电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种电子装置，包括发光单元以及至少一电路单元。发光单元包括至少两个二极管，以串联方式彼此耦接，其中该多个二极管至少其中之一为发光二极管，用以产生光线。电路单元包括薄膜晶体管或开关元件，耦接于发光单元的一第一端与一电压源之间。

【技术实现步骤摘要】
电子装置
本专利技术涉及一种电子装置，特别是涉及一种具有多颗彼此电性串联的二极管的发光电子装置。
技术介绍
由于发光二极管具有体积小、效率高、耗电量低、寿命长、反应速度快、演色度高又不含对环境有害的汞等优点，因此已广泛地应用于人们日常的照明系统以及显示设备中。针对显示电子装置来说，发光二极管已取代传统的阴极射线管，作为背光的光源，除此之外，随着发光二极管制程的不断进步，发光二极管的尺寸可越来越小，使其可另作为显示电子装置的像素单元，例如尺寸介于100微米到300微米之间的小型发光二极管(mini-LED)，或是介于1微米到100微米之间的微型发光二极管(micro-LED)。一般小型发光二极管为电流驱动组件，且其驱动电流需数毫安，因此传统驱动单颗小型发光二极管的方式是利用内建有单颗或数颗晶体管的驱动电路，以具有足够的驱动电流。不过，驱动电路中的晶体管的功率占比相对较高，因此如何提升发光二极管整体的功率占比是目前亟需解决的问题之一。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种电子装置，以提升发光单元的功率占比。本专利技术的一实施例提供一种电子装置，包括发光单元以及至少一电路单元。发光单元包括至少两颗二极管，以串联方式彼此耦接，其中至少两颗二极管中的至少一者为发光二极管，用以产生光线。电路单元包括第一薄膜晶体管，耦接于发光单元的一第一端与一电压源之间。本专利技术的电子装置通过串联多个且尺寸较小的发光二极管的设计可提升发光二极管的功率占比，且还可有效地提升驱动单元中的薄膜晶体管或开关元件的寿命。除此之外，由于使用尺寸较小的发光二极管，因此发光单元还可产生较高亮度的光线。附图说明图1所示为本专利技术第一实施例的电子装置的电路示意图；图2所示为本专利技术第一实施例的发光单元的俯视示意图；图3所示为本专利技术第一实施例的发光单元沿着图2剖视线A-A’的剖视示意图；图4所示为本专利技术第二实施例的电子装置的电路示意图；图5所示为本专利技术第三实施例的电子装置的电路示意图；图6所示为本专利技术第三实施例的单一封装体的俯视示意图；图7所示为本专利技术第四实施例的电子装置的电路示意图；图8所示为本专利技术第四实施例的单一封装体的俯视示意图；图9，所示为本专利技术第五实施例的电子装置的电路示意图；图10所示为本专利技术第六实施例的电子装置的电路示意图；图11所示为本专利技术第七实施例的电子装置的示意图；以及图12所示为本专利技术第八实施例的电子装置的示意图。附图标记说明：DA1、DA2、LD1、LD2、LD3、LD4、LD5、LD6-电子装置；LU、LU1、LU2、LU3、LU4-发光单元；CU1、CU2、CU5、CU6-电路单元；DC-二极管；T1-第一端；T2-第二端；LP-低电压源；HP-高电压源；DU-驱动单元；SU-开关单元；TFT1-第一薄膜晶体管；TFT2-第二薄膜晶体管；C-电容；GL-栅极线；DL-数据线；PK1、PK3、PK4-封装体；SC1-P型半导体层；LL-发光层；SC2-N型半导体层；Sub-载板；CL-连接线；AE-阳极；CE-阴极；EU-发光控制单元；DSU-数据程序存储单元；LM-发光模块；DP-显示面板。具体实施方式下文结合具体实施例和附图对本专利技术的内容进行详细描述，且为了使本专利技术的内容更加清楚和易懂，下文各附图为可能为简化的示意图，且其中的组件可能并非按比例绘制。并且，附图中的各组件的数量与尺寸仅为示意，并非用于限制本专利技术的范围。本专利技术通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的组件，且本文并未意图区分那些功能相同但名称不同的组件。在下文说明书与权利要求书中，「含有」与「包括」等词均为开放式词语，因此应被解释为「含有但不限定为…」之意。还应当理解，当一组件被称作"耦接"到另一组件(或其变型)时，它可以直接连接到另一组件或通过一或多个组件间接地连接(例如，电性连接)到另一组件。须说明的是，下文中不同实施例所提供的技术方案可相互替换、组合或混合使用，以在未违反本专利技术精神的情况下构成另一实施例。请参考图1，所示为本专利技术第一实施例的电子装置(本实施例为发光装置，于其他实施例中可以是显示设备或光侦测装置)的电路示意图。如图1所示，电子装置LD1可包括一发光单元LU1以及至少一电路单元CU1。发光单元LU1可指发光二极管芯片(chip)或更复杂封装的发光二极管单元。发光单元LU1包括至少两个二极管DC(二极管晶粒，Die)，以串联方式耦接。各二极管DC具有一阳极与一阴极，且其中一二极管DC的阳极耦接另一二极管DC的阴极。发光单元LU1可具有第一端T1与第二端T2，于本实施例中，第一端T1耦接串联的二极管DC未与阴极耦接的阳极，第二端T2耦接串联的二极管DC未与阳极耦接的阴极。于其他实施例中，第一端T1耦接串联的二极管DC未与阳极耦接的阴极，第二端T2耦接串联的二极管DC未与阴极耦接的阳极。于本实施例中，发光单元LU1的第一端T1耦接电路单元CU1的第二端，且第二端T2耦接低电压源LP，并且，电路单元CU1的第一端耦接高电压源HP。