晶片的边缘抛光装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术的技术问题在于提供一种边缘抛光装置，其具备对于附着在卡盘工作台上的浆料残渣的清洗效果高的清洗机构。解决方案为：边缘抛光装置(1)具备：卡盘工作台(10)，吸附保持晶片(W)；旋转驱动机构，使卡盘工作台(10)旋转；边缘抛光单元(20)，一边将浆料供给至以被卡盘工作台(10)吸附保持的状态旋转的晶片(W)，一边抛光晶片的边缘；及清洗单元(50)，去除卡盘工作台(10)上的浆料残渣。清洗单元(50)包含清洗头(52)，所述清洗头(52)具备高压喷射喷嘴及包围该高压喷射喷嘴的周围的刷子，使用清洗头(52)对卡盘工作台(10)进行高压清洗的同时进行刷子清洗。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶片的边缘抛光装置及方法
本专利技术涉及一种晶片的边缘抛光装置及方法，尤其涉及一种抛光加工时吸附保持晶片的背面的卡盘工作台的清洗机构。
技术介绍
作为半导体器件的基板材料广泛使用硅晶片。硅晶片通过对单晶硅锭依次进行外周磨削、切片、研磨(lapping)、蚀刻、双面抛光、单面抛光、清洗等工序来制造。尤其在最近，为了制成除了晶片的正面和背面这两面以外，连边缘上也没有损伤缺陷的状态，在进行晶片的双面抛光之后进行边缘抛光正在成为主流。专利文献1中记载了能够同时对正面和背面这两面侧的端面和外周表面进行抛光加工的工件外周部的抛光装置。在晶片的边缘抛光工序中，附着在吸附保持晶片的卡盘工作台上的浆料残渣成为问题。残留在卡盘工作台上的磨粒成为损伤晶片背面的原因，这是因为，若在卡盘工作台上残留有磨粒的状态下夹持晶片的背面，则会在该背面产生损伤缺陷。如上述那样，在进行双面抛光之后进行边缘抛光的情况下，在进行了边缘抛光工序之后只有仅抛光晶片表面的单面抛光工序，而没有改善晶片背面的品质的机会，因此在边缘抛光工序中产生的晶片背面的损伤缺陷尤其成为问题。为了解决上述问题，期望去除附着在卡盘工作台上的浆料残渣。关于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的边缘抛光装置，其特征在于，具备：卡盘工作台，吸附保持晶片；旋转驱动机构，使所述卡盘工作台旋转；边缘抛光单元，一边将浆料供给至以被所述卡盘工作台吸附保持的状态旋转的晶片，一边抛光所述晶片的边缘；及清洗单元，去除所述卡盘工作台上的浆料残渣，所述清洗单元包含清洗头，所述清洗头具备高压喷射喷嘴及以包围该高压喷射喷嘴的周围的方式设置的刷子，使用所述清洗头对所述卡盘工作台进行高压清洗的同时进行刷子清洗。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.15 JP 2016-2220641.一种晶片的边缘抛光装置，其特征在于，具备：卡盘工作台，吸附保持晶片；旋转驱动机构，使所述卡盘工作台旋转；边缘抛光单元，一边将浆料供给至以被所述卡盘工作台吸附保持的状态旋转的晶片，一边抛光所述晶片的边缘；及清洗单元，去除所述卡盘工作台上的浆料残渣，所述清洗单元包含清洗头，所述清洗头具备高压喷射喷嘴及以包围该高压喷射喷嘴的周围的方式设置的刷子，使用所述清洗头对所述卡盘工作台进行高压清洗的同时进行刷子清洗。2.根据权利要求1所述的晶片的边缘抛光装置，其中，所述清洗单元还包括使所述清洗头在所述卡盘工作台的径向上往复移动的清洗头移动机构。3.根据权利要求2所述的晶片的边缘抛光装置，其中，所述卡盘工作台被设置于加工室内；所述清洗头移动机构在边缘抛光工序中使所述清洗头退避到所述加工室的外侧，而在清洗工序中使所述清洗头进入所述加工室内。4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶片的边缘抛光装置，其中，被所述边缘抛光单元抛光的晶片为已通过双面抛光工序进行了正面和背面这两面的抛光的晶片。5.根据权利要求1至4中任一项所述的晶片的边缘抛光装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：安藤慎，泉龙典，谷本龙一，松永祐平，山田康生，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP