非水电解液二次电池制造技术

一种非水电解液二次电池，具备包含聚烯烃多孔膜的间隔件、含有聚偏二氟乙烯系树脂的多孔层、直至活性物质层剥离为止的折弯次数为130次以上的正极板、上述折弯次数为1650次以上的负极板，滴加至上述聚烯烃多孔膜上的碳酸二乙酯的减少速度为15秒/mg～21秒/mg，滴加至上述聚烯烃多孔膜上10秒后碳酸二乙酯的点径为20mm以上，上述聚偏二氟乙烯系树脂的α型晶体的含量为35.0摩尔％以上。

【技术实现步骤摘要】
非水电解液二次电池
本专利技术涉及非水电解液二次电池。
技术介绍
非水电解液二次电池，特别是锂离子二次电池由于能量密度高，被广泛用作个人电脑、移动电话、便携式信息终端等所使用的电池，另外最近作为车载用的电池进行了开发。例如专利文献1中记载了具备非水电解液二次电池间隔件的非水电解液二次电池，上述非水电解液二次电池间隔件包含控制间隔件本身的电解液的保持性的聚烯烃多孔膜。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第6153992号公报(2017年6月9日注册)
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题然而，上述以往的非水电解液二次电池从反复充放电循环后的充电容量的观点出发有改善的余地。本专利技术的一个方式的目的在于，实现充放电循环后的充电容量特性优异的非水电解液二次电池。用于解决技术问题的手段本专利技术的方式1涉及的非水电解液二次电池具备包含聚烯烃多孔膜的非水电解液二次电池用间隔件、含有聚偏二氟乙烯系树脂的多孔层、以JISP8115(1994)所规定的MIT试验机法为基准在载荷1N、折弯角度45°下实施的耐折试验中直至电极活性物质层剥离为止的折弯次数为130次以上的正极板、上述耐折试验中直至电极活性物质层剥离为止的折弯次数为1650次以上的负极板，滴加至上述聚烯烃多孔膜上的碳酸二乙酯的减少速度为15秒/mg～21秒/mg，滴加至上述聚烯烃多孔膜上10秒后碳酸二乙酯的点径为20mm以上，并且上述多孔层配置于上述非水电解液二次电池用间隔件与上述正极板和上述负极板的至少一者之间，上述多孔层所含的上述聚偏二氟乙烯系树脂中，在将α型晶体与β型晶体的含量的合计设为100摩尔％的情况下，上述α型晶体的含量为35.0摩尔％以上。(这里，α型晶体的含量由上述多孔层的19F-NMR谱中于-78ppm附近观测到的(α/2)的波形分离、以及于-95ppm附近观测到的{(α/2)+β}的波形分离算出。)另外，关于本专利技术的方式2涉及的非水电解液二次电池，上述方式1中，上述正极板包含过渡金属氧化物。另外，关于本专利技术的方式3涉及的非水电解液二次电池，上述方式1或2中，上述负极板包含石墨。另外，关于本专利技术的方式4涉及的非水电解液二次电池，上述方式1～3的任一项中，在上述非水电解液二次电池用间隔件与上述正极板和上述负极板中的至少一者之间还具备另外的多孔层。另外，关于本专利技术的方式5涉及的非水电解液二次电池，上述方式4中，上述另外的多孔层包含选自聚烯烃、(甲基)丙烯酸酯系树脂、含氟树脂(不包括聚偏二氟乙烯系树脂在内)、聚酰胺系树脂、聚酯系树脂和水溶性聚合物中的1种以上的树脂。另外，关于本专利技术的方式6涉及的非水电解液二次电池，上述方式5中，上述聚酰胺系树脂为芳族聚酰胺树脂。专利技术效果根据本专利技术的一个方式，可以实现充放电循环后的充电容量特性优异的非水电解液二次电池。附图说明图1是示出MIT试验机的概要的示意图。具体实施方式以下对本专利技术的一个实施方式进行说明，但本专利技术并不限定于此。本专利技术不受以下说明的各构成限定，可以在技术方案示出的范围内进行各种变更，将在不同的实施方式中分别公开的技术方法适当组合而获得的实施方式也包含在本专利技术的技术范围内。需要说明的是，只要在本说明书没有特别记载，则表示数值范围的“A～B”是指“A以上且B以下”。本专利技术的一个实施方式所涉及的非水电解液二次电池具备包含聚烯烃多孔膜的非水电解液二次电池用间隔件、含有聚偏二氟乙烯系树脂的多孔层、以JISP8115(1994)所规定的MIT试验机法为基准在载荷1N、折弯角度45°下实施的耐折试验中直至电极活性物质层剥离为止的折弯次数为130次以上的正极板、上述耐折试验中直至电极活性物质层剥离为止的折弯次数为1650次以上的负极板，滴加至上述聚烯烃多孔膜上的碳酸二乙酯(以下，有时称为DEC)的减少速度为15秒/mg～21秒/mg，滴加至上述聚烯烃多孔膜上10秒后碳酸二乙酯的点径为20mm以上，并且上述多孔层配置于上述非水电解液二次电池用间隔件与上述正极板和上述负极板的至少一者之间，上述多孔层所含的上述聚偏二氟乙烯系树脂中，在将α型晶体与β型晶体的含量的合计设为100摩尔％的情况下，上述α型晶体的含量为35.0摩尔％以上。(这里，α型晶体的含量由上述多孔层的19F-NMR谱中于-78ppm附近观测到的(α/2)的波形分离、以及于-95ppm附近观测到的{(α/2)+β}的波形分离算出。)需要说明的是，以下，有时分别将“聚烯烃多孔膜”称为“多孔膜”、将“聚偏二氟乙烯系树脂”称为“PVDF系树脂”、将“滴加至上述聚烯烃多孔膜上的碳酸二乙酯的减少速度”称为“减少速度”、将“滴加至上述聚烯烃多孔膜上10秒后碳酸二乙酯的点径”称为“点径”。＜正极板＞本专利技术的一个实施方式涉及的非水电解液二次电池中的正极板只要在后述的耐折试验中测定的折弯次数为特定的范围就没有特别限定。例如，可以使用将包含正极活性物质、导电剂以及粘结剂的正极合剂作为正极活性物质层担载于正极集电体上的片状的正极板。需要说明的是，正极板可以将正极合剂担载于正极集电体的两面上，也可以将正极合剂担载于正极集电体的单面上。作为上述正极活性物质，可举出例如能够嵌入、脱嵌锂离子的材料。作为该材料，优选过渡金属氧化物。作为过渡金属氧化物，具体而言，可举出例如，至少包含V、Mn、Fe、Co和Ni等过渡金属中的1种的锂复合氧化物。作为上述导电剂，可举出例如天然石墨、人造石墨、焦炭类、炭黑、热分解碳类、碳纤维、有机高分子化合物烧成体等碳质材料等。上述导电剂可以仅使用1种，也可以组合使用2种以上。作为上述粘结剂，可举出例如：聚偏二氟乙烯、偏二氟乙烯的共聚物、聚四氟乙烯、四氟乙烯－六氟丙烯的共聚物、四氟乙烯－全氟烷基乙烯基醚的共聚物、乙烯－四氟乙烯的共聚物、偏二氟乙烯－六氟丙烯共聚物、偏二氟乙烯－六氟丙烯－四氟乙烯的共聚物、热塑性聚酰亚胺、聚乙烯、和聚丙烯等热塑性树脂、丙烯酸系树脂、以及苯乙烯丁二烯橡胶。需要说明的是，粘结剂也具有作为增稠剂的功能。作为上述正极集电体，可举出例如Al、Ni、不锈钢等导体，从容易加工成薄膜且廉价的方面出发，更优选Al。＜负极板＞本专利技术的一个实施方式涉及的非水电解液二次电池中的负极板只要在后述的耐折试验中测定的折弯次数为特定的范围就没有特别限定。例如，可以使用将包含负极活性物质的负极合剂作为负极活性物质层担载于负极集电体上的片状的负极板。片状的负极板中优选包含上述导电剂及上述粘结剂。需要说明的是，负极板可以将负极合剂担载于负极集电体的两面上，也可以将负极合剂担载于负极集电体的单面上。作为上述负极活性物质，可举出例如能够嵌入、脱嵌锂离子的材料、锂金属或锂合金等。作为该材料，例如可举出碳质材料等。作为碳质材料，可举出天然石墨、人造石墨、焦炭类、炭黑、和热分解碳类等。作为导电剂、粘结剂，可以使用作为上述正极活性物质层中可以包含的导电剂、粘结剂而记载的物质。作为上述负极集电体，可举出例如Cu、Ni、不锈钢等，特别是在锂离子二次电池中，从难以与锂形成合金、并且容易加工成薄膜的方面出发，更优选Cu。＜折弯次数＞本专利技术的一个实施方式的正极板和负极板在以JISP8115(1994)规定的MIT试验机法为基准实施的耐折试验中，直至活性物质层剥离为止的折弯次数为特定的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非水电解液二次电池，具备包含聚烯烃多孔膜的非水电解液二次电池用间隔件、含有聚偏二氟乙烯系树脂的多孔层、以JIS P 8115(1994)所规定的MIT试验机法为基准在载荷1N、折弯角度45°下实施的耐折试验中直至电极活性物质层剥离为止的折弯次数为130次以上的正极板、所述耐折试验中直至电极活性物质层剥离为止的折弯次数为1650次以上的负极板，滴加至所述聚烯烃多孔膜上的碳酸二乙酯的减少速度为15秒/mg～21秒/mg，滴加至所述聚烯烃多孔膜上10秒后碳酸二乙酯的点径为20mm以上，并且所述多孔层配置于所述正极板和所述负极板的至少一者与所述非水电解液二次电池用间隔件之间，所述多孔层所含的所述聚偏二氟乙烯系树脂中，在将α型晶体与β型晶体的含量的合计设为100摩尔％的情况下，所述α型晶体的含量为35.0摩尔％以上，这里，α型晶体的含量由所述多孔层的

【技术特征摘要】
2017.12.19 JP 2017-2432921.一种非水电解液二次电池，具备包含聚烯烃多孔膜的非水电解液二次电池用间隔件、含有聚偏二氟乙烯系树脂的多孔层、以JISP8115(1994)所规定的MIT试验机法为基准在载荷1N、折弯角度45°下实施的耐折试验中直至电极活性物质层剥离为止的折弯次数为130次以上的正极板、所述耐折试验中直至电极活性物质层剥离为止的折弯次数为1650次以上的负极板，滴加至所述聚烯烃多孔膜上的碳酸二乙酯的减少速度为15秒/mg～21秒/mg，滴加至所述聚烯烃多孔膜上10秒后碳酸二乙酯的点径为20mm以上，并且所述多孔层配置于所述正极板和所述负极板的至少一者与所述非水电解液二次电池用间隔件之间，所述多孔层所含的所述聚偏二氟乙烯系树脂中，在将α型晶体与β型晶体的含量的合计设为100摩尔％的情况下，所述α型...

【专利技术属性】
技术研发人员：仓金孝辅，绪方俊彦，村上力，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP