一种大电流/高电压IGBT直接并联的大容量逆变模块制造技术

技术编号:21497810 阅读:58 留言:0更新日期:2019-06-29 13:29
本实用新型专利技术公开了一种大电流/高电压IGBT直接并联的大容量逆变模块,包括水冷板、分立式IGBT器件、叠层母排、第一吸收电容、驱动回路、交流侧汇流母排、电流传感器、直流侧叠层母排、第二吸收电容、直流侧负汇流母排和直流侧正汇流母排,所述分立式IGBT器件为六个,六个分立式IGBT器件依次从上而下均匀布置在水冷板上。本实用新型专利技术提出的大电流/高电压IGBT直接并联的大容量逆变模块,并联各支路电流阻抗计算精确,保证一致,实现很高的均流系数,驱动电路各相各器件电缆长度一致,路径分开,互补干扰;主回路布局设计,充分利用空间,优化电路路径,功率密度大,模块整体尺寸小,简洁,便于维护安装,电气特性佳。

【技术实现步骤摘要】
一种大电流/高电压IGBT直接并联的大容量逆变模块
本技术涉及到大功率逆变电源
,特别涉及一种大电流/高电压IGBT直接并联的大容量逆变模块。
技术介绍
大功率电力电子设备经常需提供很大的电流和电压满足大功率或大容量负载的需求。现有IGBT器件很难单独提供足够的电流,需要多个IGBT器件在回路中并联使用以提供足够的电流输出。大功率IGBT并联技术最重要的电气参数就是均流系数。要实现较高的均流系数,目前通用的、共识性的技术方案都需考虑以下几点:(1)并联回路中使用同一批次的IGBT器件,或者器件内部阻抗参数尽量一致;(2)使用均匀对称的冷却设备保证各IGBT器件相近的结温;(3)电气回路对称设计,路径长度一致,保证相同的阻抗;(4)采用同一驱动单元,并且门极驱动回路对称设计。目前各技术方案差异最大的就是上述第(3)、(4)点的实现。此两点需要通过结构设计方案来实现,也是最难的两点;现有技术方案中的回路布局无法提供均等的足够小的回路阻抗,造成并联回路中各支路的均流系数低,尽管并联端总电流能满足负载需求,但因各支路电流不均衡,造成各功率器件损耗、结温不一致,甚至相差很大,流过大电流的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大电流/高电压IGBT直接并联的大容量逆变模块,其特征在于,包括水冷板(1)、分立式IGBT器件(2)、叠层母排(3)、第一吸收电容(4)、驱动回路(5)、交流侧汇流母排(6)、电流传感器(7)、直流侧叠层母排(8)、第二吸收电容(9)、直流侧负汇流母排(10)和直流侧正汇流母排(11),所述分立式IGBT器件(2)为六个,六个分立式IGBT器件(2)依次从上而下均匀布置在水冷板(1)上;所述叠层母排(3)和第一吸收电容(4)均为三排,三排叠层母排(3)的型号及第一吸收电容(4)的型号相同,三排叠层母排(3)依次从上而下均匀布置在水冷板(1)的另一侧,三个第一吸收电容(4)分别安装在三...

【技术特征摘要】
1.一种大电流/高电压IGBT直接并联的大容量逆变模块,其特征在于,包括水冷板(1)、分立式IGBT器件(2)、叠层母排(3)、第一吸收电容(4)、驱动回路(5)、交流侧汇流母排(6)、电流传感器(7)、直流侧叠层母排(8)、第二吸收电容(9)、直流侧负汇流母排(10)和直流侧正汇流母排(11),所述分立式IGBT器件(2)为六个,六个分立式IGBT器件(2)依次从上而下均匀布置在水冷板(1)上;所述叠层母排(3)和第一吸收电容(4)均为三排,三排叠层母排(3)的型号及第一吸收电容(4)的型号相同,三排叠层母排(3)依次从上而下均匀布置在水冷板(1)的另一侧,三个第一吸收电容(4)分别安装在三排叠层母排(3)上,驱动回路(5)安装在叠层母排(3)下侧的水冷板(1)上;所述交流侧汇流母排(6)、直流侧负汇流母排(10)和直流侧正汇流母排(11)安装在水冷板(1)的另一侧,直流侧叠层母排(8)与第二吸收电容(9)对称排布;所述水冷板(1)的外侧设有支撑框架(12),水冷板(1)安装在支撑框架(12)内,支撑框架(12)的正面及左右侧面均安装有面板(13)。2.如权利要求1所述的一种大电流/高电压IGBT直接并联的大容量逆变模块,其特征在于:所述分立式IGBT器件(2)的工作布局采用分立式IGBT元件构成变换器单元的电路布局方式,六个分立式IGBT器件(2)依次记为S11、S21、S12、S22、...

【专利技术属性】
技术研发人员:周细文陈烘民周冠宇章辉谈浩楠
申请(专利权)人:江苏同芯电气科技有限公司
类型:新型
国别省市:江苏,32

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