液晶显示元件的制造方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种液晶显示元件的制造方法，在制作PSA型液晶显示装置的制造方法中的对含有聚合性化合物的液晶组合物进行光照射的聚合工序中，通过将聚合性化合物以适当的聚合速度进行聚合，从而由预倾角的变化引起的显示不良不发生或者极少，并且减少/抑制VHR的降低、由其引起的显示不良。本发明专利技术提供一种液晶显示元件的制造方法，将含有聚合性化合物和非聚合性液晶化合物的液晶组合物添附于基板上后，进行1次以上的光照射工序(A)，该光照射工序(A)为对前述液晶组合物照射以波长370nm以上的光为主成分的照射光。

Manufacturing method of liquid crystal display element

【技术实现步骤摘要】
液晶显示元件的制造方法
本专利技术涉及使用了含有聚合性化合物的液晶组合物的液晶显示元件的制造方法。
技术介绍
PSA(PolymerSustainedAlignment，聚合物稳定取向)型液晶显示装置为了控制液晶分子的预倾角而在单元内具有形成了聚合物结构体的结构，并且由于高速响应性、高对比度而作为液晶显示元件进行了开发。PSA型液晶显示元件的制造采用如下方法：将含有聚合性化合物的液晶组合物注入至基板间，在施加电压而使液晶分子取向的状态下照射紫外线，利用使聚合性化合物聚合而形成的聚合物结构体控制液晶分子的预倾角，从而将液晶分子的取向固定(专利文献1)。在这样的PSA型液晶显示元件中，如果为了生成预倾角而使用的聚合性化合物在聚合工序后也作为未聚合物残存在显示器内，则成为呈现低VHR(电压保持率)值的液晶显示元件，有时会发生烧屏等显示不良，因此，开发了未聚合物不残存或不易残存的聚合性化合物等(专利文献1、2)。具体而言，根据专利文献1，记载了如下内容：通过一边在一对透明电极间施加电压，一边将具有1个以上的环结构或者缩合环结构和与该环结构或缩合环结构直接连接的2个官能团的单体聚合而形成聚合物结构体，从而能够减少烧屏。另外，根据专利文献2，记载了包含具有2个聚合性基团的1种以上的聚合性化合物和具有3个以上的聚合性基团的1种以上的聚合性化合物的具有负的介电各向异性的液晶介质、以及使用该介质的液晶显示元件，其尤其在更长波长中呈现良好的UV吸收，LC介质所含有的RM迅速且完全地聚合，尽可能迅速地生成低的倾角，即使长时间的UV曝露后，也能够实现预倾斜的高稳定性，从而减少或防止显示器中图像固着的发生，减少或防止显示器中ODF不均的发生。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2003-307720号专利文献2：日本特开2016-108558号
技术实现思路
专利技术要解决的课题上述专利文献1、2中，均为着眼于聚合工序中使用的聚合性化合物的结构、聚合性化合物的含量的技术，例如，专利文献1中记载了通过利用特定化学结构的聚合性化合物来约束液晶分子的倾倒方向，从而减少烧屏，但是，会产生因未聚合的聚合性化合物引起的VHR降低、由此引起的显示不良、由光照射引起的非聚合性液晶化合物劣化这样的新问题。另外，专利文献2中，着眼于聚合性基的数量、聚合性化合物的含量，将荧光UV灯-C型(305～355nm)作为光照射条件而进行聚合。因此，会产生由荧光UV灯引起的非聚合性液晶化合物劣化这样的新问题。因此，关于本专利技术要解决的课题，目的在于提供一种液晶显示元件的制造方法，通过在制作PSA型液晶显示装置的制造方法中的对含有聚合性化合物和非聚合性液晶化合物的液晶组合物进行光照射的聚合工序中，进行适当范围的光照射条件，从而减少、抑制由非聚合性液晶化合物的劣化引起的VHR降低、因非聚合性液晶化合物的劣化引起的显示不良。用于解决课题的手段本专利技术人等进行了潜心研究，结果发现，利用如下的液晶显示元件的制造方法能够解决上述课题，进而完成了本申请专利技术，所述液晶显示元件的制造方法为：将含有聚合性化合物和非聚合性液晶化合物的液晶组合物添附于基板上后，进行1次以上的光照射工序(A)，该光照射工序(A)为对前述液晶组合物照射以波长370nm以上的光为主成分的照射光。专利技术的效果使用本专利技术的液晶显示元件的制造方法所得到的液晶显示元件会抑制、减少VHR的降低。就使用本专利技术的液晶显示元件的制造方法所得到的液晶显示元件而言，由预倾角的变化引起的显示不良不发生或者极少。就使用本专利技术的液晶显示元件的制造方法所得到的液晶显示元件而言，呈现高的电压保持率(VHR)和高速响应，取向不良、烧屏等显示不良不发生或被抑制，呈现优异的显示品质。就使用本专利技术的液晶显示元件的制造方法所得到的液晶显示元件而言，紫外线的照射时间适当短，通过能耗的优化和削减，能够容易地提高生产效率。附图说明图1为表示光源的发光光谱的图。图2为表示比较例中使用的光源的发光光谱的图。图3为表示实施例中使用的光源的发光光谱的图。具体实施方式本专利技术的第一方面为一种液晶显示元件的制造方法，将含有聚合性化合物和非聚合性液晶化合物的液晶组合物添附于基板上后，进行1次以上的光照射工序(A)，该光照射工序(A)为对前述液晶组合物照射以波长370nm以上的光为主成分的照射光。本专利技术涉及的制造方法中，由于对含有聚合性化合物和非聚合性液晶化合物的液晶组合物照射以370nm以上的波长为主成分的光，因此成为较温和条件下的聚合，就使用本专利技术的液晶显示元件的制造方法所得到的液晶显示元件而言，能够减少液晶组合物、尤其是非聚合性液晶化合物的劣化，能够抑制、减少因非聚合性液晶化合物的劣化引起的液晶组合物的VHR降低。本说明书中所说的“以波长370nm以上的光为主成分的照射光”，是指在能够照射与300nm以上500nm以下的波长区域重叠的光的光源的发光光谱中，作为370nm以上500nm以下的光的积分值的累积强度除以作为300nm以上500nm以下的光的积分值的累积强度而得到的值为0.9以上的光。主成分是指，至少所选择的370nm以上500nm以下的波长区域的光的累积强度在300nm以上500nm以下中至少具有90％以上的累积强度。因此，来自前述光源的光或“以波长370nm以上的光为主成分的光”中，也可以包含小于300nm的波长的光、超过500nm的波长的光。另外，光源的光只要能够照射与300nm以上500nm以下的波长区域重叠的光即可，因此也可以仅为370nm以上500nm以下的范围内的光。另外，本专利技术涉及的制造方法中，采用以下图1来说明以波长370nm以上的光为主成分的照射光的计算方法。也就是说，图1为表示光源的发光光谱的图，横轴表示波长(nm)，纵轴表示强度(μW/cm2)。光谱内的线表示各波长下的强度，因此作为300nm至500nm的各波长的强度合计的积分值(a)(300nm～500nm的范围的面积)为300nm以上500nm以下的光的累积强度。另外，作为370nm至500nm的各波长的强度合计的积分值(b)(370nm～500nm的范围的面积)为370nm以上500nm以下的光的累积强度。因此，如果前述积分值(b)÷前述积分值(a)为0.9以上，则属于“以波长370nm以上的光为主成分的照射光”。本说明书中，是否为“主成分”，由光源的发光光谱的面积比来计算。也就是说，为主成分是指该面积比为90％以上，不为主成分是指该面积比小于90％。需说明的是，本说明书的紫外线的波长区域设为200～380nm，可见光的波长区域设为380～780nm。通常，液晶显示元件的制造方法大致分为：将含有聚合性化合物和非聚合性液晶化合物的液晶组合物通过真空注入而填充至一对(电极)基板间的方法(所谓的真空注入法)；以及在一对(电极)中的至少一方(电极)基板上滴加液晶组合物的方法(所谓的ODF法)。当通过前者的真空注入法来进行本专利技术涉及的液晶显示元件的制造方法时，优选包括如下工序：制作液晶单元的液晶单元制成工序，该液晶单元具备根据需要而设有取向膜的一对(电极)基板；注入工序，在前述液晶单元内通过真空注入而使含有聚合性化合物的液晶组合物添附于前述(电极)基板上而进行填充；光照射工序(A)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶显示元件的制造方法，将含有聚合性化合物和非聚合性液晶化合物的液晶组合物添附于基板上后，进行1次以上的光照射工序(A)，所述光照射工序(A)为对所述液晶组合物照射以波长370nm以上的光为主成分的照射光。