于其他实施例中，发光单元LU1的第一端T1耦接高电压源HP，且第二端耦接电路单元CU1的第一端，并且，电路单元CU1的第二端耦接低电压源LP。此外，二极管DC中的至少一者为发光二极管，用以产生光线。于本实施例中，各二极管DC皆为发光二极管。于其他实施例中，二极管DC可分别为发光二极管及非发光二极管的搭配。举例来说，发光二极管芯片可例如为无机发光二极管或有机发光二极管。依据电子装置LD1的应用需求，无机发光二极管可例如为尺寸范围从1微米到100微米的微型发光二极管、尺寸范围从100微米到300微米的小型发光二极管或尺寸范围从300微米到2毫米的发光二极管。本专利技术不限彼此串联的二极管均为发光二极管。于另一实施例中，彼此串联的二极管中的其中至少一者也可为其他非发光的二极管。于又一实施例中，发光单元LU1也可包括至少另一二极管，与上述二极管DC的其中一者并联，或与上述彼此串联的二极管DC并联，但不限于此，重点在于发光单元LU1的功率占比能够提升，二极管DC的串联或并联能够造成此效果的电路设计皆可应用于本专利技术。电路单元CU1耦接发光单元LU1，用以驱动发光单元LU1，使其产生光线，且电路单元CU1的一端(第一端或第二端)耦接于发光单元LU1的第一端T1与第二端T2的其中一端与一电压源之间。于本实施例中，电路单元CU1可包括一驱动单元DU以及一开关单元SU，其中开关单元SU用于控制驱动单元DU的开关。举例来说，于本实施例中，驱动单元DU可包括至少一第一薄膜晶体管TFT1，且第一薄膜晶体管TFT1的源极与漏极分别耦接发光单元LU1的第一端T1与高电压源HP。于其他实施例中，第一薄膜晶体管TFT1可包括至少一开关元件，该开关元件可以是金氧半晶体管(MOStransistor)或其他非薄膜晶体管TFT种类的晶体管开关元件，第一薄膜晶体管TFT1可以该开关元件所取代。举例来说，第一薄膜晶体管具有一主动层，主动层的材料包括低温多晶硅半导体、非晶硅半导体及金属氧化物半导体至少其中之一。高电压源HP例如为一高电压准位的直流电压源，且低电压源LP可例如为接地准位或一共享本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子装置，其特征在于，包括：一发光单元，具有一第一端，该发光单元包括以串联方式彼此耦接的一第一二极管及一第二二极管，其中该第一二极管及该第二二极管中的至少一者为发光二极管，用以产生光线；以及一第一电路单元，包括耦接于该发光单元的该第一端与一电压源之间的一第一薄膜晶体管。

【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其特征在于，包括：一发光单元，具有一第一端，该发光单元包括以串联方式彼此耦接的一第一二极管及一第二二极管，其中该第一二极管及该第二二极管中的至少一者为发光二极管，用以产生光线；以及一第一电路单元，包括耦接于该发光单元的该第一端与一电压源之间的一第一薄膜晶体管。2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一薄膜晶体管具有一主动层，该主动层的材料包括低温多晶硅半导体、非晶硅半导体及金属氧化物半导体至少其中之一。3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该电子装置更包括一第二电路单元，该第一电路单元及该第二电路单元以并联方式彼此电性连接，且该第二电路单元耦接于该电压源及该发光单元的该第一端之间。4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一二极管及该第二二极管皆为发光二极管。5.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该第一二极管及该第二二极管分别包括一P型半导体层、一发光层以及一N型半导体层。6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该发光单元包括一第一封装体，且该第一二极管及该第二二极管设置于该第一封装体中。7.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于，该第一封装体包括一第一载板，且该第一二极管及该第二二极管设置于该第一载板上。8.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该发光单元包括一第一封装体及一第二封装体，该第一二极管设置于该第一封装体中，该第二二极管设置于该第二封装体中。9.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该发光单元更包括一第三二极管、一第一封装体及一第二封装体，该第三二极管与该第一二极管以串联方式彼此耦接，该第一二极管及该第二二极管设置于该第一封装体中，且该第三二极管设置于该第二封装体中。10.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，该发光单元更包括一第二端，该电压源为一高...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛立维，丁景隆，曾名骏，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71