【技术实现步骤摘要】
一种可伸缩线缓存电路实现方案
本专利技术涉及一种可伸缩线缓存电路实现方案，属于集成电路领域。
技术介绍
集成电路世界中，线缓存的使用非常频繁，数字图像处理领域尤甚。每当遇及矩阵运算的处理，为了减少重复读取外部存储器的次数，降低内存负荷，提高运算效率，常常需要预留指定大小的存储空间用于数据的临时存储，往往就少不了线缓存电路。线缓存电路常常在集成电路设计中占据较大面积比重，同时起着控制效率的关键作用。因此线缓存电路的设计优劣可以在一定程度上影响到集成电路设计的性能和成本等等方面。常用的线缓存设计方法常常基于运算极限大小设置线缓存的长度，基于精度需求设置线缓存的数量，然后逐个串联，用于数据临时存储和运算。对于线缓存的长度考虑，以图像缩放应用为例，每一个线缓存的长度设置由图像的极限宽度决定，例如720*480，图像宽度为720个像素点。最好的设计可以实现当原始图像极限宽度大于目标图像极限宽度时，由目标图像极限宽度决定，当原始图像极限宽度小于目标图像极限宽度时，由原始图像极限宽度决定。然而即使是这种设计，仍然存在一定的局限性，即图像显示行的大小较小于极限大小时，大部分的缓存...
【技术保护点】
1.一种可伸缩线缓存电路实现方案，其特征在于，该实现方案包括：可以支持对线缓存长度和精度动态伸缩调整，以及，可以支持对线缓存的预存空间实时伸缩调整。
【技术特征摘要】
1.一种可伸缩线缓存电路实现方案，其特征在于，该实现方案包括：可以支持对线缓存长度和精度动态伸缩调整，以及，可以支持对线缓存的预存空间实时伸缩调整。2.根据权利要求1所述可伸缩线缓存电路实现方案，其特征在于，该实现方案具体包括以下步骤：S1，选取特定长度和数量的线缓存单元组成存储结构；S2，基于不同应用场景需求，动态适配线缓存长度和精度；S3，采用FIFO方式存储数据；S4，实时判断缓存空间容量，动态调整线缓存数据更新和预存。3.根据权利要求2所述可伸缩线缓存电路实现方案，其特征在于，所述S1还包括：根据应用场景的最大精度要求，选用特定数量的线缓存基础单元；结合边界应用场景，选用特定长度的线缓存基础单元，组成线缓存结构；优化边界应用场景，最大限度降低基础线缓存单元的长度要求。4.根据权利要求2所述可伸缩线缓存电路实现方案，其特征在于，所述S2还包括：划分不同应用场景，动态组合特定数量的线缓存基础单元，拼接成匹配对应长度和精度需求的线缓存结构；其中，线缓存电路最长可支持全部拼接，串联成单一线缓存单元，实现最大容量数据缓存；其中，线缓存电路最短可支持不拼接，采用基本线缓存单元实现最大精度数据缓存。5.根据权利要求2所述可伸缩线缓存电路实现方案，其特征在于，所述S3还包括：基于先进先出，地址递增的方式顺序遍历整个线缓存空间实现数据存储；同时基于面积性能因素，FIFO可以采用寄存器实现，可以采用双口RAM实现或使用两片单口RAM拼接实现。6.根据权利要求2所述可伸缩线缓存电路实现方案，其特征在于，所述S4还包括：线缓存电路通过...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：珠海亿智电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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