一种显示基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本申请提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，所述显示基板包括：背板以及设置在所述背板上的发光层，所述发光层包括多个像素区域，各所述像素区域的发光层包括第一发光区域和第二发光区域，其中，所述第一发光区域的膜层厚度为该区域出光波长一半的整数倍，所述第二发光区域的膜层厚度与所述第一发光区域的膜层厚度不同。在一个像素区域中同时设计了弱微腔区域和强微腔区域，在确保器件效能的同时，提高器件的视角和寿命。本申请提供的显示基板在器件微腔和电学性质上取得了平衡，同时在效能和视角上取得了平衡，能够应用到对视角要求较高的产品上。

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)显示技术具有自发光、高对比度、极高反应速度等优点，尤其适合应用在移动产品上。为了进一步提升OLED器件的效能和光色，一般会采用强微腔共振的器件结构。然而，采用强微腔共振结构在提升器件效能和光色的同时，对器件的视角有很大的影响。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，以增大器件视角。为了解决上述问题，本专利技术公开了一种显示基板，所述显示基板包括：背板以及设置在所述背板上的发光层，所述发光层包括多个像素区域，各所述像素区域的发光层包括第一发光区域和第二发光区域，其中，所述第一发光区域的膜层厚度为该区域出光波长一半的整数倍，所述第二发光区域的膜层厚度与所述第一发光区域的膜层厚度不同。可选地，所述发光层包括层叠设置在所述背板上的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层，其中所述空穴注入层靠近所述背板设置；所述第一发光区域的空穴注入层的厚度与所述第二发光区域的空穴注入层的厚度之差，等于所述第一发光区域的膜层厚度与所述第二发光区域的膜层厚度之差。可选地，所述背板包括衬底，层叠设置在所述衬底上的第一电极层、反射层以及第二电极层，所述第一电极层靠近所述衬底设置，所述发光层设置在所述第二电极层上。可选地，所述第二发光区域对应的反射层厚度与所述第一发光区域对应的反射层厚度之差，等于所述第一发光区域的膜层厚度与所述第二发光区域的膜层厚度之差。可选地，所述第二发光区域位于所述像素区域的中央，所述第一发光区域位于所述第二发光区域的外围。可选地，各所述像素区域的发光层包括多个所述第一发光区域和多个所述第二发光区域，所述第一发光区域与所述第二发光区域交替设置。为了解决上述问题，本专利技术还公开了一种显示装置，包括任一实施例所述的显示基板。为了解决上述问题，本专利技术还公开了一种显示基板的制备方法，所述制备方法包括：提供背板；在所述背板上形成发光层，所述发光层包括多个像素区域，各所述像素区域的发光层包括第一发光区域和第二发光区域，其中，所述第一发光区域的膜层厚度为该区域出光波长一半的整数倍，所述第二发光区域的膜层厚度与所述第一发光区域的膜层厚度不同。可选地，所述提供背板的步骤，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上图案化形成反射层；在所述反射层上形成第二电极层，得到所述背板；其中，所述第二发光区域对应的反射层厚度与所述第一发光区域对应的反射层厚度之差，等于所述第一发光区域的膜层厚度与所述第二发光区域的膜层厚度之差。可选地，所述在所述背板上形成发光层的步骤，包括：采用喷墨打印工艺，在所述背板上依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，其中，所述第一发光区域的空穴注入层的厚度与所述第二发光区域的空穴注入层的厚度之差，等于所述第一发光区域的膜层厚度与所述第二发光区域的膜层厚度之差。与现有技术相比，本专利技术包括以下优点：本申请提供的技术方案，在一个像素区域中同时设计了弱微腔区域和强微腔区域，在确保器件效能的同时，提高器件的视角和寿命。本申请提供的显示基板在器件微腔和电学性质上取得了平衡，同时在效能和视角上取得了平衡，能够应用到对视角要求较高的产品上。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1示出了本申请实施例提供的一种显示基板的剖面结构示意图；图2示出了本申请实施例提供的第一种显示基板背板的剖面结构示意图；图3示出了本申请实施例提供的第一种显示基板的平面结构示意图；图4示出了本申请实施例提供的第二种显示基板背板的剖面结构示意图；图5示出了本申请实施例提供的第二种显示基板的平面结构示意图；图6示出了强微腔和弱微腔结构视角偏移对比示意图；图7示出了本申请实施例提供的一种显示基板的制备方法的步骤流程图；图8示出了本申请实施例提供的一种显示基板背板的制备流程示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。本申请一实施例提供了一种显示基板，参照图1，该显示基板可以包括：背板10以及设置在背板10上的发光层11，发光层11包括多个像素区域，各像素区域的发光层11包括第一发光区域和第二发光区域，其中，第一发光区域的膜层厚度d1为该区域出光波长一半的整数倍，第二发光区域的膜层厚度d2与第一发光区域的膜层厚度d1不同。图1示出的是一个像素区域的显示基板的剖面结构示意图。从图1中可以看出，像素区域包括第一发光区域(即强微腔区域)和第二发光区域(即弱微腔区域)。其中，第一发光区域的膜层厚度d1即强微腔区域的整个腔长是该区域光线半波长的整数倍，这时候容易形成微腔共振，从而提高出光的效率和光色，但是视角较差，从侧面观察视角和光色都变化较大。第二发光区域的膜层厚度d2即弱微腔结构的腔长可以是使得光电转换效率最高的最佳腔长，这样，第二发光区域的发射光虽然没有和发射光形成共振，但是具有较好的视角。不同颜色(波长不同)像素区域的第一发光区域的膜层厚度d1不同，在实际应用中，第一发光区域的膜层厚度d1可以根据像素区域的发光颜色RGB的波长确定，本实施例对其具体数值不作限定。第一发光区域的膜层厚度d1可以根据下面两个公式确定：为避免共振的产生，第二发光区域的最佳腔长(膜层厚度d2)可以不等于该区域光线半波长的整数倍，在实际应用中可以根据器件的电学性质以及光电转换效率确定，本实施例对其具体数值不作限定。发光层11可以包括层叠设置在背板10上的空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子传输层ETL和电子注入层EIL，其中空穴注入层HIL靠近背板10设置；第一发光区域的空穴注入层HIL的厚度与第二发光区域的空穴注入层HIL的厚度之差，等于第一发光区域的膜层厚度与第二发光区域的膜层厚度之差。本实施例中通过调整HIL层的厚度实现第一发光区域和第二发光区域的膜层厚度差异设置。这是因为HIL打印材料的导电性好，厚度改变后对器件电学性质影响较小。在实际应用中HIL的厚度可以在30～60nm之间调整。实际厚度可以根据像素区域的发光颜色RGB具体确定。专利技术人发现，OLED顶发射器件效能高，色域高，但是视角和寿命相对底发射器件较低，而底发射器件寿命长，视角好。因此，为了进一步提升器件视角，本实施例提供的显示基板可以采用底发射结构。具体地，背板10可以包括衬底，层叠设置在衬底上的第一电极层、反射层以及第二电极层，第一电极层靠近衬底设置，发光层11设置在第二电极层上。第二发光区域对应的反射层厚度与第一发光区域对应的反射层厚度之差，等于第一发光区域的膜层厚度与第二发光区域的膜层厚度之差。背板10中的反射层作为光学调整层，用于调整背板10表面的高度差异，以便后续在背板10的表面上形成发光层11。如图1中所示，在同一个像素内，第一电极层、反射层和第二电极层构成阳本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：背板以及设置在所述背板上的发光层，所述发光层包括多个像素区域，各所述像素区域的发光层包括第一发光区域和第二发光区域，其中，所述第一发光区域的膜层厚度为该区域出光波长一半的整数倍，所述第二发光区域的膜层厚度与所述第一发光区域的膜层厚度不同。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：背板以及设置在所述背板上的发光层，所述发光层包括多个像素区域，各所述像素区域的发光层包括第一发光区域和第二发光区域，其中，所述第一发光区域的膜层厚度为该区域出光波长一半的整数倍，所述第二发光区域的膜层厚度与所述第一发光区域的膜层厚度不同。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光层包括层叠设置在所述背板上的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层，其中所述空穴注入层靠近所述背板设置；所述第一发光区域的空穴注入层的厚度与所述第二发光区域的空穴注入层的厚度之差，等于所述第一发光区域的膜层厚度与所述第二发光区域的膜层厚度之差。3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述背板包括衬底，层叠设置在所述衬底上的第一电极层、反射层以及第二电极层，所述第一电极层靠近所述衬底设置，所述发光层设置在所述第二电极层上。4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第二发光区域对应的反射层厚度与所述第一发光区域对应的反射层厚度之差，等于所述第一发光区域的膜层厚度与所述第二发光区域的膜层厚度之差。5.根据权利要求1至4任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第二发光区域位于所述像素区域的中央，所述第一发光区域位于所述第二发光区域的外围。6.根据权利要求1至4任一项所述的显示基板，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵德江，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11