【技术特征摘要】
2017.12.22 JP 2017-2464151.一种液晶显示元件的制造方法，将含有聚合性化合物和非聚合性液晶化合物的液晶组合物添附于基板上后，进行1次以上的光照射工序(A)，所述光照射工序(A)为对所述液晶组合物照射以波长370nm以上的光为主成分的照射光。2.根据权利要求1所述的液晶显示元件的制造方法，进一步包含光照射工序(B)，所述光照射工序(B)为照射不以波长370nm以上的光为主成分的照射光。3.根据权利要求1或2所述的液晶显示元件的制造方法，在对所述液晶组合物施加电压的状态下进行光照射工序(A)或光照射工序(B)。4.根据权利要求1～3中任一项所述的液晶显示元件的制造方法，作为所述聚合性化合物，包含1种或2种以上的下述通式(I)所表示的化合物，[化1]上述通式(I)中，R101、R102、R103、R104、R105、R106、R107、R108、R109和R110分别独立地表示P21-S21-、碳原子数1至18的烷基、碳原子数1至18的烷氧基、卤原子或氢原子中的任一者，上述P21为下述式(R-I)～式(R-IX)所表示的任一基团，[化2]所述式(R-I)～(R-IX)中，R21、R31、R41、R51和R61相互独立地为氢原子、碳原子数1～5个的烷基或碳原子数1～5个的卤代烷基，W1为单键、-O-或亚甲基，T1为单键或-COO-，p1、t1和q1分别独立地为0、1或2，上述式(R-I)～(R-IX)的1个以上氢原子可被极性基团取代，上述式中的＊表示连接键，上述S21表示单键或碳原子数1～15的亚烷基，该亚烷基中的1个或2个以上-CH2-可以以氧原子不直接邻接的方式被-O-、-OCO-或-COO-取代，n...

【专利技术属性】
技术研发人员：后藤麻里奈，井之上雄一，杨焯，
申请(专利权)人：DIC株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP