，这就是二次电子发射。为了提高材料的二次电子发射系数，可以通过注入或涂覆的方法在材料表面制备一层低场致电子发射层。阴极电子源可以分为：热电子发射源和场致电子发射源。热电子发射是目前应用最广泛、技术最成熟的技术。相对来说，场致电子发射源具有体积更小、寿命更长、快速响应、效率更高等优点。总体说来，无论热电子发射源还是场致电子发射源，其总电流不够大。要想获得更高电流密度和更大电流，一味地改阴极电子源的性能只是问题的一个方面。对于热电子发射源来说，要想获得更大电子发射电流，将会需要更大的热丝电流，这意味着热电子发射源的寿命会进一步减小。为了实现阴极电子发射电流进一步增大，也可以利用二次电子发射装置，通过二次电子发射效率来实现电子发射电流增大。
技术实现思路
本申请针对现有技术的缺陷，提供一种阴极电...
【技术保护点】
1.一种阴极电子增强装置，其特征在于：由电源、阴极电子发射源(4)和金属薄板组(3)组成，其中金属薄板组(3)设置在阴极电子发射源(4)的电子发射端，金属薄板组(3)由若干长条形金属薄板(1)组成，金属薄板组(3)的截面呈锯齿状。
【技术特征摘要】
1.一种阴极电子增强装置，其特征在于：由电源、阴极电子发射源(4)和金属薄板组(3)组成，其中金属薄板组(3)设置在阴极电子发射源(4)的电子发射端，金属薄板组(3)由若干长条形金属薄板(1)组成，金属薄板组(3)的截面呈锯齿状。2.如权利要求1所述的一种阴极电子增强装置，其特征在于：金属薄板(1)的材质为钼或钨的溅射金属。3.如权利要求1和2所述的一种阴极电子增强装置，其特征在于：应用等离子体注入或涂覆...
【专利技术属性】
技术研发人员：李建，童洪辉，王坤，但敏，金凡亚，
申请(专利权)人：核工业西南物理研究院，成都理工大学工程技术学院，
类型：发明
国别省市：四川,51
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