半导体组件及其控制方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体组件，半导体组件包括全控型电力电子器件及缓冲吸收电路，缓冲吸收电路并联所述全控型电力电子器件，所述缓存吸收电路包括电容(C)、电感(L)、电阻(R)、二极管(D)和半控型电力电子器件(A1)，其中，电感(L)串联半控型电力电子器件(A1)且一起并联电阻(R)，二极管(D)并联电阻(R)且一起串联电容(C)。

【技术实现步骤摘要】
半导体组件及其控制方法
本专利技术涉及一种电气设备
，特别是提升全控型电力电子器件关断大电流能力的半导体组件。
技术介绍
由功率半导体器件组成的电流关断组件具有无弧关断、通流容量大、关断速度快、限流能力强等优点，已经成为大容量系统开断领域的研究热点。使用具有全控功能的功率半导体器件分断电流的组件方案相比于其它机械式组件方案具有分断速度更快，更利于分断额定电流的优点。但在使用全控型功率半导体器件关断大电流时，由于全控型功率半导体器件大电流关断能力不足，容易发生关断失败。在
技术介绍
部分中公开的上述信息仅仅用于增强对本专利技术背景的理解，因此可能包含不构成在本国中本领域普通技术人员公知的现有技术的信息。
技术实现思路
针对上述现有技术存在的不足或缺陷，本专利技术的目的在于提供一种半导体组件及其控制方法。具体的，本专利技术采用如下技术方案：一种半导体组件，其包括，全控型电力电子器件；及缓冲吸收电路，其并联所述全控型电力电子器件，所述缓存吸收电路包括电容、电感、电阻、二极管和半控型电力电子器件，其中，电感串联半控型电力电子器件且一起并联电阻，二极管并联电阻且一起串联电容。所述的半导体组件中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体组件，其包括，全控型电力电子器件；及缓冲吸收电路，其并联所述全控型电力电子器件，所述缓存吸收电路包括电容(C)、电感(L)、电阻(R)、二极管(D)和半控型电力电子器件(A1)，其中，电感(L)串联半控型电力电子器件(A1)且一起并联电阻(R)，二极管(D)并联电阻(R)且一起串联电容(C)。

【技术特征摘要】
1.一种半导体组件，其包括，全控型电力电子器件；及缓冲吸收电路，其并联所述全控型电力电子器件，所述缓存吸收电路包括电容(C)、电感(L)、电阻(R)、二极管(D)和半控型电力电子器件(A1)，其中，电感(L)串联半控型电力电子器件(A1)且一起并联电阻(R)，二极管(D)并联电阻(R)且一起串联电容(C)。2.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，优选的，所述二极管(D)阴极与电容(C)相联，所述电感(L)与半控型电力电子器件(A1)串联；所述二极管(D)与所述电容(C)之间具有第一端点；所述电感(L)与所述半控型电力电子器件(A1)之间具有第二端点；所述二极管(D)与电感(L)之间具有第三端点；所述半控型电力电子器件(A1)连接于所述第一端点和所述第二端点之间；所述电阻(R)连接于所述第一端点和所述第三端点之间。3.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，全控型电力电子器件包括多个全控型电力电子器件的串并联组合。4.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，半导体组件还包括并联缓冲吸收电路的耗能电路。5.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，所述全控型电力电子器件(A2)包括如下任一或其任意组合：MOSFET、IGCT、IGBT、IEGT和GTO。6.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，所述半控型电力电子器件(A1)包括如下任一或其任意组合：晶闸管、IGBT、IGCT、IEGT。7.根据权利要求1所述的半导体组件，其特征在于，所述电容(C)包括如下任一或其任意组合：薄膜电容、有机介质电容、无机介质电容、电解电容、电热电容和空气介质电容；所述电感(L)包括如下任一或其任意组合：绕线电感、多层片状电感和薄膜电感；所述电阻(R)包括如下任一或其任意组合：绕线电阻、碳膜电阻、金属膜电阻和金属氧化膜电阻；二极管(D)包括不可控的单向导通功率半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴益飞，吴翊，杨飞，荣命哲，纽春萍，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61